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公开(公告)号：CN208444856U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201821064984.X
申请日：2018-07-06
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型为一种具有场板结构的发光二极管器件。该器件主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N-型半导体传输层、多量子阱层、P-型电流阻挡层、P-型半导体传输层、P-型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P-型欧姆电极；所述的N-型半导体传输层部分暴露，暴露的N-型半导体传输层上分布有N-型欧姆电极；其中，场板结构层位于P-型重掺杂半导体传输层和电流扩展层之间，并嵌于电流扩展层；所使用的绝缘体材料为非掺杂的SiO2、Al2O3、Si3N4、AlN、LiF、金刚石或PMMA。本实用新型中具有场板结构的发光二极管器件，制作工艺简单，易于操作，可重复性强，生产成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN222846493U
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202421729434.0
申请日：2024-07-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: C02F1/32 , C02F1/00 , C02F103/20
Abstract: 本实用新型公开了一种蛇形过流式水产杀菌装置，包括水流管和杀菌单元；水流管包括多个阵列排布的U型管，相邻U型管之间通过C型管状接头连接，使得水流管呈蛇形；每个U型管的直管段两侧交错阵列有缓速板，U型管的折弯段两侧分别设置有深紫外LED灯带，两端的管口处分别设有杀菌单元；杀菌单元包括滤网和深紫外LED灯模组，多个滤网间隔排布在管口且每个滤网上阵列有深紫外LED灯模组，深紫外LED灯模组的出光方向平行于U型管的直管段，沿滤网左右方向上每隔两个交叉点设置一个深紫外LED灯模组，沿滤网上下方向上每个交叉点上均设置一个深紫外LED灯模组。该装置减缓了水流速度，同时减低了光损耗，提升了消毒杀菌效果。
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公开(公告)号：CN221729932U
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202323016950.7
申请日：2023-11-08
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型涉及眼镜盒技术领域，尤其为一种深紫外LED杀菌隐形眼镜盒，包括盒体，所述盒体的上部可拆卸安装有两个盒盖，两个所述盒盖的上端均设置有按钮和指示灯；所述盒体包括底座，所述底座的上端一体成型有两个容纳外壳，两个所述容纳外壳内共同可拆卸安装有可拆卸存放主体，两个所述盒盖分别套接在两个容纳外壳的外部。本实用新型所述的一种深紫外LED杀菌隐形眼镜盒，利用深紫外LED消毒灯发出的深紫外线对隐形眼镜快速灭菌，杀菌效率高，且属于物理灭菌，不会产生毒副产物,不会对眼睛造成损害，安全性强，同时方便对可拆卸存放主体进行拆卸更换，操作方便，无需对整个隐形眼镜盒进行更换，降低使用成本，实用性强。
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公开(公告)号：CN221709852U
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202323277046.1
申请日：2023-12-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种具有抗干扰效果的紫外光通信传输设备，涉及通信传输设备领域，包括传输设备本体，所述传输设备本体的顶部固定安装有信号发射台。该一种具有抗干扰效果的紫外光通信传输设备，通过搭载深紫外LED信号发射模块组，发出LED信号进行指令，同时搭载深紫外探测器进行指令接收，设置不同的接口协议完成控制功能，同时所采用的深紫外探测器，通过紫外光通信，是目前一种新型的通信手段，与传统的通信系统相比，有很多优势，日盲紫外线是指波长少于280nm的紫外线，由于大气层的强烈吸收作用，工作在此范围内的光通信系统将不会受白昼和夜晚环境的影响，从而大大提高了通信的抗干扰能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219307440U
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202222924495.X
申请日：2022-11-03
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于深紫外LED和探测器一体化封装器件的消毒灯，包括基架、控制部分和紫外光发射端，所述基架包括底座、一号可调节支架、二号可调节支架、灯罩；所述控制部分包括LCD电容触摸屏、主控板、12V锂电池；所述紫外光发射端包括灯板与若干个深紫外LED灯珠，若干个深紫外LED灯珠分成多组，均通过回流焊方式固定焊接在灯板上，灯板通过在其螺丝孔内加装螺丝固定安装在灯罩的下侧内表面上；该消毒灯采用深紫外LED为光源，并配套设置有深紫外光电探测器，将两者封装在一起，在实现精准计算紫外线累计剂量的同时，一体化的封装结构减小了总体积，在器件层面进一步提高了系统集成度。
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公开(公告)号：CN209626231U
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201920355052.9
申请日：2019-03-20
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/207 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型为一种PIN二极管器件结构。该二极管器件结构包括以下两种：第一种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：P-型欧姆电极、P-型重掺杂半导体传输层、N-型插入层、N-型本征层、N-型重掺杂半导体传输层和N-型欧姆电极；或者，第二种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：N-型欧姆电极、N-型重掺杂半导体传输层、N-型本征层、N-型插入层、P-型重掺杂半导体传输层以及P-型欧姆电极。本实用新型中利用极化效应的PIN二极管器件，生产成本低，制作工艺简单，正向工作性能好，实现了低于未利用化效应PIN器件106的漏电流，且击穿电压也由348V增加到747V，反向性能得到了极大提升。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208444854U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201820959632.4
申请日：2018-06-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型是一种低阻LED的芯片外延结构。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N-型半导体材料层、多量子阱层、P-型半导体材料层、电流扩展层和P-型欧姆电极；其中，电流扩展层和N极欧姆接触层中分别嵌有绝缘层；所述的外延结构还包括N极欧姆接触层和N-型欧姆电极；N极欧姆接触层位于部分N-型半导体材料层之上；N-型欧姆电极位于N极欧姆接触层之上。本实用新型制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步减小欧姆接触电阻的基础上，也一定程度上增加了载流子的注入效率，实现性能的大幅改善。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210628719U
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201921112061.1
申请日：2019-07-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型为一种具有高介电常数电流限制孔的VCSEL器件。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR和N-型半导体传输层；其中，N-型半导体传输层分为两部分，下层完全覆盖氮化物外延DBR；所述的N-型半导体传输层的上层依次为多量子阱层、P-型电流阻挡层、P-型半导体传输层；P-型重掺杂半导体传输层；P-型重掺杂半导体传输层上表面的外侧为环形的高介电常数绝缘层，其材质为非掺杂的HfO2或Ta2O5。本实用新型中的具有高介电常数电流限制孔的器件相较于隧穿结的器件的制作，会降低近40％的工艺时间，发光阈值大约会降低0.5mA,并且在80mA下的输出功率，相较于常规器件提高了14.3％。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208767327U
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201821678910.5
申请日：2018-10-17
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型为一种具有均匀电极电场分布的发光二极管。该二极管沿着外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、N-型半导体传输层、多量子阱层、P-型半导体传输层、P-型重掺杂半导体传输层、电流扩展层；所述的N-型半导体传输层部分暴露，暴露的N-型半导体传输层上分布有N-型欧姆电极；电流扩展层上分布有绝缘体层，绝缘体层上覆盖有P-型欧姆电极；所述的绝缘层上图形化分布有大小相同的孔洞；所述的P-型欧姆电极分为两部分，下部分布有与绝缘层上的孔洞匹配的柱状图形化电极，上部为整体层状结构，覆盖在绝缘层上。本实用新型的结构改善了电极电场分布，并解决了电极电场分布均匀之后进而改善电流拥挤问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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