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公开(公告)号：CN110165012A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910574152.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0236
Abstract: 本发明为一种具有弧形增透作用的光电探测器结构及其制备方法。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、P型重掺杂材料层、N型轻掺杂材料层、N型过渡材料层、N型轻掺杂材料层、N型重掺杂材料层和N型欧姆电极；P型欧姆电极位于N型轻掺杂材料层外侧的P型重掺杂材料层上；其中，N型欧姆电极为圆环状，位于N型重掺杂材料层的外缘，其中间显露的N型重掺杂材料层为光敏区，厚度为0.1～1μm，所述的光敏区的上表面含有弧形结构，所述的弧形结构为弧形、叠弧形或凹凸形。本发明制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步增强透光率的同时，也会使入射到器件内部的光分布的更加均匀，降低器件自热效应，改善量子效率。
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公开(公告)号：CN108538982A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810645931.5
申请日：2018-06-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明是一种低阻LED的芯片外延结构及其制备方法。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N-型半导体材料层、多量子阱层、P-型半导体材料层、电流扩展层和P-型欧姆电极；其中，电流扩展层和N极欧姆接触层中分别嵌有绝缘层；所述的外延结构还包括N极欧姆接触层和N-型欧姆电极；N极欧姆接触层位于部分N-型半导体材料层之上；N-型欧姆电极位于N极欧姆接触层之上。本发明制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步减小欧姆接触电阻的基础上，也一定程度上增加了载流子的注入效率，实现性能的大幅改善。
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公开(公告)号：CN209880636U
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201920993742.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 河北工业大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/0236
Abstract: 本实用新型为一种具有弧形增透作用的光电探测器结构。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、P型重掺杂材料层、N型轻掺杂材料层、N型过渡材料层、N型轻掺杂材料层、N型重掺杂材料层和N型欧姆电极；P型欧姆电极位于N型轻掺杂材料层外侧的P型重掺杂材料层上；其中，N型欧姆电极为圆环状，位于N型重掺杂材料层的外缘，其中间显露的N型重掺杂材料层为光敏区，厚度为0.1～1μm，所述的光敏区的上表面含有弧形结构，所述的弧形结构为弧形、叠弧形或凹凸形。本实用新型制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步增强透光率的同时，降低器件自热效应，改善量子效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208444854U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201820959632.4
申请日：2018-06-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型是一种低阻LED的芯片外延结构。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N-型半导体材料层、多量子阱层、P-型半导体材料层、电流扩展层和P-型欧姆电极；其中，电流扩展层和N极欧姆接触层中分别嵌有绝缘层；所述的外延结构还包括N极欧姆接触层和N-型欧姆电极；N极欧姆接触层位于部分N-型半导体材料层之上；N-型欧姆电极位于N极欧姆接触层之上。本实用新型制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步减小欧姆接触电阻的基础上，也一定程度上增加了载流子的注入效率，实现性能的大幅改善。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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