-
公开(公告)号：CN118197923B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410623584.1
申请日：2024-05-20
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。沟槽栅碳化硅MOSFET由于沟槽栅氧底部拐角的界面电场集中，以及栅氧的高界面态，导致器件在运行过程中栅氧层易产生击穿失效，大幅影响着器件的使用可靠性。本发明在沟槽栅氧底部设有一层浓度较浅的N‑区，这层浅N‑区完全将沟槽底部包裹，帮助PN结在沟槽栅氧底部进行耗尽，避免了电场集中，从而降低了器件沟槽栅氧的击穿失效概率，提高器件可靠性。根据仿真验证，本发明结构将原本聚集于沟槽栅氧底部拐角的电场转移到了浅N‑区，最大场强数值也降低了近60%。
-
公开(公告)号：CN112582263B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910940896.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01J37/32
Abstract: 一种点状残留改善方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种点状残留改善方法。提供了一种操作方便，可有效避免氧化层或颗粒影响的晶片刻蚀残留方法。本发明中晶圆传送到位后，Gap调整稳定至0.9cm；腔体内压力保持在650mt，通过200sccm的CF4，250W功率运行BT步35s，刻蚀Wafer表面自然氧化层；在保证BT Step刻蚀速率的前提下，调整BT Step Gap（穿通刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）与ME Step Gap（主刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）一致，避免上电极往下运动过程中在Wafer（硅片）表面引入缺陷，从而改善Poly（多晶硅）点状残留，提高产品良率。
-
公开(公告)号：CN117914253A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410281837.1
申请日：2024-03-13
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
Abstract: 一种高效散热光伏接线盒，涉及光伏组件技术领域。包括盒体、盒盖和二极管模块，所述盒盖用于连接在盒体的顶部开口处，所述二极管模块位于盒体内，所述二极管模块包括框架、芯片和跳线，所述芯片设在框架上，所述跳线用于连接芯片和引脚；还包括导热模块和散热模块，所述导热模块设在盒体内、且位于二极管模块的上方，所述导热模块用于连接二极管模块，本发明在工作中，将导热模块连接在二极管模块上，其中，导热模块包括上散热块、下散热块和若干散热柱，通过导热模块进行导热作用，提高产品的可靠性和使用寿命。同时，通过散热模块动作，将接线盒内的温度通过散热通道与外部交换，进行降温，散热可靠。
-
公开(公告)号：CN107946219B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201711303649.0
申请日：2017-12-11
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于贴片二极管组焊的一体化生产设备。涉及半导体加工设备领域。提出了一种结构精巧、使用方便且稳定性好，使用后可有效代替人工进行自动化、连续化的生产加工的用于贴片二极管组焊的一体化生产设备。所述贴片二极管包括框架、芯片和跳线，所述芯片底面通过芯片助焊膏、下焊片和下助焊膏焊接在框架上，所述跳线的一端的底面通过上焊片和上助焊膏焊接在芯片的顶面上、且所述跳线的另一端的底面通过跳线助焊膏焊接在框架上；本发明从整体上具有结构精巧、使用方便、稳定性好、自动化程度高且连续加工效果好的优点。
-
公开(公告)号：CN107895707B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201711364797.3
申请日：2017-12-18
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种激光打标系统及其工作方法。涉及芯片的打标工艺，打标时不需要切断工艺连接条，打标效率高且人工工作强度低。包括一对机架，一对机架之间设有一对旋向相反的传送带，一对传送带分别由不同的步进电机带动，一对传送带之间放置芯片，芯片有传送带带动，一对所述机架之间顺次设有检测机构、分拣机构和打标机构，芯片通过传送带传送依次经过检测机构、分拣机构和激光打标机构，步进电机、检测机构、分拣机构和激光打标机构分别连接控制器。检测到不良品时，打标器在不良品上印记，不良品能够被分拣出来。气动剪刀将不良品芯片的引脚部分剪断。不需要人工进行打标，降低了工作强度，在打标过程中打标机构不停机，提高了打标的效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117348363A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311318345.7
申请日：2023-10-12
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
Abstract: 一种光刻机版图对位标记方法。涉及半导体加工技术。包括以下步骤：步骤100，佳能步进式光刻机用光刻版的对位标记设计步骤，在十字街区放置对位图形一，作为套准图形;放置对位图形二，作为识别的唯一标记；步骤200，按扫描式光刻机的光刻版上的对位标记设计步骤，在十字街区放置对位图形三，作为对位图形一的套准图形；步骤300，产品流片，使用步进式光刻机作业前层图形，经过刻蚀后，在晶圆表面形成器件沟槽和对位图形一和二；步骤400，将对位标记三同晶圆上的对位标记进行套准。本发明便于作业员的操作，以及实现产品套准偏移量的精准控制，提高作业效率、增加机台的有效利用率、提升产品良率。
-
公开(公告)号：CN117339874A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311627178.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及杂质全自动筛选装置技术领域，具体半导体产品高效筛选成套设备，入料盒，所述入料盒一侧固定连接有支撑板，所述支撑板一侧插接有传送机构，所述外壳一侧开设有入料口，所述外壳内部固定连接有筛选机构,出料口，所述出料口底部插接有接料机构，通过电机、转轴、齿轮、履带、带动轮、带动柱、传送轮、传送带的设置，使用时，工作人员打开设备，同时电机转动带动转轴的转动，转轴的转动带动齿轮的转动，齿轮的转动带动履带的转动，履带的转动带动带动轮的转动，带动轮的转动带动带动柱的转动，带动柱的转动带动传送轮的转动，传送轮带动传送带的转动，从而达到了运送芯片料的目的，避免了人工加料同时也提高了工作的效率。
-
公开(公告)号：CN117317017A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311405655.2
申请日：2023-10-27
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层；所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一；相邻所述PW区之间设有源级处沟槽，所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二；所述碳化硅漂移层顶面的端部和中部分别设有从下而上依次设置的栅氧层、Poly层和隔离层；所述隔离层从侧部向下延伸与NP区连接；本发明通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管，使得体二极管导通从N型漂移层开始，提高了体二极管的导通能力，并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延，从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。
-
公开(公告)号：CN117316984A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311405650.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底、碳化硅外延层和N型注入区；所述N型注入区的顶面设有伸入碳化硅外延层的终端沟槽和若干间隔设置的源区沟槽；所述源区沟槽的槽底设有向下延伸的P型注入区；所述终端沟槽的顶面设有伸入碳化硅外延层的P型主结和若干间隔设置的P型分压环；所述碳化硅外延层上设有覆盖P型主和若干P型分压环的场氧层；本发明在不增加单颗芯片面积和工艺复杂程度的基础上，进一步降低了器件的正向导通压降。
-
公开(公告)号：CN117316983A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311405648.2
申请日：2023-10-27
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法。涉及功率半导体技术领域。包括以下步骤：步骤001，提供一种N型重掺杂类型的衬底，即为N+型SiC半导体衬底，掺杂浓度为360~400um，掺杂浓度为1e19 cm‑2；N+型衬底具有两个表面，分为正面与背面，在正面形成一层N型缓冲层，厚度为0.8~1um，掺杂浓度为1e18 cm‑2；在N型缓冲层覆盖N型轻掺杂类型的漂移层1e16 cm‑2，,即为背面形成金属电极层N‑型漂移层，厚度为；步骤5~15um002，，在漂移层的表面通掺杂浓度为5e15~过光刻掩膜，进行P型掺杂形成P‑Well阱区；本发明制作工艺简单，效果显著，可以应用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
745
records
(took 0.083 seconds)
