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公开(公告)号：CN108574033A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810734433.8
申请日：2018-07-06
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有场板结构的发光二极管器件及其制备方法，该器件主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N-型半导体传输层、多量子阱层、P-型电流阻挡层、P-型半导体传输层、P-型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P-型欧姆电极；所述的N-型半导体传输层部分暴露，暴露的N-型半导体传输层上分布有N-型欧姆电极；其中，场板结构层位于P-型重掺杂半导体传输层和电流扩展层之间，并嵌于电流扩展层；所使用的绝缘体材料为非掺杂的SiO2、Al2O3、Si3N4、AlN、LiF、金刚石或PMMA。本发明中具有场板结构的发光二极管器件，制作工艺简单，易于操作，可重复性强，生产成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109148662A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811206247.3
申请日：2018-10-17
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/007 , H01L33/38
Abstract: 本发明为一种具有均匀电极电场分布的发光二极管及其制备方法。该二极管沿着外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流扩展层；所述的N‑型半导体传输层部分暴露，暴露的N‑型半导体传输层上分布有N‑型欧姆电极；电流扩展层上分布有绝缘体层，绝缘体层上覆盖有P‑型欧姆电极；所述的绝缘层上图形化分布有大小相同的孔洞；所述的P‑型欧姆电极分为两部分，下部分布有与绝缘层上的孔洞匹配的柱状图形化电极，上部为整体层状结构，覆盖在绝缘层上。本发明的结构改善了电极电场分布，并解决了电极电场分布均匀之后进而改善电流拥挤问题。
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公开(公告)号：CN113345989B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110602777.5
申请日：2021-05-31
Abstract: 本发明为一种面向紫外通讯的Micro紫外发光二极管芯片。该二极管芯片沿着外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、n型电子注入层，所述的n型电子注入层为二级台阶结构，第二级台阶沿外延生长方向依次为多量子阱层、p型电子阻挡层、第一p型空穴注入层；所述的第一p型空穴注入层为另一个二级台阶结构，其第二级台阶上沿外延生长方向依次为p型空穴加速层、第二p型空穴注入层、p型重掺杂空穴注入层、电流扩展层；电流扩展层上设置有p型欧姆电极，n型电子注入层的暴露部分上设置有n型欧姆电极。本发明提升了器件的光效和器件的响应速度，满足了高速数据传输的需要。
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公开(公告)号：CN113345989A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110602777.5
申请日：2021-05-31
Abstract: 本发明为一种面向紫外通讯的Micro紫外发光二极管芯片。该二极管芯片沿着外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、n型电子注入层，所述的n型电子注入层为二级台阶结构，第二级台阶沿外延生长方向依次为多量子阱层、p型电子阻挡层、第一p型空穴注入层；所述的第一p型空穴注入层为另一个二级台阶结构，其第二级台阶上沿外延生长方向依次为p型空穴加速层、第二p型空穴注入层、p型重掺杂空穴注入层、电流扩展层；电流扩展层上设置有p型欧姆电极，n型电子注入层的暴露部分上设置有n型欧姆电极。本发明提升了器件的光效和器件的响应速度，满足了高速数据传输的需要。
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公开(公告)号：CN208767327U
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201821678910.5
申请日：2018-10-17
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型为一种具有均匀电极电场分布的发光二极管。该二极管沿着外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、N-型半导体传输层、多量子阱层、P-型半导体传输层、P-型重掺杂半导体传输层、电流扩展层；所述的N-型半导体传输层部分暴露，暴露的N-型半导体传输层上分布有N-型欧姆电极；电流扩展层上分布有绝缘体层，绝缘体层上覆盖有P-型欧姆电极；所述的绝缘层上图形化分布有大小相同的孔洞；所述的P-型欧姆电极分为两部分，下部分布有与绝缘层上的孔洞匹配的柱状图形化电极，上部为整体层状结构，覆盖在绝缘层上。本实用新型的结构改善了电极电场分布，并解决了电极电场分布均匀之后进而改善电流拥挤问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208444856U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201821064984.X
申请日：2018-07-06
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型为一种具有场板结构的发光二极管器件。该器件主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N-型半导体传输层、多量子阱层、P-型电流阻挡层、P-型半导体传输层、P-型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P-型欧姆电极；所述的N-型半导体传输层部分暴露，暴露的N-型半导体传输层上分布有N-型欧姆电极；其中，场板结构层位于P-型重掺杂半导体传输层和电流扩展层之间，并嵌于电流扩展层；所使用的绝缘体材料为非掺杂的SiO2、Al2O3、Si3N4、AlN、LiF、金刚石或PMMA。本实用新型中具有场板结构的发光二极管器件，制作工艺简单，易于操作，可重复性强，生产成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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