一种基于聚合降阶的集成电路热分析方法

    公开(公告)号:CN106886621A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201510947299.6

    申请日:2015-12-16

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 杨帆 曾璇

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,涉及一种基于聚合降阶的集成电路热分析方法。所述方法包括:通过有限差分等方法构造热分析系统;将热阻矩阵表示为无向图形式;对热阻矩阵的无向图进行谱分析,获得节点的划分;根据子集划分,将同一集合中的节点进行粗粒化,得到降阶系统。本方法可以处理大规模的热分析系统,同时该方法不依赖于系统的热输入,得到的降阶系统对不同的输入均可以适用;降阶系统还能够保持原系统的拓扑结构、无源性和稳定性等特性。

    基于基追踪去噪的向量匹配方法

    公开(公告)号:CN106886508A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201510953220.0

    申请日:2015-12-16

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 杨帆 曾璇 宇哲伦

    CPC classification number: G16Z99/00

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种带噪声的传递函数拟合的基于基追踪去噪的向量匹配方法。所述方法包括:通过测量或模拟获得M个频率数据样本;通过基追踪方法获得拟合有理函数的极点;通过基追踪方法获得拟合有理函数的零点。本方法可以从含噪声的频率响应中以更高的收敛性得到更加精确的传递函数拟合结果。

    用于带后硅可调寄存器电路的统计时序分析方法

    公开(公告)号:CN105677932A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201410663517.9

    申请日:2014-11-19

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种用于带后硅可调寄存器电路的统计时序分析方法。所述方法包括:主元压缩得到N个独立随机变量;生成稀疏网格配置点;计算每个配置点的最小时钟周期;计算最小时钟周期广义多项式混沌展开系数;计算带后硅可调寄存器电路的良率。本方法可行性高,能够在获得和现有方法相比拟的精度情况下,显著减少程序运行时间,可用于解决较大规模带后硅可调寄存器电路的统计时序分析问题。

    一种电路版图后仿真阶段的快速波形预测方法

    公开(公告)号:CN105608237A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201410663640.0

    申请日:2014-11-19

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本方法属于集成电路领域,涉及一种电路版图后仿真阶段的快速波形预测方法。该方法基于版图前后仿真波形具有极强相关性的事实,首先根据电路全部版图前仿真波形和一小段时间的版图后仿真波形,借助“系统辨识”的技术建立数学模型描述版图前、后仿真的关系,然后将前仿真的波形作为系统输入,通过系统的输出预测全部后仿真波形。应用本发明的方法,可以充分利用版图前、后仿真波形的极强相关性,仅使用版图前仿真波形和一小段时间的版图后仿波形预测全部的后仿波形,极大缩短了获得电路后仿波形所需的时间,并且提供相应检验方法保证预测波形具有较强的可靠性。

    用于集成电路设计的分布式并行最小代价流方法及装置

    公开(公告)号:CN102467586B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201010535297.3

    申请日:2010-11-08

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路领域,涉及一种用于集成电路设计的分布式并行最小代价流方法及装置。本发明的方法为每个处理器维持一个任务队列进行分布式的调度,能够有效减小任务队列访问冲突,在更多处理器核的情况下,能够得到更好的加速比。应用本发明方法的装置包括输入单元、输出单元、程序存储单元、外部总线、内存、存储管理单元、输入输出桥接单元、系统总线和多核处理器。本发明的分布式并行最小代价流方法相比中央队列调度的并行最小代价流方法可以获得更高的加速比。本发明可应用于求解一大类集成电路设计自动化问题的多核并行实现。

    一种结合边界积分方程方法和随机法的平面边界面电荷密度提取方法

    公开(公告)号:CN104376135A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201310354674.7

    申请日:2013-08-14

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 严昌浩 曾璇 蔡伟

    Abstract: 本发明属集成电路计算机辅助设计/电子设计自动化领域,具体涉及集成电路寄生参数提取方向中一种结合边界积分方程和随机法的互连线或介质平面边界上面电荷密度提取方法。该方法中,以边界上待求点为球心构造一个半球体,与区域边界相交为一个平面圆盘,将待求点处的面电荷密度转化为由半球面和平面圆盘构成的封闭曲面上的积分。本方法为局部性解法,可提取局部边界上的面电荷密度,而无需对互连线和介质边界表面进行离散;并具有随机法天然并行性的优势,易于实现大规模并行计算。

    基于网格和多维树混合结构的表格查找方法

    公开(公告)号:CN104376026A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201310360585.3

    申请日:2013-08-18

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 曾璇 杨帆 谢敏

    CPC classification number: G06F17/5009 G06F17/5068

    Abstract: 本方法属于集成电路领域,涉及一种基于网格和多维树混合结构的表格查找方法。本方法中,首先对定义域平面进行均匀网格划分,然后将待求坐标点定位到某网格位置中,再在该网格位置构建多维树(kd-tree)的数据结构,进一步细分定义域平面,定位到更为精确的坐标范围,最后利用双线性插值法求得待求坐标点的函数值。本方法具有较快的查找定位速度,得到的结果较为精确,测试表明本混合结构的表格查找模型比单一结构的表格查找模型具有更精确的结果,以及更快速的查找计算时间。在模拟电路的小信号分析仿真阶段具有较好的应用价值。

    一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法

    公开(公告)号:CN102402635B

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201010286461.1

    申请日:2010-09-19

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域,涉及一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法。本方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题,然后用完全多项式时间近似法求解所述问题。本发明能保证最终结果的最优性,在满足给定金属密度约束的前提下,最终获得的哑元金属带来的耦合电容增加量不超过最小增加量的倍。本方法解决了以往方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题,可以应用于解决大规模版图哑元填充问题。

    一种基于时域梯形法差分的互连线模型降阶方法

    公开(公告)号:CN102915385A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201110221499.5

    申请日:2011-08-03

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 曾璇 杨帆 侯丽敏

    Abstract: 本发明属集成电路领域,涉及一种基于时域梯形法差分的互连线模型降阶方法。该方法包括:在读取互连线电路的特性数据并利用改进节点电压法建立对应的时域方程后;用梯形法对互连线电路时域方程离散得非齐次递推关系;用非齐次Arnoldi算法构造投影矩阵,再用投影矩对互连线电路的时域方程进行合同变换得降阶系统;最后用梯形法对降阶系统离散求得时域输出。本发明能保证时域梯形法差分后降阶系统和原始系统的状态变量的匹配,保证时域降阶精度,和降阶过程的数值稳定性及降阶系统的无源性。比现有时域模型降阶方法计算复杂度极大降低,比频域降阶方法在时域具有更高的精度。

    非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法

    公开(公告)号:CN102194017B

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201010117126.9

    申请日:2010-03-03

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 曾璇 杨帆 潘晓达

    Abstract: 本发明属集成电路领域,涉及一种集成电路非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法。该方法通过建立非线性电路的晶体管级分段线性模型,通过加权方法从所有晶体管的分段线性模型得到整个电路的模型,在此基础上对晶体管级分段线性模型进行降阶。本发明解决了现有技术基于“轨迹”的分段线性非线性模型降阶所存在的空间覆盖率小的问题,显著提高轨迹分段线性方法在高维状态空间的覆盖率。如使用完整的晶体管分段线性模型,获得的分段线性模型可以完整地覆盖所有的状态空间而不依赖于“训练”信号。

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