公开(公告)号：CN101582483B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910072387.0

申请日：2009-06-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 费维栋 ,  迟庆国 ,  李伟力

IPC: H01L35/34

Abstract: 具有“三明治”结构的多孔强织构热释电薄膜的制备方法，它涉及一种多孔热释电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的多孔热释电薄膜中织构难以形成、漏电流大及薄膜表面质量差的问题。方法：一、制备热释电薄膜A；二、在薄膜A的基础上，制备得到热释电薄膜B；三、将钛酸铅镧钙系铁电薄膜再沉积到热释电薄膜B上，然后进行退火结晶处理，即得具有“三明治”结构的多孔热释电薄膜。本方法制备出来的多孔热释电薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、低漏电流及薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。

公开(公告)号：CN101659392A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910072820.0

申请日：2009-09-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 费维栋 ,  迟庆国 ,  李伟力

IPC: B82B3/00 ,  C04B35/462 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，它涉及一种制备铅基铁电薄膜的方法。它解决了现有方法在铁电薄膜制备过程中晶化温度过高、织构难以控制、成本高且不利于大面积Si集成电路的应用的问题。方法：一、制备种子层薄膜A；二、在薄膜A上继续沉积钛酸铅系铁电薄膜，然后进行退火结晶处理，通过改变种子层薄膜A的厚度，得织构可控的铅基铁电薄膜。本方法在较低的晶化温度制备完成的，所得薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。

公开(公告)号：CN101582483A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910072387.0

申请日：2009-06-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 费维栋 ,  迟庆国 ,  李伟力

IPC: H01L35/34

Abstract: 具有“三明治”结构的多孔强织构热释电薄膜的制备方法，它涉及一种多孔热释电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的多孔热释电薄膜中织构难以形成、漏电流大及薄膜表面质量差的问题。方法：一、制备热释电薄膜A；二、在薄膜A的基础上，制备得到热释电薄膜B；三、将钛酸铅镧钙系铁电薄膜再沉积到热释电薄膜B上，然后进行退火结晶处理，即得具有“三明治”结构的多孔热释电薄膜。本方法制备出来的多孔热释电薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、低漏电流及薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。

公开(公告)号：CN101607248A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910072484.X

申请日：2009-07-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 费维栋 ,  迟庆国 ,  李伟力

IPC: B05D7/24 ,  B05D1/36 ,  B05D3/02 ,  C04B35/462 ,  C04B35/472 ,  B32B9/00

Abstract: 一种高铁电性能复合钛酸铅基铁电薄膜的制备方法，它涉及一种钛酸铅基铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的钛酸铅基薄膜在晶化过程中易与电极发生互扩散，在界面处产生缺陷，从而导致铁电性能下降的问题。制备方法：一、在基底上沉积钛酸铅镧钙系铁电薄膜；二、在钛酸铅镧钙系铁电薄膜上沉积钛酸铅系铁电薄膜，然后进行热处理，即得高铁电性能复合钛酸铅基铁电薄膜。本发明制备过程中基底中间界面层生成了非连续的岛状结构，这种非连续结构的生成增加了钛酸铅基铁电薄膜的形核质点，使铁电薄膜的极化反转更加容易，极大地提高了铁电性能。本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。