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公开(公告)号：CN112838138A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011632158.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L41/08
Abstract: 本发明公开了一种柔性触敏元件及制备方法，本发明在两金属电极之间填充由掺杂GaInAsSb和PDMS形成的复合材料；本发明触摸情况下，复合材料电阻发生变化，实现对触摸行为的感知，可用于柔性电子皮肤领域。掺杂GaInAsSb是窄禁带半导体材料，可实现人体发射红外光的探测。PDMS为带孔隙能够透气透湿的柔性有机硅材料。掺杂GaInAsSb粉末分散于PDMS中形成的复合材料，具有柔性的特点。在人体外压情况下，掺杂GaInAsSb粉末的接触程度发生变化引起复合材料阻值的变换，同时外压处人体辐射的红外光激发掺杂GaInAsSb产生光电导效应，引起复合材料的电阻的改变，由此，复合材料完成对触摸的感知。
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公开(公告)号：CN112701189A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011593312.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0392 , C23C14/06 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种光探测器及制备方法，探测器包括WSe2薄膜材料、ZnTe薄膜材料、n‑Si基底和金属电极；所述的n‑Si基底上生长WSe2薄膜，WSe2薄膜上生长ZnTe薄膜，n‑Si基底、ZnTe薄膜表面分别生长金属电极。本发明制备的光探测器，以n型硅为基底，与集成电路工艺兼容；具有厚度薄、光响应快、可探测黄绿光到近红外波段光的优点。
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公开(公告)号：CN110862824A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911044504.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种负载型钯锌量子点的制备方法，本发明通过在硫化锌纳米纤维表面吸附氯化钯，高温还原气氛下还原氯化钯和硫化锌，还原产物金属钯和锌进一步发生反应生成钯锌量子点。与氧化锌、氧化铈、碳化硅和二氧化钛载体不同，钯锌量子点与硫化锌之间由于硫的存在，钯锌量子点在硫化锌表面附着力好，不易脱离载体。制备的钯锌量子点在载体硫化锌表面分散性好，尺寸分布范围均匀2-50纳米之间。本发明方法简单、实验重复性高，产物分散性好，钯锌在载体表面附着力强。
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公开(公告)号：CN110373718A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910462792.7
申请日：2019-05-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法，该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，通过化学气相沉积法合成了WS2二维单分子/多分子层厚度的单晶材料，其中二硫化钨单晶形貌为三角形、六边形或枝形。本发明将硫代硫酸钠应用到CVD法中来制备WS2晶体材料，降低了化学气相沉积法生长二硫化钨二维薄膜的生长温度，薄膜制备重复性好、晶体结晶质量高。制备的WS2单晶为三角形，六边形和枝晶状，薄膜厚度为1～30个分子层厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110061135A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910213231.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可见光光电探测器的制备方法，本发明在绝缘基底上沉积由钙钛矿型晶体结构的铯铅碘和二硫化钨单分子层薄膜构成的复合材料。二硫化钨单分子层薄膜是直接带隙半导体材料，是较好的光电导材料，室温稳定性好，载流子迁移率高。二硫化钨单分子层薄膜能够提供电子传输的额外通道，提高铯铅碘的电学性能。同时二硫化钨阻隔氧气和水汽向复合材料内部扩散，降低空气和水对铯铅碘的分解，提高铯铅碘的稳定性。本发明制备的光探测器，具有性能稳定、光电响应速度快，光响应度好，光探测范围宽的优点。
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公开(公告)号：CN109904257A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910150742.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种铯铅碘的制备和纯化方法。目前化学气相沉积法难以生长高纯度铯铅碘纳米颗粒。本方法采用难以碘化铯纳米颗粒作为铯源和碘源，与气相碘化铅通过气固反应生成铯铅碘纳米颗粒，后经过升华法去除碘化铅杂质获得高纯度钙钛矿铯铅碘纳米颗粒。该制备和纯化方法无需再溶液中进行，物质直接生长在硅基底表面，制备方法简单，产物粒径可控和纯度高。
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公开(公告)号：CN109768164A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811550345.9
申请日：2018-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种柔性光探测器的制备方法,本发明将钙钛矿铯铅碘纳米薄膜材料与柔性材料结合，制备具有一定柔性的光电探测器。本发明在以氧化还原石墨烯为基底，在其上表面首先生长钙钛矿铯铅碘，然后在钙钛矿铯铅碘的上表面制备电子传输层材料，之后再沉积金属作为上电极，在氧化还原石墨烯的下表面沉积金属作为下电极完成器件的制备。氧化还原石墨烯作为器件生长基底之外，还起到空穴传输层的作用。
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公开(公告)号：CN105908152B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610283359.3
申请日：2016-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜的转移方法，现有的化学气相沉积法(CVD)制备的二维(2D)原子层材料，通常是长在金属催化剂表面上的，然后用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作辅助，将2D材料转移到目标基底上，最后用有机溶剂去除PMMA。但是有机溶剂难以完全去除PMMA，会有部分残留在2D材料表面，造成污染，即使高温氧化或气氛还原也无法将其完全清除。本专利在被转移的2D材料六方氮化硼和PMMA之间引入中间层，在实现六方氮化硼向基底转移的同时避免了PMMA对六方氮化硼的表面污染。
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公开(公告)号：CN105895521B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
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