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公开(公告)号：CN109672406B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811591020.5
申请日：2018-12-20
Applicant: 福州大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明涉及一种基于稀疏表示和SVM的光伏发电阵列故障诊断与分类的方法，首先采集光伏阵列不同工作状态下多组温照度的电流样本信号；接着对每个电流样本信号进行归一化处理，构造训练样本矩阵；然后实验探索K‑SVD算法学习过完备字典的参数设置，并分别学习正常字典、单组串1个组件短路字典及单组串一个组件开路字典和单组串2个组件短路字典；接着调用OMP算法，用学习的四种字典重构每一类的电流信号，并计算出原电流信号和重构信号的均方根误差，并可以得到多个特征向量；最后设置SVM的参数，由特征向量训练故障分类器以实现光伏阵列的故障诊断和分类。本发明不需要其他的数据特征，且能在不影响光伏发电系统工作的情况下进行故障检测与分类。
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公开(公告)号：CN108051633B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201711411080.X
申请日：2017-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种获得拓扑绝缘体硒化铋反常线偏振光电流的方法，将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，沿着硒化铋样品两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，每一个二分之一波片角度下的光电流通过前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集，对采集数据进行拟合计算，得到拓扑绝缘体硒化铋在线偏振光垂直入射下不同光斑位置处的光电流与二分之一波片角度的关系，并通过公式拟合，将不同光斑位置处的反常线偏振光电流提取出来。本发明方法简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN108151931B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201711411078.2
申请日：2017-12-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力的方法，将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，沿着硒化铋样品两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，每一个二分之一波片角度下的光电流通过前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集，对采集数据进行拟合计算，得到硒化铋在线偏振光垂直入射下不同光斑位置处的逆自旋霍尔电流L2，并通过模型拟合，得到硒化铋中由线偏振光产生的自旋横向力。本发明通过线偏振光注入自旋流来实现逆自旋霍尔效应，估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力，方法简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN106611707B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710016991.6
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L21/66 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法，过改变入射激光波长有效调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势。本发明的方法调控效果显著，实施简便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783966B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710017041.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法。该方法通过改变样品温度有效调控了GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；其次，调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，并使激光入射角为30°；最后，将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。本发明方法可行性高，调控效果显著，且实施简便。
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公开(公告)号：CN109146861A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810880470.X
申请日：2018-08-04
Applicant: 福州大学
CPC classification number: G06T7/0002 , G06K9/4604 , G06K9/4671 , G06T7/30 , G06T7/66 , G06T2207/10004 , G06T2207/20164
Abstract: 本发明涉及一种改进的ORB特征匹配方法，包括以下步骤：步骤S1:采用改进的FAST14‑24方法进行角点的初步提取,得到角点；步骤S2:根据得到的角点，采用Shi‑Tomasi角点检测算法进行特征点优选，得到特征点；步骤S3:利用灰度质心法对特征点集进行处理确定特征点的方向；步骤S4:根据特征点集，采用类视网膜描述符提取算法，得到特征描述符；步骤S5:根据得到的特征描述符，采用学习的方法来提取低相关性的采样点对的位置，得到优化的特征描述符。步骤S6:使用汉明距离进行特征匹配。本发明得到的优化的特征描述符相比现有的rBRIEF描述符，具有更好的鲁棒性和更高的精度。
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公开(公告)号：CN108920845A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810734873.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50 , H01L29/775
Abstract: 本发明涉及一种实现氧化锌线状晶体管电导可调的方法，其特征在于：所述氧化锌线状晶体管包括重掺硅/二氧化硅衬底、氧化锌线状介质以及一对钛电极；所述氧化锌线状晶体管电导可调的方法包括以下步骤：设氧化锌线状晶体管的阈值电压为VG1，某一栅极电压下的电导状态为C1；对氧化锌线状晶体管的栅极施加-V1~V2范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VG2，可以获得该栅压下的第2电导状态C2；对氧化锌线状晶体管的栅极施加-V1~Vi范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VGi，可以获得该栅压下的第i电导状态Ci。通过本发明可以对具有良好的电导调节特性氧化锌线状晶体管，获得在同一栅极电压下不同的电导状态。
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公开(公告)号：CN108467018A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810342828.3
申请日：2018-04-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开一种在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法，采用无催化剂辅助的化学气相沉积法，以Bi2Se3粉末为源材料，采用单口石英管的管式炉作为生长设备，根据气固生长机制在云母衬底上生长Bi2Se3纳米片，生长温度为600℃，实验方法简单易行，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN108423643A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810343133.7
申请日：2018-04-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种通过控制气体流量在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法，采用无催化剂辅助的化学气相沉积法，以单口石英管的管式炉为生长设备，采用高纯氩气流量为70 sccm，生长时间为30min，根据气固生长机制在云母衬底上生长Bi2Se3纳米片，实验方法简单易行，具有广阔应用前景。
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