公开(公告)号：CN101552192A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910022014.2

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张玉明 ,  王德龙 ,  张义门 ,  程萍 ,  张甲阳 ,  张睿

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层25nm～85nm厚的SiO2；在SiO2层上，离子注入N+到SiC/SiO2界面，并在Ar气环境中退火；通过光刻版真空溅射Al作电极，并在Ar气环境中退火，完成电容器件的制作。本发明具有控制N+的剂量精确，SiC/SiO2界面陷阱密度低，且与现有工艺兼容的优点，可用于对N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性的改善。

公开(公告)号：CN101540280A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910022012.3

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张玉明 ,  王德龙 ,  张义门 ,  程萍 ,  张睿 ,  张甲阳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N+到SiC外延层中后，再将Al－注入到外延层中；在离子注入后的外延层上干氧氧化一层SiO2；将氧化后的样片依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上，再淀积一层SiO2后，并在Ar气环境中第一次退火；通过真空溅射Al制作电极，并在Ar气环境中第二次退火，完成整个电容的制作。本发明具有精确控制N+\Al－剂量，SiC/SiO2界面陷阱密度低，MOS电容平带电压偏移小，且实现工艺简单的优点，可用于对N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性的改善。

公开(公告)号：CN101552192B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910022014.2

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张玉明 ,  王德龙 ,  张义门 ,  程萍 ,  张甲阳 ,  张睿

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层25nm～85nm厚的SiO2；在SiO2层上，离子注入N+到SiC/SiO2界面，并在Ar气环境中退火；通过光刻版真空溅射Al作电极，并在Ar气环境中退火，完成电容器件的制作。本发明具有控制N+的剂量精确，SiC/SiO2界面陷阱密度低，且与现有工艺兼容的优点，可用于对N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性的改善。

公开(公告)号：CN100585811C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200810018341.6

申请日：2008-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  程萍 ,  张玉明 ,  张义门 ,  廖宇龙

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC:Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC:Ge过渡层上确定欧姆接触区域，并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂或SiC:Ge过渡层区进行KOH刻蚀，使该沟道区的SiC衬底为Si面；在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上，淀积一层高介电常数的SiN材料；刻蚀掉欧姆接触区域上的SiN材料，并在该区域淀积金属，引出电极。本发明具有比接触电阻和方块电阻低，使用寿命长的优点，可用于对半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作。

公开(公告)号：CN101540279A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910022011.9

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  王德龙 ,  张玉明 ,  张义门 ,  程萍 ,  张睿 ,  张甲阳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N+离子到外延层中后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层SiO2，并在Ar气环境中退火；通过光刻版真空溅射Al作电极，并在Ar气环境中退火，完成电容器件制作。本发明具有精确控制N+剂量，SiC/SiO2界面陷阱密度低，工艺简单的优点，可用于提高N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性。

公开(公告)号：CN101335201A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810018340.1

申请日：2008-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张玉明 ,  程萍 ,  张义门 ,  陈达

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种n型SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决n型SiC材料欧姆接触退火温度高和界面上存在匹配不好的问题。其过程是：对n型SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上通过两次P+离子注入形成n阱；在n阱上通过四次Ge+离子注入形成SiC:Ge中间层；对SiC:Ge的中间层进行在C膜保护下的退火处理；在退火处理后的SiC:Ge的中间层淀积金属，确定电极区并制作电极。本发明具有退火温度低、比接触电阻和方块电阻低的优点，可应用于n型SiC半导体器件的欧姆接触制作。

公开(公告)号：CN101315887A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810018341.6

申请日：2008-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  程萍 ,  张玉明 ,  张义门 ,  廖宇龙

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层上确定欧姆接触区域，并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂或SiC∶Ge过渡层区进行KOH刻蚀，使该沟道区的SiC衬底为Si面；在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上，淀积一层高介电常数的SiN材料；刻蚀掉欧姆接触区域上的SiN材料，并在该区域淀积金属，引出电极。本发明具有比接触电阻和方块电阻低，使用寿命长的优点，可用于对半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作。

公开(公告)号：CN101540279B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200910022011.9

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  王德龙 ,  张玉明 ,  张义门 ,  程萍 ,  张睿 ,  张甲阳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N+离子到外延层中后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层SiO2，并在Ar气环境中退火；通过光刻版真空溅射Al作电极，并在Ar气环境中退火，完成电容器件制作。本发明具有精确控制N+剂量，SiC/SiO2界面陷阱密度低，工艺简单的优点，可用于提高N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性。