公开(公告)号：CN103236497A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310145707.7

申请日：2013-04-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  王华 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  丘伟 ,  张玉佩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。

公开(公告)号：CN103236497B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310145707.7

申请日：2013-04-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  王华 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  丘伟 ,  张玉佩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。

公开(公告)号：CN103187527B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201310067831.6

申请日：2013-03-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  孙丙成 ,  许积文 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  张玉佩 ,  李志达 ,  赵霞妍

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次匀胶，分层预热、线性升温加保温的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的质量和性能；（3）与半导体Si集成工艺兼容；（4）通过适量的Ce掺杂，可以明显提高Bi4-xCexTi3O12薄膜的阻变性能。

公开(公告)号：CN103187527A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201310067831.6

申请日：2013-03-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  孙丙成 ,  许积文 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  张玉佩 ,  李志达 ,  赵霞妍

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次匀胶，分层预热、线性升温加保温的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的质量和性能；（3）与半导体Si集成工艺兼容；（4）通过适量的Ce掺杂，可以明显提高Bi4-xCexTi3O12薄膜的阻变性能。

公开(公告)号：CN103236498B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310145858.2

申请日：2013-04-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  王华 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  丘伟 ,  张玉佩

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。

公开(公告)号：CN103236498A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310145858.2

申请日：2013-04-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  王华 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  丘伟 ,  张玉佩

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。