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公开(公告)号：CN102714210A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180004314.3
申请日：2011-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/1675
Abstract: 提供抑制因热预算而导致的电阻变化层的氧浓度特性的劣化、且在低电压下能够稳定工作的非易失性存储元件以及其制造方法。非易失性存储元件(12)，具备∶第一电极层(105)，被形成在衬底上(100)；电阻变化层(106)，被配置在第一电极层上(105)；以及第二电极层(107)，被配置在电阻变化层(106)上，电阻变化层(106)具有，缺氧氮型钽氧氮化物层(106a)与钽氧化物层(106b)层叠的双层构造。
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公开(公告)号：CN102630340A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201180004319.6
申请日：2011-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的目的在于提供能够初始击穿时的低电压以及高速工作、且能够抑制接触插塞的氧化的电阻变化型非易失性半导体存储元件的制造方法，在包括由形成在接触插塞(104)上的下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成的电阻变化元件的非易失性半导体存储元件的制造方法中，在将第一导电膜(105′)图形化来形成下部电极(105)之前具有，为了使电阻变化层(106)的端部绝缘化而进行氧化的工序。
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公开(公告)号：CN102449763A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201180002264.5
申请日：2011-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种能够抑制电阻值不均匀的电阻变化型的非易失性存储元件。本发明的非易失性存储元件具有：硅基板(11)；下部电极层(102)，形成在硅基板(11)上；电阻变化层，形成在下部电极层(102)上；上部电极层(104)，形成在电阻变化层上；第二层间绝缘层(19)，以至少覆盖下部电极层(102)、电阻变化层的侧面而形成；压力缓和区域层(105)，使用比用于第二层间绝缘层(19)的绝缘层应力小的材料以至少直接覆盖上部电极层(104)的上表面以及侧面的方式来进行设置，缓和针对上部电极层(104)的应力；第二触点(16)到达上部电极层(104)而形成；以及，布线图案(18)，与第二触点(16)相连接。
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公开(公告)号：CN102428560A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201180002106.X
申请日：2011-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和第3过渡金属氧化物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层(1161)相接。
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公开(公告)号：CN101878530B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200980101132.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102239558A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148805.8
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
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公开(公告)号：CN101878529A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200880118388.8
申请日：2008-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置的特征在于，具有：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成在第一通孔(4)中的第一电阻变化元件(5)和第一二极管元件的下部电极(6)；与第一配线(3)正交且由依次叠层有第一二极管元件的半导体层(7)、导电层(8)、第二二极管元件的半导体层(10)而成的多个层构成的第二配线(11)；埋入形成在第二通孔(13)中的第二电阻变化元件(16)和第二二极管元件的上部电极(14)；以及第三配线(17)，第二配线(11)的导电层(8)起到作为第一二极管元件(9)的上部电极和第二二极管元件(15)的下部电极的作用。
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公开(公告)号：CN101796640A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200980000536.0
申请日：2009-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 使上部电极和下部电极的形状移位变小了的非易失性存储元件的制造方法，具有以下的工序：按照具有导电性的连接电极层(4)、由非贵金属的氮化物构成且具有导电性的下部电极层(3)、电阻变化层(2)、由贵金属构成的上部电极层(1)以及掩模层(23)的顺序进行堆积；将掩模层(23)形成为规定的形状；以掩模层(23)为掩模，通过进行蚀刻，从而将上部电极层(1)、电阻变化层(2)以及下部电极层(3)形成为规定的形状；以及同时除去掩模层(23)和通过所述蚀刻而露出的连接电极层(4)的区域。
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公开(公告)号：CN101755338A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880025026.4
申请日：2008-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法。电流限制元件(10)被形成为，被第一电极层(12)和第二电极层(13)夹着的势垒层(11)的厚度方向的中央部(14)的势垒高度ΦA，比势垒层(11)与第一电极层(12)和第二电极层(13)的电极界面(17)附近的势垒高度ΦB大。此外，势垒层(11)例如由势垒层(11a)、(11b)、(11c)的3层结构构成，势垒层(11a)、(11b)、(11c)，例如由SiNx2、SiNx1、SiNx1(其中，X1＜X2)的SiN层形成。因此，势垒高度的形状呈阶段状地变化，在中央部(14)变高。
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公开(公告)号：CN101636841A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780052299.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明提供存储元件和存储装置。以矩阵状配置于存储装置(21)的存储元件(3)包括：通过施加极性为正或负的电脉冲，其电阻值变化，并且维持该变化后的电阻值的电阻变化元件(1)；和抑制在对上述电阻变化元件施加上述电脉冲时流动的电流的电流抑制元件(2)，上述电流抑制元件具有：第一电极、第二电极、和配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电流抑制层，上述电流抑制层由SiN x (x为正实数)构成。
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