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公开(公告)号：CN115057701B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210651299.1
申请日：2022-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/057 , C04B35/622 , H05K7/20
Abstract: 一种具有室温大电卡效应的复合薄膜材料及其制备方法，它为了解决目前电卡制冷温变较小，使用温度较高难以实用化的问题。制备方法：一、PbZrO3前驱体溶质称量及配置；二、PbZrO3薄膜旋涂；三、PbZrO3薄膜预烧；四、PbZrO3薄膜晶化处理；五、(CaMnO3)nCaO前驱体溶质称量及配置；六、(CaMnO3)nCaO薄膜旋涂；七、(CaMnO3)nCaO薄膜预烧；八、(CaMnO3)nCaO薄膜晶化处理。本发明采用溶胶凝胶旋涂法制备得到了具有室温大电卡效应的复合薄膜，该复合薄膜的耐压性高，并具有优异的制冷效果，300K时温变可以达到66.5K，在室温下实现了更大的制冷效果。
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公开(公告)号：CN114812607B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210396199.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于熔融石英半球谐振子的运动轨迹发生装置及化学蚀刻装置，运动轨迹发生装置包含第一电机、第一安装座、基座、曲柄回转机构和夹持装置；曲柄回转机构包含曲柄、连杆、摇杆和支撑杆；第一电机安装在第一安装座上，第一安装座固定在基座上，曲柄可转动地设置在基座上，连杆的一端与曲柄转动连接，连杆的另一端与摇杆转动连接，第二安装座固定在摇杆的另一端，第二电机固定在第二安装座上。化学蚀刻装置包含运动轨迹发生装置、旋转台、化学蚀刻液槽、去离子水槽、无水乙醇槽和安装基座；旋转台、化学蚀刻液槽、去离子水槽和无水乙醇槽均固定在安装基座上。本发明可实现熔融石英半球谐振子的运动轨迹和化学蚀刻。
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公开(公告)号：CN114917784A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210413710.1
申请日：2022-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01F27/053 , B01F35/32 , B01F27/90 , B01F27/191
Abstract: 一种用于熔融石英半球谐振子的抗腐蚀搅拌装置，它包含支撑架、调速电机、压板、卡板和多个搅拌叶片；多个搅拌叶片沿周向均匀设置在卡板上，压板与卡板相连，多个搅拌叶片通过压板固定在卡板上，压板与卡板之间具有缝隙，压板与调速电机的输出端相连，调速电机固定在支撑架上，每个所述搅拌叶片为耐腐蚀板状结构，每个所述搅拌叶片的材质为聚四氟乙烯。本发明用于熔融石英半球谐振子化学蚀刻液搅拌增强了化学蚀刻工艺过程中化学蚀刻液的流动性以及化学蚀刻液成分的均化程度，提升了化学蚀刻效果，提高了化学蚀刻效率，为半球谐振陀螺的发展提供有力支撑。
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公开(公告)号：CN114812607A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210396199.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于熔融石英半球谐振子的运动轨迹发生装置及化学蚀刻装置，运动轨迹发生装置包含第一电机、第一安装座、基座、曲柄回转机构和夹持装置；曲柄回转机构包含曲柄、连杆、摇杆和支撑杆；第一电机安装在第一安装座上，第一安装座固定在基座上，曲柄可转动地设置在基座上，连杆的一端与曲柄转动连接，连杆的另一端与摇杆转动连接，第二安装座固定在摇杆的另一端，第二电机固定在第二安装座上。化学蚀刻装置包含运动轨迹发生装置、旋转台、化学蚀刻液槽、去离子水槽、无水乙醇槽和安装基座；旋转台、化学蚀刻液槽、去离子水槽和无水乙醇槽均固定在安装基座上。本发明可实现熔融石英半球谐振子的运动轨迹和化学蚀刻。
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公开(公告)号：CN112002799A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010921361.5
申请日：2020-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/257 , H01L41/318 , H01L41/39 , C01G9/02
Abstract: 一种铁-锂离子对掺杂改性的高压电系数氧化锌基压电薄膜及其制备方法，涉及一种高压电系数的掺杂氧化锌压电薄膜的制备方法。是要解决现有方法无法使ZnO薄膜的压电性能得到优化提高的问题。该氧化锌基压电薄膜材料，化学通式为Zn1-2x(FexLix)O。方法：一、将二水合醋酸锌和乙醇胺溶解于乙二醇甲醚中，搅拌得到前驱体溶液；二、将九水合硝酸铁和二水合醋酸锂加入前驱体溶液中，搅拌得到溶液；三、将溶液陈化形成胶体；四、利用溶胶凝胶旋涂法将胶体在Si衬底上涂覆薄膜；五、热解；六、通过重复步骤四和步骤五；七、将薄膜进行晶化处理；八、将薄膜进行电场极化处理，至室温，得到极化后的薄膜。本发明用于无铅压电陶瓷领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113091939B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110333309.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K7/22
Abstract: 基于石墨烯/钛酸锶钡异质结的高灵敏度温度传感器的制备方法，本发明属于温度传感器领域，它为了解决现有温度传感器的灵敏度和响应速度较低的问题。制备方法：一、采用固相烧结法制备钛酸锶钡陶瓷；二、裁剪负载于铜片上的石墨烯，在石墨烯上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯；三、将旋涂后的石墨烯放入铜刻蚀液中，从铜刻蚀液中捞取石墨烯；四、将石墨烯转移至钛酸锶钡陶瓷的抛光面上，烘干处理；五、将烘干后的钛酸锶钡陶瓷放入丙酮中溶解聚甲基丙烯酸甲酯；六、将石墨烯‑钛酸锶钡异质结放入烘箱中烘干。当温度升高至钛酸锶钡的相变温度附近，电流相比室温而言分别上升速率较高，在较窄的相变温区内具有很高的电流变化率，从而具有较高的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN117447644A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311393059.7
申请日：2023-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08F220/20 , C03B20/00 , C03C3/06 , C08K3/36
Abstract: 用于石英玻璃热固化成型的复合树脂浆料及其制备方法和应用，本发明是为了解决玻璃的加工成型难度较大的技术问题。本发明复合树脂浆料的制备方法如下：一、按照重量份数称取90份单体、10～50份苯氧乙醇、130～200份SiO2粉末、0.1～1份热引发剂和0.1～1份阻聚剂作为原料；二、将原料中的单体和苯氧乙醇混合均匀；三、将SiO2粉末加入到树脂浆料中，然后再加入热引发剂和阻聚剂，继续搅拌至完全溶解并分散均匀，得到复合树脂浆料；四、复合树脂浆料进行脱泡处理。本发明通过复合树脂浆料的成分设计，实现了SiO2‑树脂复合材料的热固化成型，该复合材料强度高、硬度大，制备的石英玻璃器件透光率高，可加工性强。
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公开(公告)号：CN111664977B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010470020.0
申请日：2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种丝织构薄膜残余应力检测方法，它属于薄膜材料的特性表征技术领域。本发明解决了采用传统方法对丝织构薄膜残余应力的测试不准确的问题。本发明基于丝织构薄膜所具有的横向等方性，对其残余应力分析提出了具体的解决方案。通过坐标系转换，直接计算出样品坐标系下样品的弹性张量，从而根据广义胡克定律就可以建立样品坐标系下的宏观残余应力和应变的关系。采用本发明建立的残余应力和应变关系的理论模型，可以有效解决传统X射线衍射应力测试方法对丝织构薄膜残余应力测试的不准确问题。本发明可以应用于丝织构薄膜残余应力的检测。
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公开(公告)号：CN111664978B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010470968.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种曲面异形件的残余应力表征方法，本发明涉及曲面异形件的残余应力表征方法。本发明的目的是为了解决现有方法对残余应力的测定准确率低的问题。过程为：一、计算该窗口宽度引起的衍射峰的宽化；二、对于球形样品，将球形样品半球进行遮挡，从出射窗口发射的X射线，只有一半的光线照射到球形样品上，不考虑球面曲率的影响，则将直接导致峰位向高角偏移Δθ/4；三、对于平面样品，计算衍射峰位向低角偏移的角度与偏移距离的关系；四、计算出出射窗口沿衍射圆周弧长方向的宽度L照射在球面上的弧长；五、确定各个入射角下球面曲率引起的最终峰位偏移；六、得到球形样品的残余应力。本发明用于材料的残余应力表征领域。
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公开(公告)号：CN111548149A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010456718.7
申请日：2020-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88 , H01L41/187
Abstract: 一种高温度稳定性的钛酸钡无铅压电陶瓷及其制备方法，涉及压电陶瓷领域，尤其涉及一种钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法。是要解决现有的钛酸钡基无铅压电陶瓷存在压电性能较差、滞后较大、温度稳定性差的问题。该钛酸钡无铅压电陶瓷的结构通式为Ba1-x(Li0.5,B0.5)xTiO3，其中0.001≤x≤0.1。方法：一、原料称量；二、球磨，干燥；三、将干燥好的粉料加热至预烧制温度后进行保温，冷却；四、将预烧制后的粉料球磨，干燥；五、将球磨干燥后的粉料压制成型；六、将压制成型的样品加热至烧结温度后进行保温，冷却；七、将烧结后的陶瓷元件进行恒场强保温，之后恒场强冷却至室温。本发明应用于无铅压电陶瓷领域。
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