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公开(公告)号：CN104195552A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410338437.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L21/02631 , H01L21/02381 , H01L21/02565
Abstract: 本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO2薄膜的方法，用以提高VO2薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底，首先清洗硅基底，然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al2O3缓冲层，最后采用反应磁控溅射法以制备有Al2O3缓冲层的Si基底为衬底，溅射制备VO2薄膜。本发明工艺简单，易于实现；制备的Si基VO2薄膜具有极强的择优取向，成膜质量高，也更接近于金红石型VO2；通过Al2O3缓冲层的引入，减小了相变弛豫时间，也极大的提高了电阻变化率，本发明引入的Al2O3缓冲层厚度仅为25nm，并不会造成Si基VO2薄膜在作为电致开关或者电致存储器件时其阈值电压过大；本发明对推进VO2薄膜在半导体器件中的应用具有重大意义。
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公开(公告)号：CN101943803A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010218977.2
申请日：2010-07-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/00
Abstract: 一种用于太赫兹波调制的结构材料，属于电子技术领域。该结构材料包括介质基板(2)和附着于介质基板(2)表面的电磁共振器阵列(1)；其中介质基板(2)是对太赫兹波高度透明的介质材料基板，电磁共振器阵列(1)是由多个相同形状和尺寸的电磁共振器单元构成的阵列，且每个电磁共振器单元由沉积于介质基板(2)表面的二氧化钒薄膜形成。本发明采用对太赫兹波高度透明的介质材料作为基板，具有非常小且稳定的太赫兹波吸收损耗；采用高速相变材料一二氧化钒薄膜制作电磁共振器阵列，借助于热或激光调制，通过激发二氧化钒薄膜的相变来实现太赫兹波的调制。相对于现有的基于金属电磁共振器阵列的太赫兹调制器，本发明具有更大的调制深度。
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公开(公告)号：CN101319390A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810044640.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Lu2O3和Bi2O3，研磨，混和后熔化并放置，然后降低温度至生长温度；步骤二清洗GGG基片；步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3－15°，缓慢放入熔体中，准备外延生长；步骤四在生长过程中，基片以60－100转/分的速率转动，达到预设的生长时间后，将基片缓慢提离熔体液面；步骤五生长结束后，将基片高速旋转，以甩掉基片上的残留液滴，然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂；步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi2O3助熔剂。
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公开(公告)号：CN120089949A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510426227.0
申请日：2025-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种太赫兹多层全介质吸波超表面及制备方法，属于光电材料与器件技术领域。所述吸波超表面包括铜衬底，贴合于铜衬底之上的PDMS介质薄膜，填充于PDMS介质薄膜之中的介质超表面结构层，介质超表面结构层由多个方块单元组成，每个方块单元包括2个大方块和2个小方块按照2×2排列的下层方块和位于介质超表面结构中心的上层方块。本发明不需要多次光刻和沉积，极大减小了制备复杂度；并且可以将平面组合式吸波超表面和层叠式谐振吸波方案叠加起来，各层结构均可以有较大的平面复杂度，然后通过层叠式方案进行宽频的吸波叠加。
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公开(公告)号：CN118725508A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410306996.2
申请日：2024-03-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域，涉及电磁波吸收材料，具体提供一种基于稀疏型大颗粒磁电协同机制的宽频高吸收材料，用以解决现有技术吸收性能差、带宽窄、损耗机理单一等问题。本发明将广泛用于微波段吸波材料的羟基铁粉微米级颗粒与具有微米级大面积的MXene二维材料作为吸收介质，利用羟基铁粉微米颗粒和MXene二维材料的高分散性以及两者同处于微米数量级的特性，将其与环氧树脂聚合物复合，形成了大颗粒稀疏分散状三维结构；同时，进一步结合CNC工艺加工形成金字塔阵列型结构，在0.2～1.2THz的频率范围中可以实现RL≥40dB、RLmax≈‑58dB的吸收效果，为解决现有宽口径太赫兹黑体源发射率低、带宽小、性能受吸波涂层制约等问题提供了一种新思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117004163A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311123308.0
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁屏蔽材料领域，具体提供一种透明可伸展的水凝胶基太赫兹屏蔽材料及其制备方法，用以解决现有太赫兹屏蔽材料的可见光透过率低与机械延展性低的问题。本发明中太赫兹屏蔽材料为三维聚合物网络与极性溶液构成的水凝胶，极性溶液为纯水与极性有机溶剂的混合液，极性有机溶剂为乙醇、乙二醇、甘油、山梨醇中的一种，且纯水与极性有机溶剂的体积比为1:1。本发明提供的水凝胶基太赫兹屏蔽材料具有优异的太赫兹波屏蔽性能，屏蔽效能在0.5～4.5THz波段能达到40dB以上，且具有优异的可见光透明度与机械拉伸性能；同时，本发明提供水凝胶基太赫兹屏蔽材料的制备方法，采用化学聚合法，其制备工艺简单，制备成本低。
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公开(公告)号：CN111916917B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010778633.0
申请日：2020-08-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 一种基于MXene的太赫兹波宽带超强吸收泡沫，属于电磁功能材料技术领域。包括聚合物多孔泡沫，以及附着于聚合物多孔泡沫之上的MXene纳米片，其中，MXene纳米片以包覆形态、成膜形态和悬挂形态附着于多孔聚合物泡沫上，多孔聚合物泡沫的平均孔径≥500μm，多孔聚合物泡沫的厚度≤10mm，MXene纳米片填充质量小于吸收泡沫质量的50％。本发明利用MXene二维纳米片的超高导电性和在水溶液中的高分散性，通过与表面功能化的聚合物多孔泡沫复合，形成了兼顾大孔径和大吸收面积的三维网络结构，实现了0.3～1.65THz范围内高达99.99％以上的超高吸收率和低至0.00003％的极低反射率。
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公开(公告)号：CN116654898A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310718375.0
申请日：2023-06-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于太赫兹吸波技术领域，具体提供一体化渐变梯度泡沫炭太赫兹吸波材料及其制备方法，用以解决解决现有多层梯度电磁吸波材料存在的吸波剂容易脱落及粘连剂高温失效等问题。本发明利用微波的选择性吸波加热特性提出选择性烧结工艺，并通过选着性烧结工艺成功制备得到一体化渐变梯度泡沫炭，无需掺杂或浸渍其他吸波剂，在不改变材料的组分的前提下原位形成梯度结构，实现多层梯度材料的太赫兹吸波功效。本发明既能解决吸波剂容易脱落的问题，又能解决层状梯度材料中粘连剂高温失效的问题；并且，泡沫炭原料价格低廉、来源广泛，一体化渐变梯度泡沫炭制备工艺简单，且具有可调控性好、迅速便捷、环保节能等优势。
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公开(公告)号：CN115947600B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211240981.8
申请日：2022-10-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12，具有超低的烧结温度和高Q×f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代，获得了出色的微波介电性能(εr＝7.9,Q×f＝43844GHz,τf＝‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1＝7.4,tanσ1＝0.0158,Tcoefficient＝0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件，其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。
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公开(公告)号：CN114512816B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210192208.2
申请日：2022-03-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高效率反射式太赫兹波束偏折器，包括M×N阵列排列的超排列单元，所述超排列单元由K个1×K排列的超表面单元组成，所述超表面单元包括介质基板、位于介质基板上表面的矩形贴片和位于介质基板下表面的金属层，所述矩形贴片与介质基板具有相同的中心；所述超排列单元中的K个超表面单元的矩形贴片的长度各不相同。本发明提供的一种高效率反射式太赫兹波束偏折器，可实现对线极化馈源的反射传输，在线极化电磁波的激励下，实现了工作频点附近良好的波束偏转效果，且该超表面的反射效率达到90％以上。
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