柔性传感器的制造方法

    公开(公告)号:CN109119531A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201810917285.3

    申请日:2018-08-13

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明提供了一种柔性传感器的制造方法,该方法能够促使刻蚀顺利进行,并显著提高柔性传感器剥落的成功率。本发明涉及的柔性传感器的制造方法,特征在于,包括以下步骤:步骤1.在硅衬底上涂光刻胶,进行光刻,对硅衬底进行刻蚀,产生形成有多个支撑柱的凸台;步骤2.在凸台上沉积二氧化硅薄膜层;步骤3.依次沉积或覆盖制造传感器的各层材料;步骤4.通入二氧化硅刻蚀剂对二氧化硅薄膜层进行刻蚀;步骤5.将传感器剥落。

Patent Agency Ranking