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公开(公告)号：CN102360709B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110170928.0
申请日：2011-06-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法。所述铌酸锂薄膜中掺杂Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素。本发明提供的铌酸锂薄膜的制备方法，包括如下步骤：采用离子注入法向铌酸锂基底中注入Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素；所述注入采用至少三种不同的注入能量。由于离子注入的过程中的掺杂离子在基体中分布的浓度内外差别比较大，不利于获得掺杂均匀的材料。
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公开(公告)号：CN102945923A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210418767.7
申请日：2012-10-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种互补型阻变存储器及制备方法。该存储器，由下至上依次包括底电极、氧储备层、存储介质层和顶电极。其中，二氧化钛纳米存储介质层和氮氧化钛氧存储层是通过将氮化钛薄膜进行等离子体氧化的方法制备。通过电激励使氧空位在纳米存储介质层的上、下两个界面间分布，实现互补型阻变功能。本发明提供的存储器，有效解决了阻变存储器十字交叉阵列中的串扰问题，具有制备方法简单、成本低等特点，用于开发高存储密度、低功耗、纳米尺度非易失性阻变存储器。
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公开(公告)号：CN102386885A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110166512.1
申请日：2011-06-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有大机电耦合系数和低插入损耗的声表面波滤波器及其专用压电薄膜。所述压电薄膜为掺杂V、Cr和Fe中任一种的ZnO压电薄膜。本发明提供的声表面波滤波器包括衬底、沉积于所述衬底上的所述压电薄膜和设于所述ZnO压电薄膜上的输入叉指换能器与输出叉指换能器；所述压电薄膜为掺杂V、Cr和Fe中任一种的ZnO压电薄膜。通过采用具有高声表面波速度的材料作为衬底，在其上沉积ZnO薄膜，通过电子束直写工艺制备亚微米的叉指换能器，可以制备频率高达4GHz以上的高频薄膜声表面波滤波器。
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公开(公告)号：CN102360710A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110166520.6
申请日：2011-06-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。该ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于基片上的稀磁薄膜和反铁磁薄膜；其中，构成稀磁薄膜的材料为Zn1-xTMxO，所述Zn1-xTMxO中，x为0.2％-10.0％，优选3％-5％，TM为过渡金属元素；构成反铁磁薄膜的材料选自过渡金属氧化物中的至少一种。本发明通过在ZnO基稀磁薄膜上沉积一薄层反铁磁薄膜或在反铁磁薄膜上沉积一层稀磁薄膜来提高ZnO基稀磁薄膜的室温铁磁性，利用室温铁磁性TM:ZnO薄膜和反铁磁薄膜的界面近邻效应，使双层膜结构的室温饱和平均原子磁矩(μB/Co)相对单层稀磁薄膜结构的平均原子磁矩明显增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102360709A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110170928.0
申请日：2011-06-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法。所述铌酸锂薄膜中掺杂Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素。本发明提供的铌酸锂薄膜的制备方法，包括如下步骤：采用离子注入法向铌酸锂基底中注入Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素；所述注入采用至少三种不同的注入能量。由于离子注入的过程中的掺杂离子在基体中分布的浓度内外差别比较大，不利于获得掺杂均匀的材料。
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公开(公告)号：CN101820047A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010170458.3
申请日：2010-05-06
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/22
Abstract: 本发明公开了属于新材料技术领域的一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法。制备掺入不同Fe含量的ZnO薄膜，Fe掺杂的ZnO薄膜组成成分及各成分原子百分比为：0≤Fe≤2.6at.％，47.4at.％≤Zn≤50at.％，其余为O；对Fe掺杂的ZnO薄膜在O2气氛下进行热处理。当Fe含量为1.2at.％时，Fe掺杂的ZnO薄膜可以不进行热处理也能有较大的压电常数。通过合适的Fe含量掺杂或者在O2气氛下退火，可以提高ZnO薄膜材料的压电常数，得到比未掺杂的ZnO薄膜大一个数量级的压电常数。
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公开(公告)号：CN100521273C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710118646.X
申请日：2007-07-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于新材料制备技术领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。本发明使用Cu、Ni元素共掺杂对ZnO体系进行掺杂改性的方法，由于掺杂后ZnO薄膜c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数变小，并且平均等效原子电荷数变大，因而压电性比掺杂前明显提高，而Cu、Ni二价离子3d层的空能态还能俘获薄膜中的自由电子，因此具有提高薄膜电阻率的效果。经过掺杂改性后的ZnO薄膜在常温下表现出优异的压电特性和高的电阻率：d33(d33＞14pC/N)和高的电阻率(ρ＞1010Ω·cm)。
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公开(公告)号：CN101104566A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710118962.7
申请日：2007-06-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种具有铁电性的V掺杂ZnO薄膜及其制备方法，属于存储器材料制备领域，特别涉及铁电体薄膜材料的制备。其组成中，V含量为0.2～2.0at.％，Zn和V的总含量为50at.％，其余为O；该薄膜可用反应溅射的方式制备，所用靶材为纯锌和纯钒的复合靶，钒与锌靶的接触面积为锌靶面积的4～9.5％，反应气体为纯氩和纯氧，氩气和氧气的比例为1∶3至1∶1，背景真空压力小于5×10－4Pa，溅射气体总压力0.8Pa，基片温度为100～500℃。该薄膜在常温下显示出较好的剩余极化，具有沿c轴方向的择优取向，与硅基材的附着力和介电性能也都较好。
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公开(公告)号：CN1252916C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200410096819.9
申请日：2004-12-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03H3/08
Abstract: 本发明公开了属于声表面波器件制造技术的一种金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法。是在金刚石薄膜(或单晶)表面先光刻显影SAW器件图形，在图形的部位用离子注入方法注入第IIIA族元素或第VA族之一的元素，然后，在注入离子后的金刚石表面沉积多晶ZnO薄膜，最后，去除光刻胶，得到换能器图形。此方法通过注入离子使金刚石表面电阻率大大降低，导电能力极大增强，从而替代原有的沉积导电薄膜。不需要沉积Al薄膜，也不需要刻蚀过程。因此，操作大大简化，同时器件的抗功率承受力也极大增强。本方法不需要沉积导电薄膜，也不需要刻蚀过程，因而制备工艺大大简化。
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