公开(公告)号：CN111326632B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202010154518.6

申请日：2020-03-08

Applicant: 河北工业大学 ,  东旭集团有限公司

Inventor： 张紫辉 ,  杭升 ,  李青 ,  郑权 ,  张勇辉

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明为一种具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro‑LED阵列。该器件包括衬底、芯片单元电极，以及阵列排布的MicroLED器件和具有梯形侧壁场板的SBD；所述的具有梯形侧壁场板的SBD，本征GaN缓冲层具体分为两层，下层厚度为全部本征GaN缓冲层厚度的40～60％，而上层分为两部分，一部分为矩形，另外一部分从外侧边缘向内条状凸起，凸起的横截面为梯形；梯形凸起的本征GaN缓冲层的外侧的两个梯形斜面上生长侧壁绝缘层，梯形凸起的上表面上覆盖有肖特基接触电极；具有梯形侧壁场板的SBD的数量为四个，位于阵列的四角。本发明大大提高了芯片利用效率和可靠性，减少芯片制造成本。

公开(公告)号：CN111326632A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010154518.6

申请日：2020-03-08

Applicant: 河北工业大学 ,  东旭集团有限公司

Inventor： 张紫辉 ,  杭升 ,  李青 ,  郑权 ,  张勇辉

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明为一种具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro-LED阵列。该器件包括衬底、芯片单元电极，以及阵列排布的MicroLED器件和具有梯形侧壁场板的SBD；所述的具有梯形侧壁场板的SBD，本征GaN缓冲层具体分为两层，下层厚度为全部本征GaN缓冲层厚度的40～60％，而上层分为两部分，一部分为矩形，另外一部分从外侧边缘向内条状凸起，凸起的横截面为梯形；梯形凸起的本征GaN缓冲层的外侧的两个梯形斜面上生长侧壁绝缘层，梯形凸起的上表面上覆盖有肖特基接触电极；具有梯形侧壁场板的SBD的数量为四个，位于阵列的四角。本发明大大提高了芯片利用效率和可靠性，减少芯片制造成本。

公开(公告)号：CN113594329A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110863744.6

申请日：2021-07-29

Applicant: 河北工业大学 ,  东旭集团有限公司

Inventor： 张紫辉 ,  张沐垚 ,  李青 ,  张勇辉 ,  杭升 ,  郑权

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/14 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明为一种抑制SRH非辐射复合的MicroLED器件及制备方法。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、第一N‑型半导体材料层和第二N‑型半导体材料层；第二N‑型半导体材料层上依次覆盖有多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体材料传输层；每个P‑型半导体材料传输层的中心覆盖有P‑型重掺杂半导体材料传输层；P‑型半导体材料传输层上的非P‑型重掺杂半导体材料传输层区域，覆盖有绝缘限制层，绝缘限制层和半导体材料传输层的上表面，为电流扩展层。本发明可实现更好的电流限制作用，降低MicroLED器件侧壁缺陷引起的SRH非辐射复合，提高器件的空穴注入效率和外量子效率(EQE)。

公开(公告)号：CN110277732A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910640780.9

申请日：2019-07-16

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张勇辉 ,  杭升 ,  张紫辉

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187

Abstract: 本发明为一种具有高介电常数电流限制孔的VCSEL器件及其制备方法。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR和N-型半导体传输层；其中，N-型半导体传输层分为两部分，下层完全覆盖氮化物外延DBR；所述的N-型半导体传输层的上层依次为多量子阱层、P-型电流阻挡层、P-型半导体传输层；P-型重掺杂半导体传输层；P-型重掺杂半导体传输层上表面的外侧为环形的高介电常数绝缘层，其材质为非掺杂的HfO2或Ta2O5。本发明中的具有高介电常数电流限制孔的器件相较于隧穿结的器件的制作，会降低近40％的工艺时间，发光阈值大约会降低0.5mA,并且在80mA下的输出功率，相较于常规器件提高了14.3％。

公开(公告)号：CN210628719U

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201921112061.1

申请日：2019-07-16

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张勇辉 ,  杭升 ,  张紫辉

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187

Abstract: 本实用新型为一种具有高介电常数电流限制孔的VCSEL器件。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR和N-型半导体传输层；其中，N-型半导体传输层分为两部分，下层完全覆盖氮化物外延DBR；所述的N-型半导体传输层的上层依次为多量子阱层、P-型电流阻挡层、P-型半导体传输层；P-型重掺杂半导体传输层；P-型重掺杂半导体传输层上表面的外侧为环形的高介电常数绝缘层，其材质为非掺杂的HfO2或Ta2O5。本实用新型中的具有高介电常数电流限制孔的器件相较于隧穿结的器件的制作，会降低近40％的工艺时间，发光阈值大约会降低0.5mA,并且在80mA下的输出功率，相较于常规器件提高了14.3％。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利