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公开(公告)号：CN114883208A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210453333.4
申请日：2022-04-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC: H01L21/60 , H01L21/607
Abstract: 本发明公开了属于集成电路封装领域的一种深腔焊楔形劈刀，所述楔形劈刀为焊接结构，包括刀柄、焊缝和刀头，所述刀柄为氧化锆或氧化铝；所述刀头为碳化钨、氮化硅或碳化钛。所述楔形劈刀外形为阶梯结构，包括刀柄台阶、刀头台阶和劈刀尖端；所述楔形劈刀使用类型为垂直使用型，包括垂直引线孔和斜引线孔。本发明选择高性价比刀柄材料，同时采用近净成形和焊环异质连接方法制备劈刀，不仅有利于节约稀有资源、降低劈刀生产成本，同时劈刀使用性能好，适用于高密度、多焊点、深腔多腔的楔形焊键合工艺。
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公开(公告)号：CN114749672A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210328301.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B22F9/04 , B22F1/00 , B22F1/14 , B22F1/142 , B22F1/145 , C22C1/02 , C22C16/00 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01D53/02
Abstract: 一种高纯ZrAl1粉体的制备方法及其用途，所述方法包括：采用悬浮熔炼法制备ZrAl1合金锭，装入氢化脱氢炉抽真空，对合金锭加热，然后充入氢气，当炉内氢压降为0.01～0.04MPa时再次充入氢气，如此反复充氢5～8次后，待炉内氢压降为0.01～0.04MPa后开始降温，降温至100～200℃后，向炉内通入高纯Ar；将ZrAl1合金锭取出后机械破碎、筛分；将ZrAl1合金粉末进行1～3次脱氢处理、抽真空封装备用。采用本发明制备的ZrAl1合金粉末作为还原剂来制作Na源，将Na源应用于超二代微光夜视仪光电阴极，结果表明，Na源的蒸发特性满足超二代微光像增强器光电阴极的制备要求。
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公开(公告)号：CN114395751A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111534071.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于压电薄膜制备技术领域的一种低应力氮化铝薄膜的制备方法。所述方法将靶材和衬底装入磁控溅射设备，调节磁控溅射靶材法线方向与基片台法线方向的夹角X，靶基距为Y，在工作气体气氛下调节气体流量、溅射功率和溅射气压Z，稳定后进行氮化铝薄膜沉积，结束沉积后，降温获得低应力的C轴取向氮化铝薄膜；确保Z＝5.5e(‑Y‑X/2)/43‑0.03，其中，0≤X≤30°；120mm≤Y≤200mm。本发明采用的方法在使溅射粒子保持较高的能量的同时，还使其在基片台能够充分扩散，制备的氮化铝薄膜具有C轴择优取向的同时具备低应力，有利于提高氮化铝器件的可靠性，且操作流程简单，适用于工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN110922186B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201911258099.4
申请日：2019-12-10
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01B3/12 , C04B35/495
Abstract: 本发明公开了属于电子材料制造技术领域的一种中低温烧结(烧结温度为900℃‑1200℃)高介电常数陶瓷材料及其制备方法。配方组成为：aBaO‑bMgO‑cAl2O3‑dTiO2‑eSiO2‑fNb2O5‑gSrO‑hPbO，其中的a、b、c、d、e、f、g、h表示各成分的摩尔比例，分别为：2≤a≤15，2≤b≤5，0≤c≤10，4≤d≤16，5≤e≤45，20≤f≤55，16≤g≤27，3≤h≤25。将原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的液体；将熔融液快速倒入去离子水中，得到玻璃渣；将玻璃渣球磨、烘干、过筛、造粒后，压制成型为坯体，再将坯体于900℃‑1200℃烧结，保温3小时，制得陶瓷电容器介质材料，该介质材料适用于单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN111140463B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201911155524.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于真空技术领域的一种片状堆砌结构吸气剂泵。所述吸气剂泵包括吸气元件、陶瓷加热片、中心支撑杆、热屏蔽结构和底座；吸气元件包含吸气剂片与中心台阶垫片；吸气元件、陶瓷加热片通过圆孔交替堆砌在中心支撑杆上，通过中心台阶垫片厚度调整二者间隙；热屏蔽结构包括布设在堆砌体的顶、底和外层的热屏蔽层和镂空薄壳；底座为高真空CF法兰，通过可伐合金焊接电极。吸气元件上采用吸气剂片与中心台阶垫片配合的一体结构，有效避免吸气元件各部件摩擦而导致的掉粉问题。采用陶瓷加热片的面对面热辐射加热激活吸气剂，具有加热效率高、激活均匀的特点。本发明结构设计合理，具有安装便捷、使用安全，适用于各类真空系统的真空获得与无源维持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112735631A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011520326.9
申请日：2020-12-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明属于集成电路制造业用电子浆料技术领域，尤其涉及一种可低温烧结于线路板基体表面的低粘度有机金浆：含金有机前驱体39.0～49.5％；有机载体(有机溶剂、增塑剂及流延控制剂等)50.0～60.0％；含铋、含铬有机树脂酸盐添加剂共计0.5～1.8％。该浆料可在较低温度(450℃)下烧结成膜且烧结后有机物残存量低，组分不含铅，浆料在常温下挥发性小，对人体及环境相对友好。烧结后能使金基导电薄膜均匀附着在目标基体表面，薄膜与基体结合力强、导电性好且致密不易脱落，该浆料粘度可远低于普通厚膜金浆4～5个数量级以上(达10‑2Pa·s)，可以印刷、旋涂、喷涂以及直接描绘在目标基体的特定部位上。
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公开(公告)号：CN109706337B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811621296.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于复合材料加工制备技术领域的一种钨颗粒增强铝基复合材料的制备方法。本发明方法包括以下步骤：(1)以乙醇为混料介质，将钨粉置于混料机中混料，真空干燥后得到预处理钨粉；(2)将铝粉或铝合金粉与步骤(1)所得预处理钨粉混合，得到复合粉体；(3)对步骤(2)所得复合粉体进行冷等静压、真空脱气、热等静压烧结、墩粗、热挤压、热处理，制得钨颗粒增强铝基复合材料；利用本发明制备方法，能够显著提高铝基复合材料的致密度、细化材料显微组织结构、降低材料的各向异性，拓展了铝基复合材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN111014650A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155494.X
申请日：2019-11-22
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于核辐射屏蔽工程应用技术领域的一种屏蔽γ射线和中子的高含钨非晶态球形铁基粉末及其制备方法，所述铁基粉末中钨元素的质量百分比为25％～55％，硼元素的质量百分比为：1％～3％，Si、Al以及不可避免的杂质质量百分比为0～0.1％，余量为铁。本发明所述粉末在制备过程中降低了合金熔化温度，有效避免了粉末内部元素的偏析现象，并且粉末的形状为非晶态类球形，流动性良好，振实密度高，在核辐射屏蔽工程应用领域中可以作为粉末填充物实现对γ射线和中子的屏蔽。
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公开(公告)号：CN109518258A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811629584.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明公开了属于电真空元件制造技术领域的一种电真空用绝缘热丝的制备方法。本发明利用电泳沉积在热丝表面沉积绝缘层，烧结后制得电真空用绝缘热丝；电泳沉积中电泳液由混合氧化物和混合溶液混合得到，所述混合氧化物包括氧化铝、二氧化硅、氧化镁、氧化钙、氧化钇；所述混合溶液包括硝棉溶液、硝酸铈铵溶液、乙醇。本发明制备方法简单高效，制备的绝缘热丝表面平整、厚度均匀、绝缘性较高、绝缘层厚度易于调控，能满足内加热型吸气元件及阴极灯丝等真空器件的较高要求。
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公开(公告)号：CN118513548A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410732650.9
申请日：2024-06-07
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种可有序排列的单晶纳米片银及其制备方法，涉及纳米金属材料制备技术领域。本方法采用晶种法，通过制备晶种、加入去离子水配置母液、向母液中滴加硝酸银与还原剂进行反应以及纳米片银表面修饰步骤制备得到可有序排列的单晶纳米片银。该制备方法可以避免纳米片银表面包覆大量包覆剂，且包覆剂在后续烧结或应用时可简单去除，大大降低纳米片银后期清洗难度，同时可实现纳米片银有序排列，在低于或等于200℃的温度下实现烧结。
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