公开(公告)号：CN101920256B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201010203984.5

申请日：2010-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  佐藤直行 ,  长久保启一 ,  永关一也

IPC: B09B3/00

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4418 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供能够消除浪费的等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法。通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(41)，加工碳化硅块(41)制造聚焦环(25)，在将所制造的聚焦环(25)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数，对在等离子体蚀刻处理中消耗的聚焦环(25’)的表面进行酸清洗，向被清洗的聚焦环(25)的表面通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(42)，加工碳化硅块(42)再制造聚焦环(25”)，在将再制造的聚焦环(25”)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数。

公开(公告)号：CN101920256A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010203984.5

申请日：2010-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  佐藤直行 ,  长久保启一 ,  永关一也

IPC: B09B3/00

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4418 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供能够消除浪费的等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法。通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(41)，加工碳化硅块(41)制造聚焦环(25)，在将所制造的聚焦环(25)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数，对在等离子体蚀刻处理中消耗的聚焦环(25’)的表面进行酸清洗，向被清洗的聚焦环(25)的表面通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(42)，加工碳化硅块(42)再制造聚焦环(25”)，在将再制造的聚焦环(25”)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数。

公开(公告)号：CN1732558B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200380107612.0

申请日：2003-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 本田昌伸 ,  松山升一郎 ,  永关一也 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/3341

Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10-16cm2以上的电离促进气体。

公开(公告)号：CN101477944A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810170271.6

申请日：2004-02-03

Applicant: 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 奥村胜弥 ,  桧森慎司 ,  永关一也 ,  松丸弘树 ,  松山升一郎 ,  高桥俊树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其使用的电极以及电极制造方法，该等离子体处理装置是在被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括：收纳所述被处理基板的能够减压的处理容器；设置在所述处理容器内的第一电极；向所述处理容器内供给处理气体的供给系统；和用于生成所述处理气体的等离子体，在所述处理容器内形成高频电场的电场形成系统，其中，所述第一电极具有离散地形成在所述第一电极的主面上并且向着生成所述等离子体的空间一侧突出的多个凸部，在所述第一电极的主面上，在所述凸部之间设置有介电体，在所述第一电极的主面上，所述凸部的密度被设定成从电极中心部向着电极边缘部逐渐增大。

公开(公告)号：CN100345257C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN02818449.1

申请日：2002-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野博夫 ,  达下弘一 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  林大辅

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32688

Abstract: 磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。

公开(公告)号：CN1322557C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN02823839.7

申请日：2002-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧森慎司 ,  远藤升佐 ,  永关一也 ,  窪田知也 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

Abstract: 提供了一种防止传热气体的放电，且可高精度进行被处理体的温度控制的处理装置。在向相对设置在密封处理容器(102)内的一对电极中的下部电极110施加高频功率，并将导入到电极间的处理气体等离子体化后，对被处理体表面进行规定处理的等离子体蚀刻装置(100)中，该等离子体装置由传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)构成，传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)使将被处理体控制为规定温度用的传热气体供给吸附保持被处理体的静电卡盘(112)和被处理体间的微小空间S内的传热气体供给部(120)相对由供给电极的高频功率所产生的电场方向倾斜。

公开(公告)号：CN1783430A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510127554.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 桧森慎司 ,  今井范章 ,  堀口克己 ,  根津崇明 ,  松山昇一郎 ,  松丸弘树 ,  速水利泰 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久 ,  杉安良和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。