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公开(公告)号：CN113637943B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110858227.X
申请日：2021-07-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光敏型二硫化碳传感器的制备方法，本发明在氧化铝陶瓷基底上，首先沉积生长金叉指电极，接着在金叉指电极表面涂覆硫化银纳米颗粒，获得硫化银探测器，将硫化银探测器设置在容器内，容器内设置蓝光LED光源。本发明操作简单，本发明通过光激发诱导的光电化学反应，对二硫化碳有非常好的气敏性。
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公开(公告)号：CN114420925A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210057770.4
申请日：2022-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/48 , B01J23/06 , B01J23/72 , C01B25/08 , C01G9/03 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种n型磷化亚铜的制备方法，包括如下步骤：S1、制备表面生长有磷化亚铜的铜箔；S2、将表面生长有磷化亚铜的铜箔作为基底，在其表面沉积氧化锌薄膜；S3、将步骤S2制备的产物在惰性气体中加热，热处理温度为650‑750℃，保温时长60‑300min。采用上述技术方案，在铜箔表面生长磷化亚铜连续薄膜，使用磁控溅射在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，高温下氧化锌与磷化亚铜相互作用，锌、氧元素扩散进入磷化亚铜晶格，形成n型掺杂磷化亚铜，该制备方法简单，重复性好，成本低，并且电阻率低、温差电动势高和光电响应快。
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公开(公告)号：CN114284385A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111617517.1
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器的制备方法，本发明首先合成磷化亚铜，然后在磷化亚铜一侧涂抹银胶，然后进行硫化，随后在器件两侧涂抹银胶作为电极。本发明在管式炉中，通过固相和气相反应，制备了硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器。本发明在紫外光的照射下，器件在电压增强情况下，电流呈指数式下降趋势，电流达到μA级别；而在无光照情况下，器件并未出现上述情况，电流仅为nA级别。
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公开(公告)号：CN112850669B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110122727.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J27/185 , C01B25/08 , B82Y30/00 , B01J35/02
Abstract: 本发明公开了一种钯铜磷化物异质二聚体材料的制备方法，本发明采用红磷、氯化钯作为磷化钯、磷化亚铜异质二聚体的前驱物，在硅基底上通过气固反应，制备磷化钯‑磷化亚铜异质二聚体材料。制备的材料可用于光催化领域。本发明将双金属高温下磷化在硅基片表面制备成双金属磷化物纳米晶体，该材料存在磷化钯和磷化亚铜的晶界，能够增强磷化物的光催化性能。
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公开(公告)号：CN113151803A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110276691.8
申请日：2021-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硼碳氮薄膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼源，甲烷作为碳源，氢气和氩气混合气体为载气，铜或镍金属薄膜作为生长基底，通过CVD法在基底表面生长单分子层厚BCN薄膜，甲烷与氨硼烷蒸气的流量比调控膜中碳含量，进而获得不同性能的单分子层薄膜。本发明使用的源，碳源甲烷相对于其他烷类气体，含碳量低，是制备石墨烯的首选含碳起源，氮、硼源氨硼烷常用于制备h‑BN单分子层的氮、硼源。生长基底铜、镍是生长石墨烯、h‑BN单分子层常用基底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284385B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111617517.1
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器的制备方法，本发明首先合成磷化亚铜，然后在磷化亚铜一侧涂抹银胶，然后进行硫化，随后在器件两侧涂抹银胶作为电极。本发明在管式炉中，通过固相和气相反应，制备了硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器。本发明在紫外光的照射下，器件在电压增强情况下，电流呈指数式下降趋势，电流达到μA级别；而在无光照情况下，器件并未出现上述情况，电流仅为nA级别。
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公开(公告)号：CN114188425B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111491980.6
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光探测器件的制备方法，将生长于基底表面的磷化亚铜二维薄膜安放于热蒸发蒸镀仪器的样品座上，通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极；通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极，具体为：首先抽真空，当腔体真空度低于10pa时，将衬底加热至150℃～350℃；待‑3真空计示数低于4.0×10 Pa时，开始蒸镀银薄膜；通过调节蒸发电流来控制蒸发速率，蒸发速率调节于1.8‑2.2A/s；当薄膜厚度增长至200～500纳米时，停止蒸镀，待其冷却至室温时，获得器件。本发明通过磷化亚铜与金属材料结合，形成肖特基二极管，制备该二极管所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光与近红外光光效应速率较好。
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公开(公告)号：CN114420925B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210057770.4
申请日：2022-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/48 , B01J23/06 , B01J23/72 , C01B25/08 , C01G9/03 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种n型磷化亚铜的制备方法，包括如下步骤：S1、制备表面生长有磷化亚铜的铜箔；S2、将表面生长有磷化亚铜的铜箔作为基底，在其表面沉积氧化锌薄膜；S3、将步骤S2制备的产物在惰性气体中加热，热处理温度为650‑750℃，保温时长60‑300min。采用上述技术方案，在铜箔表面生长磷化亚铜连续薄膜，使用磁控溅射在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，高温下氧化锌与磷化亚铜相互作用，锌、氧元素扩散进入磷化亚铜晶格，形成n型掺杂磷化亚铜，该制备方法简单，重复性好，成本低，并且电阻率低、温差电动势高和光电响应快。
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公开(公告)号：CN114162849A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111491942.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G5/00
Abstract: 本发明公开了一种硫化银纳米材料及气敏器件的制备方法，本发明以碘化银、氢碘酸、异丙醇胺、氢氧化钾为原料，制备出银离子溶液，然后以硫脲和PVP的溶液为硫源，两者混合后最终制备出一种具有三维空间结构的纳米硫化银材料。本发明在硫化银表面修饰聚乙烯吡咯烷酮，该材料对水汽、乙醇的吸附性能好，复合PVP后，硫化银水汽、乙醇探测灵敏度提高。本发明制备的探测器件，不同于通常气敏传感器，灵敏度在表面湿度达到一定值后会断崖式陡降，出现一个阶跃信号，这对器件信号获取和处理是有益的，利用这种性质，实现对水汽、乙醇浓度的准确、快速探测，而通常气敏传感器不出现阶跃信号。
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公开(公告)号：CN113322393B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110593651.6
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铜‑磷化亚铜低共熔混合物的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后在高温中加热表面生长有磷化亚铜的铜箔，使之形成液态熔融物；之后冷却液态熔融物冷却获得铜‑磷化亚铜低共熔混合物复合材料。本发明具有不同于一般磷化亚铜‑铜复合材料的特性，比如强度大、电导。
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