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公开(公告)号：CN103052916A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201180037435.8
申请日：2011-07-15
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: G03F7/032 , G03F7/031 , G03F7/033 , G03F7/037 , G03F7/0757
Abstract: 本发明涉及一种感应长波长UV的负型感光性树脂组合物，尤其涉及一种包含a）i)丙烯酸类共聚物、ii）聚酰亚胺类共聚物、iii)硅氧烷类共聚物中的单独或者混合共聚物；b）光引发剂；c）特定结构的吖啶类光敏剂（Photosensitizer）的负型感光性树脂组合物。根据本发明的负型感光性树脂组合物，其分辨率、透射率、耐热变色性、粘接力等优秀，尤其在405nm～435nm的UV长波长中敏感度优秀，因而适用于GH-line专用曝光机或者下一代数码曝光机。
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公开(公告)号：CN101319092B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200810110107.6
申请日：2008-06-10
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C08L101/14 , C08L29/04 , C08K5/00 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供遮光型水溶性树脂组合物，其可以有效用作位于有机半导体膜和层间绝缘膜之间的遮光性保护膜，该遮光性保护膜用于防止有机电气元件的有机半导体膜在以与层间绝缘膜相接触的形式来形成的情况下结晶性降低的问题，以及防止对层间绝缘膜照射光时发生光氧化的问题。本发明涉及遮光型水溶性树脂组合物，特别是涉及其特征为含有a)水溶性树脂、b)水溶性染料化合物、c)溶剂的用于有机半导体保护膜的遮光型水溶性树脂组合物。
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公开(公告)号：CN1877449B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200610091557.6
申请日：2006-06-12
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/038 , G03F7/027 , G02F1/136 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供负型感光性树脂组合物，其粘着力、耐热性、绝缘性、平坦性、耐化学性等性能优异，适用于液晶显示元件的图像形成用材料，并且由于灵敏度、残膜率、UV透过率优异，因而适于用作层间有机绝缘膜；不仅如此，将该组合物用作保护层用等各种抗蚀剂树脂时，可以提高灵敏度和残膜率。本发明的负型感光性树脂组合物含有a)丙烯酸类共聚物、b)光引发剂、c)具有乙烯性不饱和键的多官能性单体、d)含有环氧基或胺基的硅类化合物和e)溶剂；所述a)丙烯酸类共聚物是通过使i)烯丙基丙烯酸类化合物、ii)不饱和羧酸、不饱和羧酸酐或它们的混合物、iii)含有环氧基的不饱和化合物以及iv)烯烃类不饱和化合物进行共聚而得到的。
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公开(公告)号：CN1904734B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200610072635.8
申请日：2006-04-05
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/008 , G03F7/027 , G03F7/004 , G02F1/133 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供感光性树脂组合物，该感光性树脂组合物不仅灵敏度、耐热性、解像度等性能优异，还显著提高了常温保存稳定性和透过性，适于形成LCD制造工序中的层间绝缘膜。本发明的感光性树脂组合物的特征在于，其含有a)丙烯酸类共聚物、b)1，2-二叠氮醌化合物、c)以化学式1～6中的任意一个来表示的环氧类化合物、和d)溶剂，其中所述a)丙烯酸类共聚物是通过使下述i)～iii)共聚后，除去未反应的单体而得到的：i)不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或不饱和羧酸和不饱和羧酸酐的混合物；ii)含有羟基的烯烃类不饱和化合物；iii)烯烃类不饱和化合物。
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公开(公告)号：CN1811597B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200610002261.2
申请日：2006-01-27
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明提供感光性树脂组合物，该感光性树脂组合物不仅透过率、绝缘性、平滑性、耐化学性等性能优异，而且特别地，该组合物由于具有高耐热特性，使得在层间绝缘膜产生的渗气最小化，因而可确保后工序的可靠性，适于用作LCD制造工序的层间绝缘膜。本发明的感光性树脂组合物含有a)丙烯酸类共聚物、b)1，2-二叠氮醌化合物、和c)溶剂，其中所述a)丙烯酸类共聚物是通过使下述i)～iii)共聚得到的：i)苯基马来酰亚胺类化合物；ii)不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或不饱和羧酸和不饱和羧酸酐的混合物；iii)含环氧基的不饱和化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1936705B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200610144771.3
申请日：2006-08-23
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/105 , H01L21/32139 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 光致抗蚀剂组合物包含约10～70％重量的含有苯酚-基聚合物的粘合剂树脂、约0.5～10％重量的光-酸发生剂、约1～20％重量的交联剂、约0.1～5％重量的染料和约10～80％重量的溶剂。该光致抗蚀剂组合物可以应用于例如制备TFT基底的方法。
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公开(公告)号：CN101236356B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710006730.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/118
Abstract: 能够形成高清晰度图案的无需额外的加热处理的光致抗蚀剂组合物，其包含包括至少一种式1单元的10-70重量份的碱-可溶苯酚类聚合物、0.5-10重量份的光-酸产生剂、包括至少一种式2单元的5-50重量份的溶解抑制剂和10-90重量份的溶剂，其中上述组分的量是基于总共100重量份的碱-可溶苯酚类聚合物、光-酸产生剂、溶解抑制剂和溶剂，和其中式1和式2具有以下结构：[式1]其中R为甲基，[式2]其中R1、R2和R3相同或不同，并为氢或叔丁基乙烯醚保护基。
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公开(公告)号：CN101295135A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810127707.3
申请日：2008-04-14
CPC classification number: G03F7/0382 , H01L21/312 , H01L27/1214 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及光刻胶组合物和使用其制造薄膜晶体管基底的方法。在一实例中，光刻胶组合物包括约1到约70重量份的含有由右面化学式1代表的重复单元的第一粘合剂树脂、约1到约70重量份的含有由右面化学式2代表的重复单元的第二粘合剂树脂、约0.5到约10重量份的光致产酸剂、约1到约20重量份的交联剂和约10到约200重量份的溶剂，在式中R1和R2独立地代表具有1到5个碳原子的烷基，n和m独立地代表自然数。该光刻胶组合物可改善光刻胶图案的耐热性和粘附能力。
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公开(公告)号：CN101281369B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810091113.1
申请日：2008-04-02
CPC classification number: G03F7/038 , Y10S430/121 , Y10S430/123 , Y10S430/128
Abstract: 本发明涉及光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法，该光刻胶组合物包括约0.5-约20重量份的光致产酸剂、约10-约70重量份的含有羟基的酚醛清漆树脂、约1-约40重量份的交联剂、以及约10-约150重量份的溶剂，其中该交联剂包括烷氧基甲基三聚氰胺化合物。
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公开(公告)号：CN1936705A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610144771.3
申请日：2006-08-23
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/105 , H01L21/32139 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 光致抗蚀剂组合物包含约10～70％重量的含有苯酚－基聚合物的粘合剂树脂、约0.5～10％重量的光－酸发生剂、约1～20％重量的交联剂、约0.1～5％重量的染料和约10～80％重量的溶剂。该光致抗蚀剂组合物可以应用于例如制备TFT基底的方法。
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