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公开(公告)号：CN101888245A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010192757.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明公开了一种GaAs HBT超高速2分频器，主要解决现有分频器工作频率范围比较窄，频率低的问题。本发明的2分频器主要由输入缓冲器，分频器核心部件，输出缓冲器和偏置电路组成；其中输入缓冲器通过一个差分放大电路后经射极跟随器差分输出给分频器核心部件；分频器核心部件采用电流模逻辑电路CML所构成的主从结构的T-type触发器，其输出给输出缓冲器；输出缓冲器通过一射极跟随器后经差分放大电路输出；偏置电路采用Bata-help电流镜结构为其它电路提供偏置电压。本发明具有驱动能力高、电平转换精确、抑制共模噪声强，稳定性好和工作频率高的优点，适用于作超高速N级级联的2N分频器和锁相环式频率综合器。
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公开(公告)号：CN101854173A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010199147.X
申请日：2010-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明公开了一种基于射极耦合逻辑ECL的InGaP/GaAs HBT超高速二分频电路，主要解决现有分频电路工作频率范围比较窄，频率低，芯片制造成本高的问题。该二分频电路主要由6个差分电路、4个射极跟随器和6个偏置电路组成，第二差分电路和第三差分电路通过第一射极跟随器和第二射极跟随器连接到第五差分电路；第五差分电路和第六差分电路通过第三射极跟随器和第四射极跟随器连接到第二差分电路，形成主从结构的触发器；第一至第六差分电路和第一至第四射极跟随器构成射极耦合逻辑ECL电路。本发明兼有ECL和InGaP/GaAs HBT二者的优点，抗共模干扰能力强，电流增益稳定，工作频率高，适用于作中规模超高速N级级联的2N分频器和无线收发机中的锁相环式频率综合器。
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公开(公告)号：CN101552192A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910022014.2
申请日：2009-04-14
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层25nm～85nm厚的SiO2；在SiO2层上，离子注入N+到SiC/SiO2界面，并在Ar气环境中退火；通过光刻版真空溅射Al作电极，并在Ar气环境中退火，完成电容器件的制作。本发明具有控制N+的剂量精确，SiC/SiO2界面陷阱密度低，且与现有工艺兼容的优点，可用于对N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性的改善。
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公开(公告)号：CN101540343A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910022015.7
申请日：2009-04-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种偏移场板结构的4H－SiC PiN/肖特基二极管。它包括N+4H－SiC衬底和同型N－外延层；衬底背面设有N型欧姆接触；N－外延层上设有多个同心环形P+区域，这些同心环形P+区域分为外部同心圆环和内部同心圆环；各内部同心圆环及环间隔区域的上方设有P型欧姆接触和肖特基接触；各外部同心圆环及其间隔区域的上方设有P型欧姆接触和SiO2钝化层；在该SiO2钝化层上方设有场板。其制作过程是：在4H－SiC衬底正面生长N－外延层；在N－型外延层制作同心环形P+区域、SiO2钝化层、肖特基接触、P型欧姆接触和场板；在4H－SiC衬底背面制作N型欧姆接触。本发明可用于大功率整流器及PFC电路。
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公开(公告)号：CN101540280A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910022012.3
申请日：2009-04-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/316 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N+到SiC外延层中后，再将Al－注入到外延层中；在离子注入后的外延层上干氧氧化一层SiO2；将氧化后的样片依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上，再淀积一层SiO2后，并在Ar气环境中第一次退火；通过真空溅射Al制作电极，并在Ar气环境中第二次退火，完成整个电容的制作。本发明具有精确控制N+\Al－剂量，SiC/SiO2界面陷阱密度低，MOS电容平带电压偏移小，且实现工艺简单的优点，可用于对N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性的改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113794451B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110920111.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路，通过确定工作频率区间并选择在工作频率区间的射频信号，在符合偏置条件的直流偏置电压下工作，产生负电阻对接收的射频信号进行负放大；将负阻放大模块放大的射频信号在选频模块，负阻放大模块、以及反馈模块之间形成的闭环回路中反馈，以维持负阻放大模块持续工作；对射频信号持续进行负阻放大并输出。本发明采用E类振荡器的设计原理，实现负阻特性的反射放大功能，功耗能够达到个位数的毫瓦级别，功耗低，利于应用于射频识别系前端；并且反射放大器电路结构简单，使用单个晶体管设计负阻放大，不会额外占用过多的芯片面积，更加方便集成，更加方便适用于射频识别系统中。
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公开(公告)号：CN113486618B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110535092.3
申请日：2021-05-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件大信号特性的表征方法，该方法包括：获取半导体器件，并建立大信号模型拓扑；根据预设直流经验基模型、预设交流经验基模型和大信号模型拓扑，确定经验基宏模型；获取预先采集得到的大信号特性测试数据，并对经验基宏模型中的待拟合参数进行参数估计，得到第一参数；对第一参数进行调谐，得到第二参数；根据第二参数，对经验基宏模型进行优化，并根据优化后的经验基宏模型表征半导体器件的大信号特性。此种设计方式无需将半导体器件电流模型分为本征和非本征两部分，并且能够避免建立繁琐的耗尽电荷模型，使其提取过程更加便捷，进而节省计算机硬件资源和计算时间，同时也有利于保证待拟合参数的拟合精度。
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公开(公告)号：CN113947008A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111007779.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/39 , G06N3/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于BP神经网络模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
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公开(公告)号：CN113946991A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111007778.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F30/39 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于GRNN模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对GRNN神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
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公开(公告)号：CN113644138A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110686636.6
申请日：2021-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/329 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供第一衬底，并在第一衬底的一侧表面制备SiO2隔离区，得到第一衬底结构；获取第二衬底，第二衬底包括预先生长得到的单层MoS2；利用外延层转印技术，将单层MoS2转移至第一表面；图形化所述单层MoS2，形成单层MoS2沟道层；在第一表面淀积形成第一电极和第二电极，使第二电极与SiO2隔离区及单层MoS2沟道层直接接触，获得制作完成的单层MoS2‑Si基隧穿二极管。本发明提供的单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法能够降低界面缺陷密度，进而抑制陷阱辅助隧穿，并从工艺角度改善器件的亚阈值摆幅。
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