公开(公告)号：CN103000676A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210535471.3

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方。收集区位于衬底介质层的上方。本发明侧向双极晶体管的制备方法实现了本发明侧向双极晶体管。本发明侧向双极晶体管有效地减小了收集区的面积，降低了器件的收集区寄生电容，有助于减少辐照对于器件的影响。本发明侧向双极晶体管的制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模的产线生产。

公开(公告)号：CN102945798A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210426177.9

申请日：2012-10-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  周卫 ,  韩冰

IPC: H01L21/268

Abstract: 本发明公开一种超薄氧化层的激光处理生长方法，为解决现有超薄氧化层生长厚度难以精确控制等问题而发明。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法为在硅片的浅表面引入氧化剂后对该硅片进行激光照射，通过激光给能促使化学反应发生而形成超薄氧化层。氧化剂的引入方法为：将硅片放置在氧化性气氛中；或，对硅片浅表面进行低能离子注入氧元素；亦或，在硅片浅表面内低能离子注入氧元素后将该硅片放置在氧化性气氛中。本发明超薄氧化层的激光处理生长装置包括进气孔、出气孔、密封工艺腔室、载片台、激光器和透明窗口。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法及装置结构合理，使用方便，可生成质量好的薄氧化层，适用于多种半导体器件中薄氧化层的制备。

公开(公告)号：CN102938369A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210484714.5

申请日：2012-11-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  周卫 ,  张伟

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明公开了一种外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔，为解决现有的外延生长预处理工艺中，采用加热方法去除衬底表面杂质所带来到产品的品质表面、操作繁琐等问题而设计。所述外延生长预处理方法为使用激光照射衬底，以使所述衬底所需外延生长的表面局部升温至外延生长预处理所需温度；其中，所述衬底位于还原性气体中。所述外延生长预处理工艺腔，包括工艺腔体；所述工艺腔体上设有进气口、出气口以及用于照射位于所述工艺腔体内的衬底的激光装置。本发明外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔具有操作简便、快捷，产品质量有保证的特点。

公开(公告)号：CN101872744B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201010191071.6

申请日：2010-06-03

Applicant: 清华大学

Inventor： 周卫 ,  严利人 ,  窦维治 ,  韩冰 ,  刘志弘

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了属于半导体微波集成电路技术领域的一种在硅衬底上制造化合物半导体MMIC芯片的方法。利用三维对准光刻技术实现衬底背面图形的光刻，通过干法或湿法刻蚀，将圆片中各个MMIC芯片中部的硅衬底部分去除，保留MMIC芯片四周边缘处和压焊块下面的硅衬底，来维持进行后道减薄和划片封装工艺时所必须的机械强度。这有利于减小由于衬底耦合造成的功率损耗，提高硅衬底上制造化合物半导体MMIC的功率效率，同时降低了成本。

公开(公告)号：CN102768973A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210254714.6

申请日：2012-07-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  周卫 ,  张伟 ,  王玉东 ,  付军 ,  崔杰

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/317 ,  B23K26/00

Abstract: 本发明属于半导体制造装置和方法技术领域，特别涉及一种用于离子注入的激光辅助装置及其使用方法。本发明在离子注入机外部设置激光器，通过透明窗射入到离子注入机内部，又经过透明窗内侧设置的激光反射镜作用，射至晶圆片表面，激光光束的截面积大于离子注入束，离子注入束包含在激光光束中，两个加工束同时施加到晶圆片表面，进行离子注入。本发明在原有离子注入机的基础上，添加外部激光器和部分光学部件，所实施的改动量小，方便实现；相对于辅助加热的方式，激光束对于晶圆片的作用是局部的，仅是处理离子束的注入处，能源的使用效率高；此外，通过采取挡板，可以保护离子注入机内的传感器等关键性的部件，这一点传统的加热方式无法实现。

公开(公告)号：CN102651390A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210153148.X

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN102343482A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110207463.1

申请日：2011-07-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  刘朋 ,  窦维治 ,  刘志弘

IPC: B23K26/073

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的一种采用投影成像方式获取特定的激光加工束斑的方法。通过在光刻版上设计一系列的透光图形，通过驱动机构移动光刻版以选择特定的光刻版透光图形，入射激光光束通过光刻版透光图形后，进入投影成像透镜组，投影成像于晶圆片的表面，形成所需的激光作用束斑。该束斑边沿锐利，充分抑制了由衍射效应带来的激光加工处理工艺控制上的不确定性。另一方面，由于在光刻版上可以放置一系列透光图形，以及投影光刻系统可以设计成为变比的，因而最终得到的激光束斑在几何形状和尺寸上是充分灵活可调的，可保证获得理想的和更为均匀的激光加工处理的工艺控制效果。

公开(公告)号：CN101789375B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201010110718.8

申请日：2010-02-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘志弘 ,  张伟 ,  崔杰 ,  许平

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，(1)将非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片正面工艺进行完毕；(2)将硅片背面研磨减薄并去除应力；(3)在硅片背面注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理；(4)硅片背面注入硼离子；(5)进行炉管低温退火；(6)采用溅射或蒸发方法，在硅片背面生成铝薄层，并合金处理；(7)采用溅射或蒸发方法，在硅片背面依次制备钛、镍、银金属层。本发明由于在硅片背面采用先注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理，然后注入硼离子并进行低温退火，提高了注入硼杂质的激活率，因此增强了对漂移区的电导调制效应，有效地降低了导通电阻和导通电压。本发明可以广泛应用于半导体制作工艺中。

公开(公告)号：CN102290342A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110259211.3

申请日：2011-09-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘朋 ,  严利人 ,  周卫 ,  窦维治 ,  刘志弘

IPC: H01L21/268

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种采用六边形束斑进行激光扫退火的方法。所述六边形的激光束斑，通过在光路中两两相对放置的四块可以独立活动的挡板机构来实现，即上挡板和下挡板为独立或同步地移动；左挡板和右挡板为独立或同步地移动，四块均为矩形挡板，其中上挡板和下挡板或者左挡板和右挡板相对的一边，各自开一V形开口，形成六边形的顶角A，顶A角顶点在中心线上。当六边形束斑的激光光束对晶圆片进行扫描退火时，令相邻的两扫描行相互重叠补偿，可避免传统逐行扫描过程中，行与行之间的过扫描和欠扫描现象，同时并不增加整机系统的实现难度和实现成本。

公开(公告)号：CN101246819B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200710177248.5

申请日：2007-11-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘佳磊 ,  梁仁荣 ,  王敬 ,  许军 ,  刘志弘

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明公开了属于半导体衬底材料的制作领域的一种应变锗薄膜的制备方法。在Si基质上沉积覆盖单晶Si缓冲层；在单晶Si缓冲层上覆盖小于临界厚度的应变的单晶锗硅Si1-xGex层，然后氧化、使其转换为弛豫的高Ge组分Si1-yGey层，通过离子注入及退火使高Ge组分Si1-yGey层完全弛豫，并在该层上覆盖压应变的Ge层或压应变的高Ge组分Si1-zGez层，或在压应变的Ge层或压应变的高Ge组分Si1-zGez层上覆盖张应变的Si层或张应变的Si1-aGea层。本发明可用于制造互补金属氧化物半导体晶体管、调治掺杂场效应晶体管、高电子迁移率晶体管和双极型晶体管等高速器件，能够大大提高器件的性能。