一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法

    公开(公告)号:CN114937677A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210688398.7

    申请日:2022-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法,包括外延层;外延层上刻蚀形成STI槽,外延层上进行阱注入形成STI阱注入区与传输管阱注入区,STI槽设置在STI阱注入区中;外延层上通过离子注入分别依次形成P埋层注入区、N埋层沟道注入区和传输管阈值调整注入区;P埋层注入区与传输管阱注入区相连接;外延层的下表面淀积有栅氧化层和多晶硅栅极;外延层通过自对准注入工艺分别形成N型PD注入区、N型FD注入区和P型钳位层注入区;FD注入区的下表面淀积有FD欧姆接触金属形成欧姆接触;外延层的下表面外侧淀积有钝化层。使实际的光电子传输沟道与栅氧化层/半导体界面分离,提升像元的抗辐照能力。

    一种高帧频CMOS图像传感器及其实现方法

    公开(公告)号:CN111294531A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN202010171737.5

    申请日:2020-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种高帧频CMOS图像传感器及其实现方法,属于CMOS图像传感器的帧频提升领域。本发明的高帧频CMOS图像传感器及其实现方法,时钟发生器通过时钟延迟单元产生多路异步时钟信号,异步时钟信号具有均匀的相位差,上升沿计数器和下降沿计数器根据异步时钟信号进行触发计数,而上升沿计数器和上下降沿计数器分别在时钟信号的上升沿和下降沿触发并计数,实现分辨率指数级提升,在同样分辨率下,实现帧频指数级提升。

    一种SAR型ADC的增益误差的校准装置及其校准方法

    公开(公告)号:CN111181564A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010172482.4

    申请日:2020-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种SAR型ADC的增益误差的校准装置及其校准方法,属于ADC转换增益误差的校正领域。本发明的校准装置,引入增益误差校准电容阵列对增益误差进行校准,可有效减小增益误差,提高ADC的转换精度。该增益误差校准技术具有双极性增益误差可校准性;该增益误差校准具有校准精度可调节性,可对不同极性和幅度的增益误差实现调整。本发明的校准方法,在校准时不影响正常的AD转换。

    一种适用于时序开关电路的噪声仿真分析方法

    公开(公告)号:CN110232251A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910528445.X

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明公开了一种适用于时序开关电路的噪声仿真分析方法,包括以下步骤:1)对时序开关电路进行瞬态仿真,并输入一个定频信号,电路的输出端输出仿真结果;2)对仿真结果进行采样,采样间隔为Tsample,得到离散采样序列;3)对离散采样序列进行频域变换,获得其频谱信息;4)根据频谱信息计算电路噪声;其中,Tsample为时序开关电路的工作周期,Tsig/Tsample>2,Tsig为定频信号的周期;定频信号的振幅在时序开关电路的大信号输入摆幅范围内;避免了交流仿真中由于电路大信号工作状态固定造成的噪声采样不完整。

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