公开(公告)号：CN109817728B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201910212187.4

申请日：2019-03-20

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  侯旭 ,  张勇辉

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/207 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明为一种PIN二极管器件结构及其制备方法。该二极管器件结构包括以下两种：第一种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：P‑型欧姆电极、P‑型重掺杂半导体传输层、N‑型插入层、N‑型本征层、N‑型重掺杂半导体传输层和N‑型欧姆电极；或者，第二种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：N‑型欧姆电极、N‑型重掺杂半导体传输层、N‑型本征层、N‑型插入层、P‑型重掺杂半导体传输层以及P‑型欧姆电极。本发明中利用极化效应的PIN二极管器件，生产成本低，制作工艺简单，正向工作性能好，实现了低于未利用化效应PIN器件106的漏电流，且击穿电压也由348V增加到747V，反向性能得到了极大提升。

公开(公告)号：CN109817728A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910212187.4

申请日：2019-03-20

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  侯旭 ,  张勇辉

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/207 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明为一种PIN二极管器件结构及其制备方法。该二极管器件结构包括以下两种：第一种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：P-型欧姆电极、P-型重掺杂半导体传输层、N-型插入层、N-型本征层、N-型重掺杂半导体传输层和N-型欧姆电极；或者，第二种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：N-型欧姆电极、N-型重掺杂半导体传输层、N-型本征层、N-型插入层、P-型重掺杂半导体传输层以及P-型欧姆电极。本发明中利用极化效应的PIN二极管器件，生产成本低，制作工艺简单，正向工作性能好，实现了低于未利用化效应PIN器件106的漏电流，且击穿电压也由348V增加到747V，反向性能得到了极大提升。

公开(公告)号：CN209626231U

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201920355052.9

申请日：2019-03-20

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  侯旭 ,  张勇辉

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/207 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型为一种PIN二极管器件结构。该二极管器件结构包括以下两种：第一种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：P-型欧姆电极、P-型重掺杂半导体传输层、N-型插入层、N-型本征层、N-型重掺杂半导体传输层和N-型欧姆电极；或者，第二种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：N-型欧姆电极、N-型重掺杂半导体传输层、N-型本征层、N-型插入层、P-型重掺杂半导体传输层以及P-型欧姆电极。本实用新型中利用极化效应的PIN二极管器件，生产成本低，制作工艺简单，正向工作性能好，实现了低于未利用化效应PIN器件106的漏电流，且击穿电压也由348V增加到747V，反向性能得到了极大提升。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利