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公开(公告)号：CN115691639A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210791193.1
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括存储器单元阵列、电压发生器、电压路径电路和字线缺陷检测电路。存储器单元阵列包括存储器单元和连接到存储器单元的字线。电压发生器生成施加到字线的字线电压。电压发生器和存储器单元阵列之间的电压路径电路向字线传送字线电压。字线缺陷检测电路连接到电压发生器和电压路径电路之间的测量节点。字线缺陷检测电路基于测量节点的测量电压来测量电压路径电路的路径漏电流，以在补偿模式中生成与路径漏电流相对应的偏移值，并且在缺陷检测模式中基于偏移值和测量电压来确定字线中的每条字线的缺陷。
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公开(公告)号：CN114496041A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111239284.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备包括至少一个存储器块和控制电路。该至少一个存储器块包括多个单元串，每个单元串包括串选择晶体管、多个存储器单元和接地选择晶体管。该控制电路通过下列方式控制程序操作：在程序循环的位线设置时段期间，将多个单元串的通道预充电至第一电压；在程序循环的程序执行时段期间，将程序电压施加到多个单元串的选定字线；以及在将多个单元串的选定字线和未选定字线的电压恢复到小于接地电压的负电压之后，在程序循环的恢复时段期间，将选定字线和未选定字线的电压恢复到大于接地电压的第二电压。
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公开(公告)号：CN114078529A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110760456.8
申请日：2021-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
Abstract: 一种用于对多页数据进行编程的非易失性存储器设备的操作方法，该操作方法包括：从存储器控制器接收多页数据；将多页数据当中的第一页数据编程到连接到与选择的字线相邻的字线的第一存储器单元；在对第一页数据进行编程之后，基于第一感测值和第二感测值来读取先前存储在连接到选择的字线的第二存储器单元中的先前页数据；通过将基于第一感测值读取的先前页数据的第一位与基于第二感测值读取的先前页数据的第二位进行比较来计算第一失败位数；并且基于第一失败位数将从第二存储器单元读取的先前页数据和多页数据当中的第二页数据编程到第二存储器单元。
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公开(公告)号：CN113571524A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110074431.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , G11C5/06
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：外围电路结构，包括下基底、位于下基底中的电弧保护二极管以及连接到电弧保护二极管的公共源极线驱动器；导电板，位于外围电路结构上；单元阵列结构，在竖直方向上与外围电路结构叠置并使导电板位于单元阵列结构与外围电路结构之间；以及第一布线结构，连接在电弧保护二极管与导电板之间。
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公开(公告)号：CN112242166A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010370136.7
申请日：2020-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器设备的编程方法，所述非易失性存储器设备包括单元串，所述单元串具有垂直于衬底的表面堆叠的存储器单元，所述方法包括：执行第一编程阶段，包括对连接到第一字线的第一存储器单元进行编程并且将第一通过电压施加到所述第一字线上方或下方的其他字线；以及执行第二编程阶段，包括在完全对所述第一存储器单元进行编程之后对第二存储器单元进行编程，所述第二存储器单元连接到比所述第一字线更靠近所述衬底的第二字线，将第二通过电压施加到所述第二字线下方的第一字线组并将第三通过电压施加到所述第二字线上方的第二字线组，所述第二通过电压低于所述第三通过电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111798886A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010200570.0
申请日：2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
Abstract: 提供了一种控制存储器设备方法，该存储器设备包括页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器，每个页缓冲器包括至少一个锁存器。该方法包括：由内部电压电路生成内部电压当中的用于所述页缓冲器电路的操作的至少一个内部电压，其中所述内部电压电路向所述页缓冲器电路提供所述至少一个内部电压；向所述页缓冲器电路提供用于形成在所述内部电压电路和不用于在所述页缓冲器电路中进行缓冲的所述多个页缓冲器中的第一页缓冲器的第一电节点之间、在对所述多个页缓冲器中的第二页缓冲器的第一锁存器的设定操作期间的电连接的控制信号。
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公开(公告)号：CN111755054A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010020778.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：第一存储器块，包括沿与基底垂直的方向堆叠的多个单元晶体管，所述多个单元晶体管与多条地选择线、多条字线和多条串选择线互连；块选择电路，与所述多条地选择线、所述多条字线和所述多条串选择线连接，并响应于块选择信号而将相应的驱动电压分别提供给所述多条地选择线、所述多条字线和所述多条串选择线；以及块未选择电路，仅与所述多条串选择线中的特定串选择线连接，并响应于块未选择信号而将截止电压仅提供给特定串选择线。
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公开(公告)号：CN110970065A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910573771.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一存储器单元和与第一存储器单元不同的第二存储器单元，其中，第一存储器单元和第二存储器单元包括在同一个存储器块中；第一字线，连接到第一存储器单元；第二字线，与第一字线不同，连接到第二存储器单元；地址解码器，将擦除电压和与擦除电压不同的禁止电压中的一个施加到第一字线和第二字线中的每条；以及控制逻辑，使用地址解码器来控制对存储器块的擦除操作，其中，当执行对存储器块的擦除操作时，在施加擦除电压之后将禁止电压施加到第一字线，并且在施加禁止电压之后将擦除电压施加到第二字线。
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