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公开(公告)号：CN1114977C
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN00109780.6
申请日：2000-07-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/026
Abstract: 一种选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法，在磷化铟衬底上淀积二氧化硅层；在图形衬底上生长多量子阱有源区；在激光器区域制作布拉格光栅，在调制器区域刻制窗口，同时得到刻蚀波导所需的刻蚀停止层；在激光器与调制器形成光限制和电限制单脊条形结构；刻蚀去掉激光器和调制器之间的接触层；蒸发绝缘介质膜；制作激光器和调制器的P面高频电极图形；减薄做N面电极；最后在器件的端面镀光学膜。
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公开(公告)号：CN1426143A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN01140499.X
申请日：2001-12-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法，是在选择生长铟镓砷磷多量子阱时，采用三乙基镓和三甲基铟生长限制层和垒，采用三甲基镓和三甲基铟生长阱；采用这种方法生长的量子阱材料，在选择生长区域，阱区有大的应变，而在非选择生长区域，阱区应变小；垒和限制层在两个生长区域的应变变化很小，这使得选择生长区域的量子阱有高的发光效率，保证了高性能电吸收调制DFB激光器的实现。
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公开(公告)号：CN1426138A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN01140498.1
申请日：2001-12-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明一种混合波导结构电吸收调制分布反馈激光器，包括：脊型波导结构电吸收调制器；脊型波导结构的隔离区，该隔离区与该电吸收调制器相连；掩埋异质结构DFB隔离区，该激光器与该隔离区相连；所说的电吸收调制器、隔离区、激光器均制作在同一衬底上。
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公开(公告)号：CN1108653C
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN00124757.3
申请日：2000-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种半导体模式转换器的制作方法，1、在磷化铟衬底上生长下波导层；2、在波导上生长磷化铟间隔层、铟镓砷磷有源层和磷化铟盖层；3、在磷化铟盖层上淀积一层介质膜；4、沿模式转换器的出光方向在介质膜上刻出图形；5、采用选择腐蚀磷化铟；6、采用选择腐蚀铟镓砷磷；7、腐蚀去掉介质膜后，重新长上磷化铟盖层，包在磷化铟中的一段厚度渐变薄、长度较短的铟镓砷磷有源区与铟镓砷磷下波导层一起构成了一个自对准方式的模式转换器。
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公开(公告)号：CN106785918B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201710063242.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种晶体管激光器及其制作方法，属于半导体激光器领域。本发明晶体管激光器为多层结构，从下到上依次包括衬底、下集电极层、集电极层、基层、发射层，基层至少包括一基极层和一量子阱层；晶体管激光器包括上下两部分，其上部分为柱状结构，柱状结构和下部分的界线位于所述下集电极层中；柱状结构内设有柱状孔，所述柱状孔的底部为所述基层，发射极电极设置在柱状结构上表面，基极电极设置在所述柱状孔底部，集电极设置在晶体管激光器下部分上表面。本晶体管激光器在工作时，不需要通过光栅或者解理面提供反馈，利用自身柱状结构与柱状孔形成的闭合环形波导回路作为谐振腔，即可实现激光的谐振。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108242763A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201810178924.9
申请日：2018-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种电吸收调制激光器(EML)集成器件的整片结构及其制作测试方法，属于半导体光电子领域，EML集成器件整片结构为格栅构造，在晶圆上外延生长激光器的多量子阱(MQW)和调制器的MQW，EML器件单元包括激光器MQW和调制器MQW而阵列排布；围绕EML器件单元设置沟槽结构，其侧壁面为镜面而其底部为减反射面；在EML器件单元的前/后端面分别形成有减/高反射介质膜，该前/后端面为调制器MQW/激光器MQW一侧的端面。本整片结构在测试时，不需要巴条解理，利用沟槽侧壁镜面和沟槽底部减反射面的组合(进一步减/高反射介质膜与减反射面的组合)，实现该EML器件单元的有效出光，不仅使测试数据诊断和收集更快捷，而且降低EML集成器件制作成本。
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公开(公告)号：CN105406355B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201510967950.6
申请日：2015-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层；步骤3：在有源区层上制作上层光栅；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷化铟盖层和重掺杂欧姆接触层；步骤5：按标准激光器管芯工艺完成后续制作。本发明相比现有技术的双模DFB激光器，其主要区别为光栅的制作方式，是在共腔有源区的下层和上层制作出两套不同周期的DFB光栅，从而达到同时输出两个DFB波长的效果。
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公开(公告)号：CN106785918A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710063242.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/34 , H01S5/343 , H01S5/34313
Abstract: 本发明提供了一种晶体管激光器及其制作方法，属于半导体激光器领域。本发明晶体管激光器为多层结构，从下到上依次包括衬底、下集电极层、集电极层、基层、发射层，基层至少包括一基极层和一量子阱层；晶体管激光器包括上下两部分，其上部分为柱状结构，柱状结构和下部分的界线位于所述下集电极层中；柱状结构内设有柱状孔，所述柱状孔的底部为所述基层，发射极电极设置在柱状结构上表面，基极电极设置在所述柱状孔底部，集电极设置在晶体管激光器下部分上表面。本晶体管激光器在工作时，不需要通过光栅或者解理面提供反馈，利用自身柱状结构与柱状孔形成的闭合环形波导回路作为谐振腔，即可实现激光的谐振。
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公开(公告)号：CN106532434A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611202129.6
申请日：2016-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/34306 , H01S5/3436 , H01S5/34366 , H01S5/4087
Abstract: 一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层；除去部分刻蚀终止层和下层多量子阱层；对接生长无源波导芯层；在上分别限制层上制作分布反馈光栅，并依次外延生长光栅覆盖层、掺杂盖层以及重掺杂接触层，并刻蚀掉部分重掺杂接触层；刻蚀有源波导、无源波导和深波导结构；并生长绝缘介质层；开电极接触窗口；制备金属P电极；并形成隔离沟；在衬底的背面制作另一金属N电极，完成芯片制备。
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公开(公告)号：CN106058639A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610443677.1
申请日：2016-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/0657 , H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：1.选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器。本发明通过一次选区外延同时定义锁模激光器的增益区、饱和吸收区和有源无源腔比例，通过碰撞锁模的原理压缩脉冲宽度、提高锁模频率，通过无源外腔的技术降低脉冲重频的时域抖动，最终实现窄脉冲的稳定重频(按应用需求可高可低)输出。
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