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公开(公告)号：CN103730462B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410024428.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件，可用于片上IC高压ESD自保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、薄栅氧化层、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和多晶硅栅构成。本发明设计的LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，可分别形成寄生LDMOS-SCR结构和两个二极管与LDMOS导电沟道相连的ESD电流泄放路径，快速泄放ESD电流，提高器件触发回滞后的维持电流和失效电流、增强器件的ESD鲁棒性，适用于高压电路的ESD自保护。
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公开(公告)号：CN104485329A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410521877.5
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压的IGBT结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该IGBT结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、N阱、高压N阱、P阱、N+注入区形成具有PNPN结构的电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第三P+注入区、N阱、第四P+注入区、第一P+注入区、P阱以及第二P+注入区形成寄生PNP三极管和寄生电阻串联的另一条电流泄放路径，以提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN102969312B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210548959.X
申请日：2012-12-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种双向衬底触发的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由衬底Psub，高压深N阱，N阱，轻掺杂的P型漂移区，高掺杂的第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第二P+注入区，第三N+注入区，第三P+注入区，多晶硅栅，栅薄氧化层以及若干场氧隔离区构成。该保护器件可以在正、反向ESD高压脉冲作用下，高压N阱或N阱与衬底界面处的反向PN结被触发导通，促使内部SCR与LDMOS两结构同时工作，形成ESD电流泄放路径，以提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻。通过拉升LDMOS器件的沟道长度、内部结构设计及其版图层次的优化，以提高器件的维持电压，实现高性能的ESD保护。
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公开(公告)号：CN102983136B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210549225.3
申请日：2012-12-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由衬底Psub，N埋层，P外延，N下沉阱，高压深N阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区，多晶硅栅，栅薄氧化层和若干场氧隔离区构成。该保护器件在高压ESD脉冲作用下，内部纵向NPN结构的反向PN结被触发导通，形成并联连接的多条ESD电流泄放路径，可以提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻，增强器件的鲁棒性。通过拉升LDMOS器件多晶硅栅的长度，增大NPN结构的基区宽度，以及利用N埋层和N下沉阱，延长器件触发导通后的电流路径，改变器件内部的电场分布，提高器件的耐压能力和维持电压。
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公开(公告)号：CN103948329A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410210887.7
申请日：2014-05-19
Applicant: 江南大学
IPC: A47J39/02
Abstract: 本发明涉及一种便携式加热保温控湿套件，其包括保温腔体、加热腔体、控湿腔体、传感模块、中央控制单元、调节模块、信号处理电路和显示电路；所述传感模块置于所述保温腔体内部，包括用于检测所述保温腔体内部空气的温度传感器和湿度传感器；所述加热腔体内设有加热器；所述控湿腔体内设有干燥剂放置槽、排水口和半导体制冷片；所述加热腔体与所述控湿腔体之间通过换气扇加速气体交换；所述传感模块、所述加热腔体、所述控湿腔体的物理信号由所述中央控制单元、所述信息处理电路和所述调节模块进行控制、调节；所述显示电路具有数字显示等功能。本发明结构简单紧凑，使用方便，适应性好，节能环保，干净卫生，安全可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102983133A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210504669.5
申请日：2012-11-28
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种双向三路径导通的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。包括P-衬底、N+埋层、左/右N型外延、漂移区、高压P阱、漏区、源区、多晶硅栅、阳极/阴极接触区。其中漂移区、高压P阱、漏区、源区、多晶硅栅构成的NLDMOS结构和阳极接触区、N+埋层、高压P阱和源区构成的正向SCR结构，形成两条高压ESD电流泄放路径，可提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻和触发电压。阴极接触区、左N型外延、高压P阱、N+埋层和漏区构成的反向SCR结构，形成一条反向高压ESD电流泄放路径。上述两种SCR结构的电流路径较长，可提高器件的维持电压，还能实现ESD电流双向泄放，具有双向ESD保护功能。
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公开(公告)号：CN102969312A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210548959.X
申请日：2012-12-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种双向衬底触发的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由衬底Psub，高压深N阱，N阱，轻掺杂的P型漂移区，高掺杂的第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第二P+注入区，第三N+注入区，第三P+注入区，多晶硅栅，栅薄氧化层以及若干场氧隔离区构成。该保护器件可以在正、反向ESD高压脉冲作用下，高压N阱或N阱与衬底界面处的反向PN结被触发导通，促使内部SCR与LDMOS两结构同时工作，形成ESD电流泄放路径，以提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻。通过拉升LDMOS器件的沟道长度、内部结构设计及其版图层次的优化，以提高器件的维持电压，实现高性能的ESD保护。
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公开(公告)号：CN117674051A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311653736.4
申请日：2023-12-05
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种高频通信接口的静电浪涌防护电路以及寄生电容抑制方法，包括一触发钳位电路，以及两条SCR电流泄放路径。本发明通过所述触发钳位电路辅助触发所述两条SCR电流泄放路径，以实现静电浪涌防护电路低电容、快速开启、导通后强电压钳位的功能。本发明在面对静电浪涌应力时，可根据应力大小触发开启不同击穿点位置，并通过不同方向泄放静电浪涌电流，从而保护高频通信接口。另一方面，本发明还针对高频通信接口的频率响应高、工作功耗低、系统高可靠性的工作特性，结合集成电路工艺平台特征，开展低电容、低漏电、强静电浪涌鲁棒性及双向静电浪涌防护电路设计，提升高频通信接口的静电浪涌防护效能。
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公开(公告)号：CN116093104A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310313608.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于直流/直流转换芯片的静电与浪涌防护电路，包括P衬底、深N阱、第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区、第五N+注入区、第三P+注入区、硅化物、多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层。本发明所述的一种应用于直流/直流转换芯片的静电与浪涌防护电路，其利用栅接低电位NMOS触发电压低的特性，NPN型三极管、通过设计PNP与NPN型三极管复合结构，构建含多条电流泄放路径的ESD/EOS防护电路，用于增强DC‑DC转换芯片的ESD/EOS防护能力，具有低电压触发、小回滞、快速开启等优点，还能依托多泄流路径，提高二次失效电流。
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公开(公告)号：CN114188927B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111462754.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 江南大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了一种快速响应抗闩锁的静电浪涌保护集成电路，属于电子产品的静电放电与浪涌防护领域。本发明采用由晶体管和电阻构成的SCR路径作为主电流泄放电路，大幅降低了保护电路占用的芯片面积，降低了表面电场和栅氧击穿的风险，同时提高了保护电路的自保护能力和鲁棒性；设计内嵌的齐纳管和MOS管，形成多耦合辅助触发电路，当静电浪涌应力到来，辅助主电流泄放电路的开启，提高电路的响应速度，增强电流泄放能力和电压钳位能力；引入稳压钳位电路和肖特基钳位电路作为两条分支泄流路径，抑制了正反馈效应，提高了电路的抗闩锁能力；本发明能够在降低电路面积的条件下提高主电流泄放电路的开启速度，并具有出色的抗闩锁能力和强鲁棒性。
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