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公开(公告)号：CN102074610B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010278812.4
申请日：2010-09-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , G01T1/24 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器，主要解决了现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、浓度为3.5～4×1017cm-3的n型沟道(6)、n型缓冲层(5)和欧姆接触层(4)，欧姆接触层上淀积源漏极(2)，n型缓冲层上淀积半透明肖特基接触层(1)，该肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成，其埋入n型缓冲层(5)的深度为0.06～0.08μm，栅极和源漏极以外的表面区域覆盖有一层SiO2钝化层(3)。本发明具有抗辐照能力强、能量转换效率高、探测效率高的特点，可用于核能中对β射线的探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101888245A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010192757.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明公开了一种GaAs HBT超高速2分频器，主要解决现有分频器工作频率范围比较窄，频率低的问题。本发明的2分频器主要由输入缓冲器，分频器核心部件，输出缓冲器和偏置电路组成；其中输入缓冲器通过一个差分放大电路后经射极跟随器差分输出给分频器核心部件；分频器核心部件采用电流模逻辑电路CML所构成的主从结构的T-type触发器，其输出给输出缓冲器；输出缓冲器通过一射极跟随器后经差分放大电路输出；偏置电路采用Bata-help电流镜结构为其它电路提供偏置电压。本发明具有驱动能力高、电平转换精确、抑制共模噪声强，稳定性好和工作频率高的优点，适用于作超高速N级级联的2N分频器和锁相环式频率综合器。
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公开(公告)号：CN101854173A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010199147.X
申请日：2010-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明公开了一种基于射极耦合逻辑ECL的InGaP/GaAs HBT超高速二分频电路，主要解决现有分频电路工作频率范围比较窄，频率低，芯片制造成本高的问题。该二分频电路主要由6个差分电路、4个射极跟随器和6个偏置电路组成，第二差分电路和第三差分电路通过第一射极跟随器和第二射极跟随器连接到第五差分电路；第五差分电路和第六差分电路通过第三射极跟随器和第四射极跟随器连接到第二差分电路，形成主从结构的触发器；第一至第六差分电路和第一至第四射极跟随器构成射极耦合逻辑ECL电路。本发明兼有ECL和InGaP/GaAs HBT二者的优点，抗共模干扰能力强，电流增益稳定，工作频率高，适用于作中规模超高速N级级联的2N分频器和无线收发机中的锁相环式频率综合器。
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公开(公告)号：CN102074611B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010278832.1
申请日：2010-09-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0352 , G01T1/24 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器，主要解决现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、浓度为3.5～4×1017cm-3的n型沟道(6)、n型缓冲层(5)和欧姆接触层(4)，欧姆接触层上淀积源漏极(2)，n型缓冲层上淀积半透明肖特基接触层(1)，肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成，其埋入n型缓冲层(5)的深度为0.06～0.08μm，栅极和源漏极以外的表面区域覆盖一层SiO2钝化层(3)。本发明具有抗辐照能力强、能量转换效率高、探测效率高的特点，可用于核能中对β射线的探测。
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公开(公告)号：CN102074611A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010278832.1
申请日：2010-09-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0352 , G01T1/24 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器，主要解决现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、浓度为3.5～4×1017cm-3的n型沟道(6)、n型缓冲层(5)和欧姆接触层(4)，欧姆接触层上淀积源漏极(2)，n型缓冲层上淀积半透明肖特基接触层(1)，肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成，其埋入n型缓冲层(5)的深度为0.06～0.08μm，栅极和源漏极以外的表面区域覆盖一层SiO2钝化层(3)。本发明具有抗辐照能力强、能量转换效率高、探测效率高的特点，可用于核能中对β射线的探测。
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公开(公告)号：CN102074610A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010278812.4
申请日：2010-09-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , G01T1/24 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器，主要解决了现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、浓度为3.5～4×1017cm-3的n型沟道(6)、n型缓冲层(5)和欧姆接触层(4)，欧姆接触层上淀积源漏极(2)，n型缓冲层上淀积半透明肖特基接触层(1)，该肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成，其埋入n型缓冲层(5)的深度为0.06～0.08μm，栅极和源漏极以外的表面区域覆盖有一层SiO2钝化层(3)。本发明具有抗辐照能力强、能量转换效率高、探测效率高的特点，可用于核能中对β射线的探测。
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