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公开(公告)号：CN103399461A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310361799.2
申请日：2013-08-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。
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公开(公告)号：CN103399459A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310340709.1
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。
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公开(公告)号：CN103149153A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310035988.0
申请日：2013-01-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明公开了一种超衍射材料光传输特性的测试分析方法，利用测试激发光栅、待测超衍射材料样品和检测光栅实现测试分析，其特点是：光源从激发光栅侧入射，产生多级携带高空间频率的衍射波，然后通过待测超衍射材料样品，样品的透射波与检测光栅差频形成携带待测样品传输特性的干涉条纹。并可以通过旋转待测样品测试不同空间频率衍射波的透射光强或者干涉条纹对比度，以确定待测超衍射材料样品的光传输特性。本发明方法结构简洁，设计灵活，且测试方法便捷，实时性强。
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公开(公告)号：CN103078185A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310030029.X
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于人工电磁结构材料的高增益低雷达散射截面平板天线，该天线由微带贴片和正反两面具有不同反射特性的周期性人工结构材料构成。该人工结构材料由介质基板，以及在基板正面制作的周期性金属方环结构和反面制作的周期性开口缝隙金属平面结构构成。正面金属方环结构的四边中心处加载了集中电阻元件。当电磁波从人工结构材料正面入射时，电磁波能量主要被吸收；当电磁波从人工结构材料反面入射时，电磁波能量主要被反射。将人工结构材料放置在微带贴片上方作为覆层，其反面作为部分反射表面和微带贴片的金属接地板构成F-P谐振腔，提高天线的辐射增益；其正面可以吸收外来入射波，降低天线的雷达散射截面。
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公开(公告)号：CN102868007A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210347152.X
申请日：2012-09-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01P1/17
Abstract: 一种基于手性人工电磁结构的双频圆极化器，包括一层矩形介质基板及在矩形介质基板上制作的横向上和纵向上的周期性圆弧形金属线结构，每个周期性圆弧形金属线结构包括四条圆弧形金属线，这四条圆弧形金属线具有共同的圆心和相等的圆心角，且外侧的两条圆弧形金属线的尺寸相同，内侧的两条圆弧形金属线尺寸相同，两条外侧圆弧形金属线之间的夹角与两条内侧圆弧形金属线之间的夹角相等。本发明可以在两个频段的四个谐振频点处实现将入射的线极化波转化为不同旋向的圆极化波，且该圆极化器为平面结构，结构简单，易于制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102866594A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210365973.6
申请日：2012-09-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光栅辅助纳米成像的光刻方法，纳米物体或纳米图形掩模位于物方区域，在纳米物体或纳米图形掩模前放置一物方光栅，该光栅作用在于将高频倏逝波转化为传输波；在物方光栅外的远场区域放置一光学成像镜头组，利用该镜头组实现对光场分布投影成像。在光学成像镜头组另一侧放置一像方光栅，将传输波转化为高频倏逝波，最后在像方光栅下的成像区域成像。本发明利用两个光栅对传输波和倏逝波进行转化，同时利用光学成像镜头组实现对光场分布投影成像，得到了亚波长尺度的成像，突破了常规超衍射材料近场限制，物像空间位置关系可处于远场范围，且视场不受限于超衍射材料的损耗、加工困难等因素，拓展到与传统成像光学系统视场相当的尺寸。
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公开(公告)号：CN102636965A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210107638.6
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体超分辨干法光刻方法，其步骤为：1)清洗基片；2)在基片上镀一层无机光刻胶TeOx；3)于TeOx膜层上镀一层金属薄膜；4)如此反复镀若干周期，最后一层为无机光刻胶；5)将多层膜置于一定图形的掩模板下进行曝光；6)曝光后的多层膜进行干法显影；7)去除残余的Ag层，制作完成。本发明利用干法对无机光刻胶进行显影，能得到边缘规则、陡直的图形，克服了传统有机光刻胶所存在的溶剂膨胀效应导致的图形边缘不规则，及后烘容易带来图形线条坍塌等问题；此外，金属层可以放大倏矢波的传播，降低在曝光过程中光的衍射效应。因此，可实现对SP光刻图形质量的提高。
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公开(公告)号：CN102633229A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210107636.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法，其主要步骤为：利用IBE刻蚀半圆柱形沟槽得到和其曲率半径相同但是径深减小的圆弧形曲面沟槽，然后在圆弧形曲面沟槽内沉积多层膜，之后利用IBE对多层膜进行刻蚀，得到成像面为平面的超透镜。该方法不需要制备非均匀厚度的薄膜实现平面超透镜的制作，只需要采取常用的IBE技术就可以获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，在圆弧形曲面沟槽上沉积厚度均匀的多层膜以后，再次通过IBE刻蚀技术就可以在圆弧形曲面沟槽上制备出成像面为平面的超透镜。本发明只需要采用常规的离子束刻蚀技术、薄膜沉积技术、反应离子刻蚀技术就可获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，并在此基础上制备出成像面为平面的超透镜。
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公开(公告)号：CN102629702A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210105783.0
申请日：2012-04-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01P1/17
Abstract: 一种基于人工结构的多频圆极化器，包括一种n-1(n≥3，为整数)层矩形介质基板，以及在n-1层矩形介质基板上制作的横向上和纵向上的周期性圆弧形金属线结构，每个周期性圆弧形金属线结构包括t(t＝n)条圆弧形金属线，t条圆弧形金属线分别排布在n-1层矩形介质基板的第1、2、…、n面，从垂直于矩形介质基板所在平面的方向看，t条圆弧形金属线组成一个同心圆的t个等分部分，t条圆弧形金属线的宽度和对应的圆心角θ都相同，且每两条圆弧形金属线之间的间隙对应的圆心角也相同。当电场偏振方向平行与该圆极化器纵向边界的线极化波沿着垂直于矩形介质基板所在平面的方向入射时，该圆极化器可以在k(k＝t)个不同的频点出将入射的线极化波转化为具有不同旋向的圆极化透射波。
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公开(公告)号：CN102621821A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107682.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种超长工作距表面等离子体超衍射光刻装置及方法，该装置包括以下结构，光学棱镜，光学棱镜底面沉积的是一层金属薄膜，金属薄膜下沉积了一层光电转换材料膜层，光学棱镜放置在涂敷有电子光刻胶的光学基片表面上方。该方法采用表面等离子体干涉形成纳米特征尺寸的光场分布，利用光电转换材料，表面等离子体干涉光场转换为低能电子辐射信号，经过磁场和电场的加速和聚焦，电子聚焦投影在光刻胶上实现纳米分辨力光刻。本发明可以有效延伸表面等离子体超衍射干涉光刻所需的工作距。
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