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公开(公告)号：CN111081629A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911066355.X
申请日：2019-11-04
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/762 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法和空腔位置确定方法，对准标记制作方法包括：步骤1：提供第一组硅片，通过光刻和刻蚀工艺形成空腔结构；步骤2：提供第二组硅片，通过光刻和刻蚀工艺在表面预定位置处形成至少两个凹槽；步骤3：将第二组硅片的上下表面进行氧化处理形成氧化层，凹槽中应填充满氧化物，然后对氧化层进行磨平；步骤4：将两组硅片进行键合，得到带空腔SOI晶圆；步骤5：刻蚀掉带空腔SOI晶圆顶部的氧化物，并研磨顶部硅片至被氧化物填充的凹槽的表面处停止，将氧化物填充的凹槽作为空腔的对准标记，其中，根据对准标记与各个空腔的相对位置关系，确定带空腔SOI晶圆上所有的空腔的位置。
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公开(公告)号：CN110890872A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911126025.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/54
Abstract: 本发明公开了一种降低超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的方法，该方法是在叉指电极和压电层中间沉积一层中间介质层，形成叉指电极、中间介质层、压电层的三层结构；将叉指电极中相邻的电极指加极性相反的电压，在压电层产生感应电荷，产生逆压电效应；中间介质层在叉指电极上的电压和压电层的共同的作用下，在其与电极接触的表面聚集感应电荷；通过调节中间介质层的厚度或者介电常数调节谐振器的机电耦合系数，其中介电常数的改变可通过选择不同介电常数的材料来实现。本发明降低超高频谐振器的有效机电耦合系数，使该种谐振器应用在窄带滤波器成为可能。
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公开(公告)号：CN109119531B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810917285.3
申请日：2018-08-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L41/332
Abstract: 本发明提供了一种柔性传感器的制造方法，该方法能够促使刻蚀顺利进行，并显著提高柔性传感器剥落的成功率。本发明涉及的柔性传感器的制造方法，特征在于，包括以下步骤：步骤1.在硅衬底上涂光刻胶，进行光刻，对硅衬底进行刻蚀，产生形成有多个支撑柱的凸台；步骤2.在凸台上沉积二氧化硅薄膜层；步骤3.依次沉积或覆盖制造传感器的各层材料；步骤4.通入二氧化硅刻蚀剂对二氧化硅薄膜层进行刻蚀；步骤5.将传感器剥落。
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公开(公告)号：CN110560352A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910752992.6
申请日：2019-08-15
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Helmholtz共振腔的可调频超声传感器阵列，包括基材、布设于所述基材上的超声发射装置和声波接收装置，所述声波接收装置包括声学传感器以及设置在所述声学传感器上的Helmholtz共振腔。本发明将超声发射装置和接收装置布置在同一个晶片上，超声发射装置中的声学传感器和声波接收装置中的Helmholtz共振腔的共振频率一致，声波接收装置中声学传感器的共振频率高于或低于前两者的共振频率，可以避免阵列单元之间的串扰。
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公开(公告)号：CN110560350A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910759772.6
申请日：2019-08-16
Applicant: 武汉大学
IPC: B06B1/06
Abstract: 一种基于Helmholtz共振腔的接收超声换能器，包括通过键合结合的Helmholtz共振腔以及MEMS压电超声换能器；MEMS压电超声换能器由压电叠层结构以及带腔体硅衬底组成，Helmholtz共振腔由压电叠层结构上方的带有上部开口的带腔体硅结构组成，上部开口中形成Helmholtz共振腔孔，其中的空气组成Helmholtz共振腔空气柱；底部带腔体硅衬底结构中部刻蚀形成凸起的硅衬底支柱，压电叠层结构上围绕硅衬底支柱蚀刻环形沟槽，且压电叠层结构上以硅衬底支柱为中心刻蚀若干条径向沟槽，将压电叠层结构分隔成若干扇形或梯形结构；若干扇形或梯形结构形成悬臂梁，且其与硅衬底支柱接触一端形成固定端，远离硅衬底支柱的一端形成自由端。本发明可提高接收超声换能器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110417371A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910557023.5
申请日：2019-06-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器，包括衬底；声子晶体层，声子晶体交叠沉积在衬底表面上，散射体周期排列在基体材料中，散射体的材料与基体不同；压电振荡堆层，由下至上包括底电极，压电材料薄膜和顶电极。本发明利用材料结构设计来加强薄膜体声波谐振器中纵波的反射，以及减少横向剪切波的耗损。散射体能够在特定的工作频率范围内对声波屏蔽，对应工作频率的声波将被完全反射，减小横向剪切波，提高谐振器的Q值。另外所述基于声子晶体的薄膜体声波谐振器不需要在衬底上设置空腔结构，增强了谐振器的稳定性，同时谐振器产生的热量可以有效的通过声子晶体传输和散热，增强了谐振器的散热能力，提高其功率容量。
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公开(公告)号：CN110231263A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910433998.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N15/06
Abstract: 本发明公开了一种具有自清洁功能的PM2.5质量传感器及其制备方法，所述的PM2.5质量传感器包括声表面波器件和纳米柱阵列；声表面波器件由一对低谐振频率叉指电极、一对高谐振频率叉指电极、压电薄膜、基底组成；纳米柱阵列生长在压电薄膜上，位于两对叉指电极的对称中心区域。本发明的具有自清洁功能的PM2.5质量传感器通过纳米柱阵列吸附环境空气中的PM2.5颗粒，使低谐振频率叉指电极输出的电信号频率发生漂移来监测PM2.5的浓度；通过高谐振频率叉指电极来实现传感器的自清洁功能。本发明操作简单，能够方便、精确、经济的实现各种环境下PM2.5颗粒浓度的监测。
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公开(公告)号：CN110113026A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910429665.7
申请日：2019-05-22
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/15
Abstract: 本发明属于谐振器技术领域，公开了一种二维兰姆波谐振器，压电层的上下两面布置第一电极阵列、第二电极阵列，第一电极阵列、第二电极阵列分别包括沿第一方向、第二方向排列的多条正电极列、第一负电极列，且正电极列和负电极列交替排布；正电极列包括多个正电极，相邻的两个正电极通过电桥连接，负电极列包括多个负电极，相邻的两个负电极通过电桥连接；第一方向和第二方向互相垂直；第一电极阵列中的任意一个正电极向第二电极阵列的正投影覆盖其中一个负电极，第一电极阵列中的任意一个负电极向第二电极阵列的正投影覆盖其中一个正电极。本发明提供的二维兰姆波谐振器可以提高谐振器机电耦合系数、减少寄生模式。
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公开(公告)号：CN118868846A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411327971.7
申请日：2024-09-24
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/13 , H03H9/02 , H03H9/145 , H03H9/17 , H03H9/25 , H03H9/54 , H03H9/64 , H03H3/02 , H03H3/08
Abstract: 本申请提供了啁啾型衬底、谐振器、滤波器及制备方法，谐振器包括由上至下依次设置的压电层、啁啾型布拉格反射层和衬底层，啁啾型布拉格反射层由多个布拉格反射层堆叠形成，按层叠方向由上至下包括顶层布拉格反射层、中间布拉格反射层、底层布拉格反射层，多个布拉格反射层均由上至下由低声阻抗布拉格反射层和高声阻抗布拉格反射层层叠设置而成，啁啾型布拉格反射层的厚度与啁啾型布拉格反射层的啁啾率相关并沿着层叠方向呈线性变化。本申请提供的啁啾型衬底，通过将各布拉格反射层的厚度设计成线性相关，改善了谐振器目标频率声波反射率，增大衬底的吸收带宽和低频段增强折射率，在4GHz以上，使啁啾型布拉格反射层的反射能力具有频段集中性，有效抑制高频主模态旁的伪模态。
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