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公开(公告)号：CN101607248A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910072484.X
申请日：2009-07-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D7/24 , B05D1/36 , B05D3/02 , C04B35/462 , C04B35/472 , B32B9/00
Abstract: 一种高铁电性能复合钛酸铅基铁电薄膜的制备方法，它涉及一种钛酸铅基铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的钛酸铅基薄膜在晶化过程中易与电极发生互扩散，在界面处产生缺陷，从而导致铁电性能下降的问题。制备方法：一、在基底上沉积钛酸铅镧钙系铁电薄膜；二、在钛酸铅镧钙系铁电薄膜上沉积钛酸铅系铁电薄膜，然后进行热处理，即得高铁电性能复合钛酸铅基铁电薄膜。本发明制备过程中基底中间界面层生成了非连续的岛状结构，这种非连续结构的生成增加了钛酸铅基铁电薄膜的形核质点，使铁电薄膜的极化反转更加容易，极大地提高了铁电性能。本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。
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公开(公告)号：CN100347328C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510127309.8
申请日：2005-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: ZnO涂覆的陶瓷相增强铝基或镁基复合材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷相增强铝基或镁基复合材料及其制备方法。它解决了现有复合材料中陶瓷相和基体的浸润性差，界面结合强度低，影响复合材料力学性能的问题。ZnO涂覆的陶瓷相增强铝基或镁基复合材料由ZnO、陶瓷相和铝基或镁基三种原料制成。其制备方法：(一)将陶瓷相加入ZnO溶胶中；(二)制备ZnO涂覆的陶瓷相；(三)将ZnO涂覆的陶瓷相制成预制块并焙烧；(四)挤压铸造，即得到ZnO涂覆的陶瓷相增强铝基或镁基复合材料。ZnO涂覆到陶瓷相上提高了陶瓷相与基体的浸润性，改善了陶瓷相与基体的界面，使复合材料的力学性能显著提高。
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公开(公告)号：CN1786250A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510127326.1
申请日：2005-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: ZnAl2O4包覆硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料及其制备方法，它涉及一种硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料及其制备方法。它解决了现有复合材料中硼酸铝晶须与基体浸润性差，硼酸铝晶须与基体结合强度不高的问题，而且能够有效阻碍界面反应的发生。ZnAl2O4包覆硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料由ZnO、硼酸铝晶须和铝基或镁基三种原料制成。其制备方法：(一)将硼酸铝晶须加入ZnO溶胶中；(二)制ZnO涂覆的硼酸铝晶须；(三)制备ZnAl2O4包覆的硼酸铝晶须预制块；(四)挤压铸造，即得到ZnAl2O4包覆硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料。ZnO与硼酸铝反应生成的ZnAl2O4包覆到硼酸铝晶须表面，提高了硼酸铝晶须与基体的浸润性和界面结合强度，使复合材料的力学性能显著提高。
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公开(公告)号：CN1226229C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03132477.0
申请日：2003-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/624 , C04B35/185 , C04B35/195 , C04B35/20 , C01B33/20
Abstract: 含铝和/或镁的复合硅酸盐的制备方法，它涉及一种硅酸盐的制备方法。现有固态反应法制备硅酸盐原料成本很高，且对设备的要求高。本发明只含铝和/或镁的硅酸盐及既含铝和/或镁又含碱金属的复合硅酸盐的制备过程为：通过两步溶胶-凝胶法制备湿凝胶，第一步为将甲酸盐溶液与正硅酸乙酯在酸性条件下按所制的硅酸盐化学计量比混合、反应，第二步为将所得物的pH值调节为7～11，即得湿凝胶，通过平板干燥和热处理过程即得。本发明的方法易于控制反应条件，不需要特殊的设备，便于扩大生产规模，适于大批量的生产，同时具有成本低、时间短、纯度较高和污染小的优点。
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公开(公告)号：CN116876109B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311049335.8
申请日：2023-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯复合纤维及其制备方法。所述石墨烯复合纤维制备方法的步骤包括：将氧化石墨烯、小分子碳源和海藻酸钠分散于水中，制备纺丝前驱体溶液；然后通过湿法纺丝得到凝胶纤维，采用的凝固浴为氯化钙乙醇水溶液；将干燥后的凝胶纤维先进行还原处理，再于惰性气氛中进行高温处理。本发明通过对石墨烯纤维的成分设计和分子级结构设计，通过湿法纺丝，获得了米级尺度的石墨烯/小分子碳源复合纤维。本发明创新性地在纤维内部石墨烯片层中引入生物质小分子碳源，获得了跨尺度融合的石墨烯片层‑小分子碳源复合结构，增强了纤维内部石墨烯片层间的相互作用，提高了纤维性能，降低了石墨烯纤维制备工艺难度，改善其可连续纺丝性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117604318A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311536178.3
申请日：2023-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有取向双峰结构的原位自生石墨烯/铜复合材料及其制备方法，属于铜基复合材料技术领域。本发明要解决现有石墨烯增强铜基复合材料强度，塑性和导电性能不协调的问题。本发明以树枝状铜粉和/或球状铜粉，和有机物为主要原料，在热处理和烧结过程中，通过将铜粉表面的有机物转化为石墨烯后限制晶粒长大，保留铜粉表面细小的铜颗粒(凸起晶粒结构)，实现石墨烯对不同粒径铜粉的分隔，然后通过轧制和挤压变形等工艺获得取向双峰结构。本发明可以通过改变石墨烯含量和大小晶粒铜粉的比例调控取向双峰结构中大小晶粒的比例，获得具有高强度、高塑性和高导电性能的石墨烯/铜复合材料。
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公开(公告)号：CN117416950A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311263818.8
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , B82Y40/00 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种超高电磁屏蔽、综合性能优异的石墨烯基宏观材料及其制备方法，属于碳基材料领域。本发明要解决现有以石墨烯粉体为原料难以制备高性能石墨烯宏观材料的技术问题。本发明的方法是将含硼物质与石墨烯按0.001：1到0.3：1的质量比混合均匀，高温烧结。本发明可广泛运用于手机、Wi‑Fi，精密电子，宇航船、卫星等航天设备、雷达和军用通讯设备的电磁屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN114804878B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202210420330.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种基于燃烧合成石墨烯的高强碳基材料及制备方法，属于碳基材料领域。本发明要解决现有碳基材料制备工艺复杂、材料力学性能不佳的问题。本发明以高温自蔓延燃烧合成法制备的石墨烯或掺杂石墨烯为原料，经高温烧结制备各向同性高强碳基材料。本发明方法操作较简单，易于进行批量化生产，制备的碳基材料兼具高强、导电、导热、轻质等优势，可用作核石墨、电火花加工用工具电极以及火箭技术用结构材料、超高功率电极、高导热散热构件、高性能坩埚、高温高性能模具等。
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公开(公告)号：CN115312610A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210963862.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜及其制备方法，涉及电源设备技术领域。所述带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜材料的化学通式为：Zn0.92‑xCux(Fe0.04Li0.04)O；其中x＝0～0.07。本发明提供一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜(ZCFLO薄膜材料)，薄膜的光伏性能得到大幅度提高。最佳掺杂含量的薄膜经过电场极化后的填充因子为83.4％，光电转换效率为14.4％，禁带宽度降低至1.93eV，具有优异的光伏性能。
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公开(公告)号：CN114645149A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210281406.6
申请日：2022-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C1/05 , B22F3/14 , B22F3/18 , C01B32/184 , C22C9/00 , H01B1/02 , H01B13/00 , B22F1/102 , B22F1/17 , B22F1/142
Abstract: 本发明公开了一种具有复合界面结构的原位自生石墨烯/铜复合材料的制备方法，涉及复合材料领域。该制备方法包括以下步骤：将原料铜在空气中加热氧化，再通过甲酸浸泡，烘干，再经升温碳化处理，最后经SPS烧结得到所述具有复合界面结构的原位自生石墨烯/铜复合材料。本发明以微米级铜粉为原料，通过空气氧化、甲酸酸化的工艺流程，将甲酸铜均匀包覆于原料铜，并通过热处理及SPS烧结的流程，使得甲酸铜分解生成亚微米尺寸铜颗粒以获得双峰晶粒尺度分布的同时，在复合材料界面处均匀引入少量碳，并在铜的催化作用下生成结晶化程度较高、缺陷较少的石墨烯，最后获得一种具有复合界面结构的高强高导的石墨烯/铜复合材料。
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