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公开(公告)号：CN119420324A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411706816.6
申请日：2024-11-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种脉冲产生电路、驱动芯片及电子设备，属于电子设备技术领域。脉冲产生电路包括方波输入端、第一脉冲单元和第二脉冲单元。第一脉冲单元包括第一延迟模块和第一逻辑处理模块；第一延迟模块用于将方波信号的下降沿进行延时处理，生成第一延时信号；第一逻辑处理模块用于根据第一延时信号输出第一脉冲信号；第二脉冲单元包括第二延迟模块和第二逻辑处理模块；第二延迟模块用于将方波信号的上升沿进行延时处理，生成第二延时信号；第二逻辑处理模块用于根据第二延时信号输出第二脉冲信号。第一脉冲信号和第二脉冲信号的脉宽相较于方波信号的脉宽较窄，实现了由方波信号至脉宽较窄的脉冲信号的转换。
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公开(公告)号：CN119361587A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411335109.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块、电器及智能功率模块的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括芯片组、第一覆铜陶瓷基板以及第一烧结层，其中，所述芯片组包括至少一个功率芯片，所述第一覆铜陶瓷基板对应于所述功率芯片的电极区域设置有铜柱，所述第一烧结层设置于所述功率芯片与所述第一覆铜陶瓷基板上，且所述铜柱内嵌于所述第一烧结层中，所述功率芯片与所述第一覆铜陶瓷基板，通过所述第一烧结层形成电性连接。由此，消除了功率芯片与第一覆铜陶瓷基板之间的键合线，避免键合线由于热应力或外部振动导致断裂或脱键引起的电性连接失效问题，并大大提高了所述智能功率模块的电气稳定性。
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公开(公告)号：CN119341377A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411335129.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H02M5/458 , H02M1/42 , H02M7/5387 , H02P27/08
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块及负载驱动电路，所述智能功率模块包括整流电路、逆变电路和驱动电路，所述整流电路与连接电感和电容的交流电源连接，其中：所述整流电路，将所述交流电源提供的交流电转换为直流电，并将所述直流电提供给所述逆变电路和所述驱动电路；所述驱动电路，用于接收逻辑控制信号并根据所述逻辑控制信号控制所述逆变电路的功率芯片的开启和关闭；所述逆变电路，用于基于所述逻辑控制信号将所述直流电转换为可控交流电，以通过所述可控交流电控制负载工作。本发明实施例的智能功率模块不仅集成了驱动电路和逆变电路，还集成了能够将交流电转换为直流电的整流电路，智能功率模块的集成度高。
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公开(公告)号：CN119170655A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411360942.0
申请日：2024-09-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括半导体基底、第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区，半导体基底包括第一表面区域，第一掺杂区从第一表面区域延伸至半导体基底中，第一掺杂区采用第一掺杂浓度的铝离子掺杂得到。第二掺杂区从第一表面区域延伸至半导体基底上，且第一掺杂区和第二掺杂区沿第一表面区域的第一方向交错设置。第二掺杂区采用第二掺杂浓度的铝离子掺杂得到，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。从第一表面区域延伸至半导体基底中的第三掺杂区，采用第一掺杂浓度的铝离子掺杂得到，第三掺杂区的区域面积大于第一掺杂区的区域面积。由此提升二极管的反向耐压性能和减小正向导通压降。
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公开(公告)号：CN118763126A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411238021.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供了一种二极管、二极管制作方法、装置、设备、介质和电器，该二极管包括：依次连接的阴极、衬底和外延层；外延层设有沟槽；设置在外延层中的第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层相隔预设距离对应设置；掺杂区，掺杂区设置于外延层上；阳极，阳极设置于掺杂区上；阳极设有延伸部；阳极的延伸部穿过掺杂区延伸至外延层的沟槽内，与外延层形成肖特基接触；阳极的延伸部对应于第一埋层和第二埋层之间。从而通过第一埋层与第二埋层的位置设置，调整了电流路径，减少导通压降和反向恢复时间，而且可通过埋层的位置调整改变击穿电压，将埋层上移，可一定程度上增加了击穿电压，相对于现有技术有效的减少了静态损耗和动态损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118738132A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411230166.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体场效应晶体管、制作方法、设备、介质，半导体场效应晶体管包括依次连接的漏极、衬底、外延层；设置在外延层上方的电流扩展层，电流扩展层设置有沟槽；栅极，栅极部分延伸至电流扩展层；源极，源极包括第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部位于电流扩展层上方，第二延伸部延伸至电流扩展层的沟槽内，第二延伸部与电流扩展层形成肖特基连接；埋层，埋层设置于电流扩展层中并贯穿电流扩展层与源极和外延层连接，埋层与栅极连接；掺杂区，掺杂区设置在电流扩展层上，掺杂区分别与第一注入区、第二注入区、栅极连接；第一注入区，设置于源极和掺杂区之间；第二注入区，设置于源极和掺杂区之间，且第二注入区与栅极连接。
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公开(公告)号：CN118688600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411161753.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种IGBT模块监测的方法、装置、设备、介质及产品，应用于绝缘栅双极晶体管技术领域，包括：预置数据库，数据库存储多个特征点和IGBT模块中键合线的脱落数量的对应关系，特征点与导通电压、集电极电流、结温信息对应；获取IGBT模块中集电极至发射极的当前导通电压、当前集电极电流；预测IGBT模块的当前结温信息；在数据库中，确定当前导通电压、当前集电极电流，以及当前结温信息对应的当前特征点，并确定当前特征点对应的IGBT模块中键合线的脱落数量为IGBT模块中键合线的当前脱落数量。通过本发明实施例，实现了对IGBT模块中键合线的当前健康状况进行判断，提高IGBT模块在电力电子系统中的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN118425772A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410868085.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/34
Abstract: 本发明实施例提供了一种无感电机的测试方法、装置、电子设备及介质，应用于电机技术领域，包括：响应于用户在可视化界面的操作，确定目标测试工况信息；目标测试工况信息包括环境配置信息、供电配置信息，以及启动模式配置信息；根据环境配置信息控制无感电机所在的模拟测试环境；在模拟测试环境下，根据供电配置信息控制对无感电机的供电，并根据启动模式配置信息控制无感电机的启动；获取无感电机在目标测试工况信息下的启动情况，并将在目标测试工况信息下的启动情况反馈至可视化界面，实现了对无感电机的启动性能的测试，通过对测试环境、供电、启动模式的控制模拟不同测试工况，提升了对无感电机启动测试的准确性。
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公开(公告)号：CN117825905A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311650931.1
申请日：2023-12-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供了一种绝缘栅双极晶体管的测试系统及方法，涉及绝缘栅双极晶体管测试技术领域，绝缘栅双极晶体管的测试系统包括示波器、驱动电路、第一电源、绝缘栅双极晶体管、第一二极管、负载电路，通过驱动电路通过驱动电路响应于控制指令，控制绝缘栅双极晶体管导通或关断，第一二极管保护绝缘栅双极晶体管在关断时不被电压击穿，第一电源在绝缘栅双极晶体管导通的情况下，向负载电路供电，示波器采集绝缘栅双极晶体管的电流信号并展示，以供测试人员进行分析，得到驱动电路的组件和绝缘栅双极晶体管的匹配结果，通过真实匹配测试，降低了匹配测试结果的误差，解决了在先技术中通过仿真软件进行模拟匹配测试，导致匹配测试结果误差大的问题。
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公开(公告)号：CN117672814A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311548736.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L29/739
Abstract: 本发明实施例提供了一种钝化层的生长方法以及绝缘栅双极晶体管晶圆。在设置有正面金属层的晶圆表面基于钝化层设计投射紫外线；将光敏聚酰亚胺印刷至所述晶圆表面投射有紫外线处；所述光敏聚酰亚胺在紫外线投射下固化成型，形成满足钝化层设计的钝化层。可以按照芯片设计要求精准地在晶圆表面所需位置精准地配置钝化层，且厚度可控，使得制备得到的钝化层均匀度高，且可以省去刻蚀工序，避免刻蚀工序对晶圆表面可能带来的不良影响。
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