-
公开(公告)号：CN104987060B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510344609.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法：高温烧制获得微米级粉体，加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合，再加入粘接剂压制成型，高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构，实现对低密度蒸发材料的结构强化，所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度，抗热冲击性能好，彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。
-
公开(公告)号：CN106129262A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610540845.9
申请日：2016-07-11
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0032 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法，所述方法包括：采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层，第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS，第二空穴注入层材料采用WO3、MoO3或V2O5；在阳极层上采用旋涂工艺制备第一空穴注入层，在第一空穴注入层上采用真空热蒸镀工艺制备第二空穴注入层，在第二空穴注入层上叠接空穴传输层。本发明能有效地促进空穴的注入、增加发光层中空穴的数量，从而促进空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的辐照度和发光效率，同时制备工艺简单。
-
公开(公告)号：CN105552243A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610063484.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/5092 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种紫外有机发光器件及其制备方法。所述紫外有机发光器件包括电子注入层是厚度为1.5-6nm的LiF；所述制备方法包括：将衬底和阳极装入多源有机蒸镀室中，在真空度优于5×10-4Pa的条件下采用热蒸镀工艺在ITO阳极层上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及厚度为1.5-6nm的LiF电子注入层。本发明利用厚绝缘层作为电子注入层，通过减少电子的注入，提高发光层中电子-空穴的平衡性，因而在达到同等数量的电子-空穴对数目时只需要更低的电流密度，增加了电子与空穴在发光层中复合的概率，产生高效率的近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的发光效率和辐照度。
-
公开(公告)号：CN103236497B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310145707.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。
-
公开(公告)号：CN103219466B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310154664.9
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104291792A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410507261.2
申请日：2014-09-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/10 , C04B35/04 , C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种氧化物陶瓷靶材及其制备方法，所述氧化物陶瓷靶材由30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO、10-50wt%的ZnO组成，上述三者比例之和为100%，其中XO是铝、镁、锡或铪的氧化物。所述制备方法包括如下步骤：（1）将30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO和10-50wt%的ZnO装入粉碎机中粉碎；（2）将球磨后得到的混合物粉体压制成型，获得平面或管状的素坯；（3）将平面或管状的素坯脱脂；（4）将脱脂后的素坯进行烧结，获得高密度的陶瓷靶材。本发明用于替代现有的含镓氧化物陶瓷靶材，在保持性能的同时，实现靶材及TFT器件成本的降低。
-
公开(公告)号：CN102244010B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110150070.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后，再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜；(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理；(3)p-CAO薄膜需经退火处理，且退火在氩气气氛下进行；(4)采用USP工艺，在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜；(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热，且衬底温度不超过320℃，样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。该方法新颖、简单，且能满足大面积成膜工艺要求，其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能，具有良好的光电性能。
-
公开(公告)号：CN102424577B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110278893.2
申请日：2011-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01C7/10 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法，它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现，用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15，其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分，且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60，用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是：（1）Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数，降低电位梯度；（2）V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度，并节约能耗，降低成本；（3）预烧能增强粉体活性；（4）分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能，同时降低能耗，节约成本。
-
公开(公告)号：CN102180704A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110052767.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜的制备方法，采用溶胶-凝胶工艺，直接形成自然超晶格结构；为弥补Bi2O3在高温下易于挥发，在Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12名义成分配料的基础上，采用Bi适度过量的成分配方；采用多次匀胶、分层退火；成膜退火在氧气气氛下进行。该方法简单且能满足硅平面工艺的要求，其制备的Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12铁电薄膜具有超晶格结构和突出的铁电性能、优异的抗疲劳特性及良好的综合性能。
-
公开(公告)号：CN204029663U
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201420274283.4
申请日：2014-05-27
Applicant: 桂林恒昌电子科技有限公司
Abstract: 本实用新型的贴片式弹性体轻触开关，包括基体和导电体，其基体材料为高分子弹性材料，轻触开关整体符合贴片元器件的体积要求，轻触开关设置用于与印制电路板固定的连接结构。本实用新型在现有轻触开关的基础上，通过加上贴片引脚以及贴片固定圈、贴片支架框架或骨架，达到能够进行编带标准，执行贴片元器件的相关标准体积要求，并能够通过表面封装技术自动贴片设备的要求，实现自动化连续生产装配，取代传统的人工装配和人工配合，节约大量社会资源，实现高效率和降低开发成本、制造成本的效果。并可以高度统一形成系列标准件形式，推进标准化，促进行业的发展。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
87
records
(took 0.07 seconds)
