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公开(公告)号：CN105677932A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410663517.9
申请日：2014-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于带后硅可调寄存器电路的统计时序分析方法。所述方法包括：主元压缩得到N个独立随机变量；生成稀疏网格配置点；计算每个配置点的最小时钟周期；计算最小时钟周期广义多项式混沌展开系数；计算带后硅可调寄存器电路的良率。本方法可行性高，能够在获得和现有方法相比拟的精度情况下，显著减少程序运行时间，可用于解决较大规模带后硅可调寄存器电路的统计时序分析问题。
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公开(公告)号：CN103544332A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210246483.4
申请日：2012-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体可制造性设计领域中针对铜互连哑元金属填充的技术，具体涉及一种考虑密度梯度约束的哑元综合优化求解方法。本发明方法在哑元综合过程中同时施加密度上下限约束和密度梯度约束，并且最小化哑元插入数量。本发明方法比较完整地考虑了哑元填充对化学机械抛光、光刻等工艺偏差的抑制作用。本发明方法基于覆盖线性规划、热点聚类分组及线性规划局部求解方法求解考虑梯度约束的哑元综合问题，将问题的时间复杂度降低为O(n2logn)，和已有方法相比较好地实现了计算精度和执行效率的折中，为大规模哑元综合问题的求解提供了可行方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103544332B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201210246483.4
申请日：2012-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体可制造性设计领域中针对铜互连哑元金属填充的技术，具体涉及一种考虑密度梯度约束的哑元综合优化求解方法。本发明方法在哑元综合过程中同时施加密度上下限约束和密度梯度约束，并且最小化哑元插入数量。本发明方法比较完整地考虑了哑元填充对化学机械抛光、光刻等工艺偏差的抑制作用。本发明方法基于覆盖线性规划、热点聚类分组及线性规划局部求解方法求解考虑梯度约束的哑元综合问题，将问题的时间复杂度降低为O(n2logn)，和已有方法相比较好地实现了计算精度和执行效率的折中，为大规模哑元综合问题的求解提供了可行方法。
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公开(公告)号：CN103678359B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210337621.X
申请日：2012-09-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种在相关波形图像查看方面提高显示速度，同时保证显示精度，节省内存消耗的方法。本发明所述方法按照用户显示需要读取波形数据到内存，如果消耗内存超出规定值，将已读入的当前不活动的波形数据调出内存，写入硬盘，保证了波形数据存储所需存储空间不会过大。同时，按照用户所需显示波形范围，获取原始波形数据，根据显示密度要求，对原始波形数据进行插值，并同时检测和保留峰值点，保持波形显示的高精度。
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公开(公告)号：CN103544331B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210246285.8
申请日：2012-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体可制造性设计领域，针对铜互连哑元金属填充的技术，具体涉及一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法。本发明方法通过全芯片CMP仿真得到CMP抛光后的芯片表面高度形貌，并得到高度变化剧烈的有效热点区域；在有效热点区域迭代地进行步进式哑元填充和局部区域快速CMP仿真逐步消除热点；最终通过全芯片CMP仿真确定无有效热点为止。与基于规则的哑元综合方法相比，本发明可确保哑元填充后的版图其CMP抛光后的高度偏差在给定的偏差门限内，且哑元填充量较少。实验表明，在相同填充量下，本发明所述的两种哑元填充方法SMDF和FMF得到的高度形貌均方差比密度驱动的哑元填充方法平均小约58％，具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN103678359A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210337621.X
申请日：2012-09-12
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G06T3/4007
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种在相关波形图像查看方面提高显示速度，同时保证显示精度，节省内存消耗的方法。本发明所述方法按照用户显示需要读取波形数据到内存，如果消耗内存超出规定值，将已读入的当前不活动的波形数据调出内存，写入硬盘，保证了波形数据存储所需存储空间不会过大。同时，按照用户所需显示波形范围，获取原始波形数据，根据显示密度要求，对原始波形数据进行插值，并同时检测和保留峰值点，保持波形显示的高精度。
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公开(公告)号：CN103544331A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210246285.8
申请日：2012-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体可制造性设计领域，针对铜互连哑元金属填充的技术，具体涉及一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法。本发明方法通过全芯片CMP仿真得到CMP抛光后的芯片表面高度形貌，并得到高度变化剧烈的有效热点区域；在有效热点区域迭代地进行步进式哑元填充和局部区域快速CMP仿真逐步消除热点；最终通过全芯片CMP仿真确定无有效热点为止。与基于规则的哑元综合方法相比，本发明可确保哑元填充后的版图其CMP抛光后的高度偏差在给定的偏差门限内，且哑元填充量较少。实验表明，在相同填充量下，本发明所述的两种哑元填充方法SMDF和FMF得到的高度形貌均方差比密度驱动的哑元填充方法平均小约58％，具有明显的优势。
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