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公开(公告)号：CN107741278A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710918927.7
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间；还涉及上述传感器的制备方法，提供一未进行牺牲层释放的双层非制冷红外探测器，在其上制备超材料结构后，进行牺牲层释放，制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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公开(公告)号：CN106098846B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201610496899.X
申请日：2016-06-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外探测器参考像元及其制造方法。在ASIC电路上设置的金属反射层，以及在所述金属反射层上依次为绝缘介质层、牺牲层、支撑层、热敏薄膜、介质保护层、电极金属层、金属填充图形、遮光层、保护结构和钝化层介质；所述牺牲层上设有桥墩孔；所述桥墩孔内设有通孔；所述介质保护层中设有接触孔。本发明完成了参考像元的特殊结构，同时因参考像元大面积的被覆盖了一层金属层，提高了参考像元阵列的热导，极大的消除了芯片环境的热辐射干扰因素，提高非制冷红外探测器的器件性能。
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公开(公告)号：CN107063473A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710253080.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备电极的曲面焦平面探测器，所述探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，且其电极层和热敏层均为氧化钛薄膜，平坦度较高，且能够适用大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述探测器的制备方法，在支撑层上制备氧化钛薄膜，用光阻覆盖桥面区域的氧化钛薄膜，对桥腿处的氧化钛薄膜进行离子注入，桥面区域的氧化钛薄膜为半导体氧化钛薄膜，相当于热敏层；桥腿区域的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜；还包括对探测器减薄至50μm以内，并对其进行弯曲定型的步骤；可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像。
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公开(公告)号：CN107063472A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710252827.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: G01J5/20 , B81C1/00015 , G01J2005/0077
Abstract: 本发明涉及氧化方法制备热敏层的曲面焦平面探测器，所述探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，且其电极层和热敏层处于同一层上，半导体氧化钛薄膜为热敏层，钛薄膜为电极层，平坦度较高，且能够适用大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述探测器的制备方法，在支撑层上制备钛薄膜，并对桥腿处的钛薄膜进行氧化，桥面区域的形成半导体氧化钛薄膜，相当于热敏层；桥腿区域的钛薄膜相当于电极层；还包括对探测器减薄至50μm以内，并对其进行弯曲定型的步骤；可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106800271A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710053126.9
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81C1/00142 , B81C1/005
Abstract: 本发明涉及一种新型非制冷红外焦平面探测器像素结构制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属层；在完成图形化金属层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并在完成图形化处理的第一牺牲层和第二牺牲层上沉积第二支撑层；在沉积完的第二支撑层的半导体基座上通过光刻和蚀刻的方法刻通孔；光刻或蚀刻第二支撑层和第一保护层以得到接触孔，接触孔光刻和蚀刻终止于热敏层；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
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公开(公告)号：CN106298827A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610866664.5
申请日：2016-09-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法，属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。其自半导体衬底往上，依次包括三层结构，第一层的桥腿结构包括金属反射层、绝缘介质层、第一支撑层、第一支撑层保护层、第一金属电极层和第一氮化硅介质层；第二层的热转换结构包括第二支撑层、第二支撑层保护层、热敏层、热敏层保护层、第二金属电极层、第二氮化硅介质层；第三层的吸收层结构包括第三支撑层、吸收层和吸收层保护层。本发明还公开了上述新型非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法。本发明的非制冷红外焦平面探测器像元，能显著提高红外辐射的吸收率，提升探测器的响应率，为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
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公开(公告)号：CN106098846A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610496899.X
申请日：2016-06-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外探测器参考像元及其制造方法。在ASIC电路上设置的金属反射层，以及在所述金属反射层上依次为绝缘介质层、牺牲层、支撑层、热敏薄膜、介质保护层、电极金属层、金属填充图形、遮光层、保护结构和钝化层介质；所述牺牲层上设有桥墩孔；所述桥墩孔内设有通孔；所述介质保护层中设有接触孔。本发明完成了参考像元的特殊结构，同时因参考像元大面积的被覆盖了一层金属层，提高了参考像元阵列的热导，极大的消除了芯片环境的热辐射干扰因素，提高非制冷红外探测器的器件性能。
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公开(公告)号：CN208937193U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821575498.4
申请日：2018-09-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种非制冷红外探测器，其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点，实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻，从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下，可以有效减小锚点的体积，从而便于非制冷红外探测器的小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208796979U
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201821203812.6
申请日：2018-07-27
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L23/26
Abstract: 本实用新型属于高真空电子器件领域，公开了一种三维吸气剂薄膜结构，包括衬底、凸出部，所述凸出部以以阵列排布方式分布于所述衬底的表面；以及吸气剂薄膜，所述吸气剂薄膜均匀沉积在所述凸出部和未被所述凸出部覆盖的衬底表面。采用本实用新型，具有提高吸气剂薄膜单位占用面积吸气性能的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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