公开(公告)号：CN116995103B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310826379.0

申请日：2023-07-05

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 陈文锁 ,  张澳航 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。

公开(公告)号：CN118763113A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411013451.9

申请日：2024-07-26

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  黄嘉伟文 ,  陈文锁 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 本申请提供一种氧化镓超结鳍型场效应晶体管，将第一P型氧化物和氧化镓漂移层引入到氧化镓超结鳍型场效应晶体管中形成超结结构，在超结区域的顶部和底部分别设置缓冲层，通过第一氧化镓缓冲层将P柱与衬底进行隔离，使得器件不会在超结区域底部提前击穿，在氧化镓漂移层顶部也设置有缓冲层，降低鳍型场效应晶体管在栅氧介质层上的电场强度，防止器件在此处提前击穿。本申请设置的双缓冲层结构降低超结区域与其他区域交界处的电场强度，使得超结漂移区内部的电场先达到临界击穿场强，有效地避免了器件的破坏性击穿，以使氧化镓超结鳍型场效应晶体管具有低导通电阻和高击穿电压的优势。

公开(公告)号：CN118425759A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410664820.4

申请日：2024-05-27

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  敖华阳 ,  成亮 ,  张航 ,  简洋 ,  陈苗 ,  周玉凤 ,  程朝霞

IPC: G01R31/327 ,  G01R19/00 ,  G01R15/18

Abstract: 本申请提供一种用于延迟校准的电流采样电路，该电路包括：栅源驱动模块、开关管、电压采样模块、单刀双掷开关及电流采样模块，栅源驱动模块基于电源电压和脉冲信号产生驱动信号，将驱动信号作用于开关管，对开关管进行通断操作；电压采样模块与开关管相接，对电阻的两端进行电压采样，得到采样电压，电流采样模块接电源电压和单刀双掷开关，基于单刀双掷开关的连接状态选择对应的采样支路对同一回路的开关管的电流进行采样，得到采样电流，可通过多条支路进行电流采样，采样结果可靠性高且采样成本更低，适合广泛使用。

公开(公告)号：CN117783802A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311715497.0

申请日：2023-12-13

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  成亮 ,  敖华阳 ,  顾璐 ,  张航 ,  陈苗 ,  周玉凤 ,  简洋 ,  郭磊

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：第一电源模块用于为控制模块和恒流模块提供工作电压；控制模块用于提供模拟控制信号，并输出模拟控制信号至恒流模块；恒流模块用于对所述模拟控制信号进行处理；开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；测试模块用于连接待测N型MOSFET，并测试待测MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的开启或关闭，并接收参数信号，并根据参数信号输出数据信号至所述测试模块；第二电源模块还用于将数据信号实时传输至控制模块。本发明还提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。

公开(公告)号：CN117423668A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311391331.8

申请日：2023-10-24

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 成亮 ,  陈云乔 ,  敖华阳 ,  张航 ,  顾璐

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本申请提供一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法，所述双面散热结构包括：金属框架；金属引脚，设置于所述金属框架外侧，并与所述金属框架分隔开；驱动芯片，设置于所述金属框架上；两个晶体管，其分别设置于所述金属框架上，并与所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片和所述晶体管通过键合线与所述金属引脚键合；散热片，跨接在所述两个晶体管背离所述金属框架的一侧。本申请可提高器件的散热性能，保证器件运行的稳定性。

公开(公告)号：CN107275224B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201710628043.8

申请日：2017-07-27

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 章发国 ,  李述洲 ,  王兴龙 ,  谢茂

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明公开了一种二极管切筋整形机构，包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构，所述切筋整形模具包括上整形刀、上切筋刀、上压料杆、下切筋刀座、下切筋刀、下浮动块、下浮动块弹簧，上切筋刀位于对应侧的下切筋刀的外侧，从而将N个二极管单元多余的引脚切断，剩余引脚由上整形刀和上切筋刀进行第一个折弯点的折弯，之后上整形刀和上切筋刀一起向上运动，上压料杆由配备的驱动部分带动向下运动并结合下浮动块对N个二极管单元的剩余引脚进行第二个折弯点的折弯，最后上压料杆向上运动，下浮动块由下浮动块弹簧顶出并结合上压料杆、上整形刀共同对N个二极管单元进行挤压整形。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。

公开(公告)号：CN112885804A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110250762.7

申请日：2021-03-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  马红强 ,  徐向涛 ,  周玉凤 ,  王兴龙 ,  李述洲

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H02S40/34 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。

公开(公告)号：CN110055577B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201910373874.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王建平 ,  王利军 ,  吴新 ,  陈家德

IPC: C25D17/28 ,  C25D7/06

Abstract: 本发明提出一种轴向引线电子元器件的电镀方法，包括：电镀容器，用于盛放包含金属阳离子的电镀液；传送机构，用于传送待镀器件和引导待镀器件翻转；所述传送机构包括传送带和导向组件，所述导向组件用于引导待镀器件翻转及引导待镀器件浸入电镀容器的电镀液中；所述传送带上设置有用于浸入电镀液中进行电化学反应的电极；本发明极大地提高了生产效率，保证了电镀效果，消除了引线弯曲。

公开(公告)号：CN108573857B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201810399395.5

申请日：2018-04-28

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王兴龙 ,  李述洲 ,  郭晓峰

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种GPP芯片制备方法，包括如下步骤：1)将扩散好的PN结硅片上涂上光刻胶；2)采用HF:HNO3:HAc混合的腐蚀液进行腐蚀沟槽；3)采用LPCVD生长方式在沟槽内进行掺氧掺氮；4)刮涂玻璃粉，烧结玻璃；5)在步骤4)烧结后采用PECVD生长软Si3N4；6)进行二次光刻并镀Ni，然后镀N‑Si合金，镀完Ni‑Si合金后再次镀Ni；7)测试；8)背面激光划片。本发明在玻璃表面用PECVD生长软氮化硅(Si3N4)，从而形成低漏电流、高压、耐潮湿性好、低应力的高可靠性1A～50A以及300～1800V的GPP芯片，具有适应范围广、低成本、稳定性好以及高可靠等优点。

公开(公告)号：CN108206640B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201711461280.6

申请日：2017-12-28

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 徐向涛 ,  马红强 ,  张成方 ,  王兴龙 ,  李述洲

IPC: H02M7/217 ,  H02M7/00 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法，同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容；制造方法包括以下步骤：S1，使用软焊料工艺对MOS管进行粘片；S2，使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；S3，使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接，使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接；S4，使用低应力、耐高温塑封料进行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。