公开(公告)号：CN114267826A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111578741.4

申请日：2021-12-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李仕琦 ,  黄澳旗 ,  朱铧丞 ,  倪瑞

IPC: H01M4/1397 ,  H01M4/58 ,  C01B25/08 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于磷化氢气体的磷化锂电极制备方法，其一、将含有氢氧化锂的浆料涂覆在基片上。二、对带有浆料的基片进行干燥后得到极片。三、对步骤二所得的极片进行辊压。四、对加热的极片通磷化氢气体，使得极片中的氢氧化锂转化为磷化锂，得到磷化锂电极。本发明利用氢氧化锂完成浆料制作、极片涂层、极片辊压，并在最后一个步骤将氢氧化锂转化为磷化锂；而浆料制作、极片涂层、极片辊压的过程中均无磷化锂材料参与，故磷化锂电极制备过程中需要干燥环境的步骤得到了大大缩减，这显著简化了工艺，节省了为磷化锂提供干燥环境带来的成本。此外，本发明采用微波手段使得氢氧化锂结晶的结晶时间缩短，降低了氢氧化锂的尺度，进而降低了磷化锂的尺度。

公开(公告)号：CN114267824A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111578701.X

申请日：2021-12-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李仕琦 ,  倪瑞 ,  朱铧丞 ,  黄澳旗

IPC: H01M4/136 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/04 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种纳米硫化锂‑铜复合电极及其制备方法。该纳米硫化锂‑铜复合电极含有混合在一起的纳米硫化锂颗粒和纳米铜颗粒。本发明通过将硫化铜纳米线经过深度嵌锂后转化成纳米硫化锂颗粒和纳米铜颗粒。硫化锂的纳米化有利于增强硫化锂与导电剂和电解液的接触，从而提升纳米硫化锂‑铜复合电极的电子导电性和离子导电性。纳米铜颗粒也有助于进一步提升纳米硫化锂‑铜复合电极的电子导电性。此外，本发明制备纳米硫化锂‑铜复合电极的过程分别以铜纳米线和硫化铜纳米线作为原料和中间物质，所以浆料制作、极片涂层、极片辊压等过程均无需干燥气氛保护，降低了工艺难度，节省了生产成本。

公开(公告)号：CN114195119A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111520815.9

申请日：2021-12-13

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李仕琦 ,  黄澳旗 ,  朱铧丞 ,  冷丹 ,  倪瑞

IPC: C01B32/05 ,  D04H1/43 ,  D04H1/728 ,  H01M4/587 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明公开了一种具有宽层间距硬碳材料及其制备方法。该具有宽层间距硬碳材料，其通过有机物纤维膜经过沿纤维轴线拉伸和加热后得到。拉伸和加热各进行三次；三次拉伸分布将聚丙烯氰纳米纤维膜延长8％～10％、6％～8％、2％～5％。三次加热的温度分布为350℃～450℃、500℃～800℃、1000℃～1400℃。本发明对聚丙烯氰纳米纤维膜交替进行拉伸与高温处理，有效提升了聚丙烯氰衍生硬碳的层间距，所得硬碳材料能够达到0.429nm的层间距，其在100mA/g下能够达到260mAh/g的容量。由于本发明提供的硬碳材料具有较大的层间距，故其表现出优秀的储钠性能。

公开(公告)号：CN110844939B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201911096768.2

申请日：2019-11-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李仕琦 ,  王育天 ,  董志华 ,  程知群

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/36 ,  H01G11/34 ,  H01G11/44

Abstract: 本发明公开了一种硫化钼碳纳米球碳纳米纤维复合电极材料及其制备方法，包括以下步骤：步骤S1，制备钼酸钠/硫脲/葡萄糖/细菌纤维素水凝胶复合材料；步骤S2，将钼酸钠/硫脲/葡萄糖/细菌纤维素水凝胶复合材料中的钼酸钠/硫脲转化成二硫化钼，葡萄糖转化为碳纳米球，细菌纤维素转化为碳纳米纤维以作为超级电容器电极材料。采用本发明的技术方案，能够构造出碳纳米纤维网状结构，并且结构中的二硫化钼沿碳纳米纤维生长，与二硫化钼/碳纳米纤维结构对比，添加的葡萄糖能够转化成碳纳米球，增加电极中的电子导电性，提高电极中电子的传输效率。该技术方案可以提供一种新型的制造电极材料的制备方法。

公开(公告)号：CN114094055A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111334114.6

申请日：2021-11-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李仕琦 ,  冷丹 ,  朱铧丞

IPC: H01M4/139 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/62

Abstract: 本发明公开了一种磷化锂电极的制备方法，包括以下步骤：S1,将磷酸锂与有机物混合，加入酒精作为溶剂，质量比为5:2:2至5:10:2，采用剪切乳化手段将材料均匀混合；S2，将S1所得混合材料置于空气中低温加热去除酒精并固化，温度范围为150℃至400℃；S3，将S2所得材料置于惰性气氛中高温处理得到纳米磷化锂颗粒被碳壳包覆的材料，温度范围为650℃至1000℃；S4,将S3所得材料与碳纳米管和聚偏氟乙烯混合，三者质量比为95:3:2至60:30:10，之后滴加n甲基吡咯，搅拌1h至5h，将混合材料涂覆于铜箔上作为电极材料。采用本发明的技术方案，可以很好地制备纳米尺度的磷化锂颗粒，并同步实现纳米磷化锂颗粒被碳壳包覆，从而提高磷化锂电极的电子导电性。

公开(公告)号：CN114082936A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111410901.4

申请日：2021-11-19

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 邓天松 ,  陈希 ,  李勋 ,  李仕琦 ,  顾伊杰 ,  程知群

IPC: B22F1/054 ,  B22F9/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种单分散性好的金纳米棒合成方法，包括以下步骤：(1)制备种子溶液；(2)制备生长溶液；(3)合成金纳米棒。本发明工艺步骤简单，反应条件温和可控，以CTAC及3,5‑二溴水杨酸作为表面活性剂，以苯酚作为还原剂，得到的产物形态与单分散性好，纯度高。

公开(公告)号：CN111244203B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202010216434.0

申请日：2020-03-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  周明 ,  曾春红 ,  林文魁 ,  王育天 ,  刘辉 ,  李仕琦 ,  刘国华 ,  程知群

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料上的N型Ga2O3层以及设置在该Ga2O3层部分区域上的P型CuI层；在所述CuI层上形成正极，在所述Ga2O3层的另外区域上形成负极；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极和负极之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。采用本发明的技术方案，具有如下优点：(1)结构简单，工艺成本低。(2)Ga2O3和CuI同为宽禁带半导体，所以该器件为日光盲紫外探测器，无需加滤光片。(3)光生空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。

公开(公告)号：CN111106204B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201911259202.7

申请日：2019-12-10

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  周明 ,  李仕琦 ,  邓天松 ,  刘国华 ,  程知群

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/113 ,  H01L31/101 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于Ⅲ‑Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法，探测器包括漏极、源极、第一半导体层、第二半导体层、位于第一和第二半导体界面处的二维电子气、衬底及缓冲层、TiO2悬浮栅极以及Ti金属层，其中，第一半导体层的下表面设置第二半导体层；第二半导体层的下方设置衬底及缓冲层；TiO2悬浮栅极位于第一半导体层的上表面，且处于所述源极和漏极之间；源极和漏极位于第一半导体层的上表面的两侧；源极和漏极与第一半导体形成欧姆接触；第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结沟道，并由于极化作用产生高密度的二维电子气。本发明的紫外探测器具有高灵敏度的紫外探测性能，响应快、制作方法简单、稳定性好。

公开(公告)号：CN113113591A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110303959.2

申请日：2021-03-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李仕琦 ,  贺晓杰 ,  汶飞 ,  李丽丽 ,  冷丹 ,  王锋

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明公开了一种提升锂硫电池倍率性能的方法，包括以下步骤：将单质硫与纳米颗粒混合，质量比为1:1至5:2；S2，将混合后的材料加入二硫化碳溶液，在通风橱内搅拌至二硫化碳溶液挥发；S3，置于高压反应釜内，以120℃～170℃反应10～15h，之后取出并将其碾碎；S4，与乙炔黑和聚偏氟乙烯混合，三者质量比为5:2:2至8:2:1，之后滴加n甲基吡咯，搅拌1～4h，将其作为锂硫电池的正极材料；S5，在锂硫电池充放电过程中引入环境光，使纳米颗粒产生电子空穴对，从而在其表面构建局域电场。本发明通过环境光照(主要为太阳光)使得纳米材料产生电子空穴对，从而在其表面构建局域电场，以此来降低电极的转移电阻，增强倍率性能。

公开(公告)号：CN109037063B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201810689962.0

申请日：2018-06-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  蒋俊杰 ,  刘国华 ,  李仕琦 ,  刘杰 ,  程知群

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L35/34 ,  H01L35/32

Abstract: 本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑VHEMT器件的制备方法，现有的GaN器件在工作过程中会产生大量的热，使沟道温度上升，从而使器件的导通电阻增大，使器件的输出电流下降，造成能源浪费的问题。由于器件的能量密度高，所以沟道过热，现有的器件采用的解决策略是将这些热量用散热器发散掉。而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。