公开(公告)号：CN101414599A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810144945.5

申请日：2008-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德起 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  宋利宪 ,  金元主 ,  陈暎究 ,  崔赫洵 ,  金锡必

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5252 ,  G11C17/16 ,  H01L27/1021 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种反熔丝结构和反熔丝阵列结构。反熔丝结构包括：位线，在半导体基底内被形成为第一扩散区；绝缘层，形成在位线上；字线，形成在绝缘层上。反熔丝阵列结构包括以阵列形式布置的多个反熔丝结构。

公开(公告)号：CN101388236A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810213119.1

申请日：2008-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  权奇元 ,  朴永洙 ,  李承勋 ,  安承彦

IPC: G11C5/02 ,  G11C8/10

Abstract: 本发明提供一种多层存储装置。所述多层存储装置包括两个或更多的存储单元和布置在所述两个或更多的存储单元中的每个之间的有源电路单元。有源电路单元包括解码器。每个存储单元包括一个或更多的存储层。每个存储层包括存储阵列。

公开(公告)号：CN101202025A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710307770.0

申请日：2007-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙燮 ,  李准宇 ,  朴弘祚 ,  韩银姬 ,  李承勋 ,  尹晟在

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G3/2025 ,  G09G3/3406 ,  G09G2310/0237 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2320/0271 ,  G09G2320/028

Abstract: 公开了一种使动态图像可视性和侧面可视性均得到提高的显示装置及其驱动方法。包括成矩阵型配置的栅极线和数据线以显示图像的显示面板，驱动该栅极线的栅极驱动器，以及在一帧期间内向该数据线提供低灰度级图像信号，高灰度级图像信号，和黑脉冲信号的数据驱动器。

公开(公告)号：CN119789453A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411837087.8

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  李承勋 ,  金茶惠 ,  慎一揆 ,  李商文 ,  崔庆寅

IPC: H10D30/01 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，从衬底突出并包括多个堆叠的半导体图案；栅极图案，设置在有源图案上并与有源图案交叉；栅极绝缘图案，在有源图案和栅极图案之间；栅极间隔物，在栅极图案的侧部处并且在有源图案上；以及盖图案，设置在有源图案和栅极间隔物之间并与有源图案物理接触，其中盖图案具有晶体结构。

公开(公告)号：CN110137137B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201910103231.8

申请日：2019-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金东明 ,  金真范 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  张星旭 ,  赵南奎 ,  崔珉姬

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路半导体器件包括：第一区域，具有第一有源图案，该第一有源图案具有第一突出部分和第一凹陷部分；以及第二区域，具有第二有源图案，该第二有源图案具有第二突出部分和第二凹陷部分。第一栅极图案在第一突出部分上。第二栅极图案在第二突出部分上。第一源极/漏极区域在第一有源图案的第一凹陷部分之一上且在第一栅极图案中的两个之间。第一源极/漏极区域在其上部具有第一增强外延层。第二源极/漏极区域在第二有源图案的第二凹陷部分之一上且在第二栅极图案中的两个之间。第二源极/漏极区域具有第二增强外延层，该第二增强外延层具有与第一增强外延层的第一外延生长表面不同地成形的外延生长表面。

公开(公告)号：CN110729291B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201910603071.3

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉姬 ,  金锡勋 ,  李峭蒑 ,  赵南奎 ,  李承勋

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H10B10/00

Abstract: 一种半导体器件包括：包括有源图案的衬底；跨越有源图案的栅电极；源极/漏极图案，与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部；电连接到源极/漏极图案的有源接触；以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层，源极/漏极图案包括包含多个半导体图案的主体部以及在主体部上的盖图案，主体部具有第一面、在第一面上的第二面、以及限定在第一面与第二面相交之处的拐角边缘，拐角边缘平行于衬底延伸，盖图案覆盖主体部的第二面并暴露拐角边缘，硅化物层覆盖主体部的顶表面和盖图案的顶表面。

公开(公告)号：CN108074984B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201711128763.4

申请日：2017-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  李炫姃 ,  金坰喜 ,  金善政 ,  金真范 ,  慎一揆 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。

公开(公告)号：CN115295619A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210423953.3

申请日：2022-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金傔 ,  金真范 ,  金东宇 ,  申东石 ,  李商文 ,  李承勋

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：包含有源图案的基板、在有源图案上的沟道图案和源极/漏极图案、提供在沟道图案上并在第一方向上延伸的栅电极、以及联接到源极/漏极图案的有源接触。有源接触包括掩埋在源极/漏极图案中的掩埋部分以及在掩埋部分上的接触部分。掩埋部分包括提供在源极/漏极图案的下部中的扩展部分以及将接触部分连接到扩展部分的垂直延伸部分。

公开(公告)号：CN113889533A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110748137.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金茶惠 ,  金真范 ,  金傔 ,  金度希 ,  金东宇 ,  李承勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：包括鳍型有源区的衬底，鳍型有源区在第一方向上延伸；在鳍型有源区上的多个沟道层，多个沟道层包括在垂直于衬底的上表面的方向上彼此脱离直接接触的最上面的沟道层、最下面的沟道层和居间的沟道层；围绕多个沟道层并在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅电极；在多个沟道层和栅电极之间的栅极绝缘膜；以及电连接到多个沟道层的源极/漏极区。在沿第二方向截取的截面中，最上面的沟道层具有比居间的沟道层的宽度大的宽度。

公开(公告)号：CN113571581A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110106943.2

申请日：2021-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎一揆 ,  金旻怡 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李承勋 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。