公开(公告)号：CN101540343A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910022015.7

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张玉明 ,  陈丰平 ,  吕红亮 ,  王悦湖 ,  张林 ,  郑庆立 ,  宋庆文 ,  张义门

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种偏移场板结构的4H－SiC PiN/肖特基二极管。它包括N+4H－SiC衬底和同型N－外延层；衬底背面设有N型欧姆接触；N－外延层上设有多个同心环形P+区域，这些同心环形P+区域分为外部同心圆环和内部同心圆环；各内部同心圆环及环间隔区域的上方设有P型欧姆接触和肖特基接触；各外部同心圆环及其间隔区域的上方设有P型欧姆接触和SiO2钝化层；在该SiO2钝化层上方设有场板。其制作过程是：在4H－SiC衬底正面生长N－外延层；在N－型外延层制作同心环形P+区域、SiO2钝化层、肖特基接触、P型欧姆接触和场板；在4H－SiC衬底背面制作N型欧姆接触。本发明可用于大功率整流器及PFC电路。

公开(公告)号：CN101540283A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910022016.1

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张玉明 ,  陈丰平 ,  吕红亮 ,  郭辉 ,  贾仁需 ,  宋庆文 ,  郑庆立 ,  张义门

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283

CPC classification number: Y02P70/605

Abstract: 本发明公开了一种场限环结构的4H－SiC PiN/肖特基二极管制作方法，其过程是：在4H－SiC衬底正面生长N－外延层；在N－型外延层上采用Ni/Au金属层作为阻挡层，进行多次不同能量的Al离子注入，并在氩气环境中进行离子激活退火，形成同心环形P+区域；在4H－SiC衬底背面直接溅射Ti/Ni/Pt金属，并通过退火形成N型欧姆接触；在所述的同心环形P+区域上方溅射金属Ti/Ni/Ti/Au，并在氩气环境中退火，形成P型欧姆接触；在所述的同心环形P+区域之间的环形N－型区域上，溅射Ti/Ni/Al金属直接制作肖特基接触。本发明具有功耗小，工作效率高及工艺简单的优点，可用于大功率整流器及PFC电路的使用。

公开(公告)号：CN101540343B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200910022015.7

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张玉明 ,  陈丰平 ,  吕红亮 ,  王悦湖 ,  张林 ,  郑庆立 ,  宋庆文 ,  张义门

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管。它包括N+ 4H-SiC衬底和同型N-外延层；衬底背面设有N型欧姆接触；N-外延层上设有多个同心环形P+区域，这些同心环形P+区域分为外部同心圆环和内部同心圆环；各内部同心圆环及环间隔区域的上方设有P型欧姆接触和肖特基接触；各外部同心圆环及其间隔区域的上方设有P型欧姆接触和SiO2钝化层；在该SiO2钝化层上方设有场板。其制作过程是：在4H-SiC衬底正面生长N-外延层；在N-型外延层制作同心环形P+区域、SiO2钝化层、肖特基接触、P型欧姆接触和场板；在4H-SiC衬底背面制作N型欧姆接触。本发明可用于大功率整流器及PFC电路。