公开(公告)号：CN110999532B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201880050701.2

申请日：2018-08-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 鹤泽俊浩 ,  田中壮宗 ,  中西阳介 ,  山田恭太郎 ,  待永广宣

IPC: H05B3/84 ,  H05B3/12 ,  H05B3/20

Abstract: 加热器(1a)具备由有机高分子形成的片状的支撑体(10)、发热体(20)、以及与发热体(20)接触的一对供电用电极(30)。发热体(20)为由含有铟氧化物作为主成分的多晶体形成的透明导电膜。加热器(1a)中，发热体(20)具有1.4×10‑4Ω·cm～3×10‑4Ω·cm的电阻率。发热体(20)的厚度超过20nm且为100nm以下。

公开(公告)号：CN113573897A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080021114.8

申请日：2020-03-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村大辅 ,  永冈直树 ,  黑濑爱美 ,  石川岳人 ,  待永广宣

IPC: B32B27/06 ,  H01L41/047 ,  H01L41/187 ,  H01L41/313 ,  H01L41/319

Abstract: 维持层叠体的柔韧性的同时，降低功能层的开裂的产生。层叠体具有高分子的基材、以及形成于上述基材的第1面的结晶性的功能层，上述基材的上述第1面的表面粗糙度以算术平均粗糙度(Ra)计为3nm以下。

公开(公告)号：CN113165336A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080119.5

申请日：2019-12-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 待永广宣 ,  拜师基希 ,  中西阳介 ,  武田雄希

IPC: B32B9/00 ,  H01Q17/00 ,  H05K9/00

Abstract: 阻抗匹配膜10包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构。阻抗匹配用阻抗匹配膜10具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率。阻抗匹配膜10具有大于等于16nm且小于100nm的厚度。

公开(公告)号：CN110753818B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201880039510.6

申请日：2018-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 请井博一 ,  宇井丈裕 ,  青木亮佑 ,  待永广宣 ,  山形一斗 ,  武田雄希

IPC: F21V7/00 ,  F21V7/24 ,  H01Q17/00 ,  F21W102/00 ,  F21W111/02 ,  F21Y101/00 ,  F21Y115/10

Abstract: 灯具用反射镜(10a)具备镜面(11)和层叠体(12a)。镜面(11)为用于反射来自光源(30)的光并引导至规定的方向的面。层叠体(12a)覆盖镜面(11)的至少一部分，用于吸收具有20GHz～90GHz中的特定的频率的电磁波。层叠体(12a)使来自光源(30)的光向镜面(11)透射。

公开(公告)号：CN112823432A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201980062655.2

申请日：2019-09-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村大辅 ,  永冈直树 ,  黑濑爱美 ,  待永广宣 ,  石川岳人 ,  柳谷隆彦 ,  清水贵博

IPC: H01L41/187 ,  C23C14/08 ,  H01L41/053 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

Abstract: 提供一种机械能与电能之间的转化能力高的压电器件。压电器件具有第1电极层、第2电极层、以及上述第1电极层与上述第2电极层之间所配置的压电体层，上述压电体层向具有纤锌矿型的晶体结构的ZnO系材料中添加不表现导电性的金属，厚度振动模式下的机电耦合系数的平方值为6.5％以上。

公开(公告)号：CN112740429A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201980062331.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村大辅 ,  永冈直树 ,  黑濑爱美 ,  待永广宣

IPC: H01L41/187 ,  C23C14/08 ,  H01L41/053 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

Abstract: 改善压电器件的光学特性与压电特性的至少一者。压电器件具有第1电极层、第2电极层、以及上述第1电极与第2电极之间所配置的至少1层压电体层，上述压电体层将纤锌矿型的结晶材料作为主成分，并添加有通过形成氧化物而具有透明性的元素1种以上，雾度值为3.0％以下，相对于波长380nm的光的透射率为50％以上。

公开(公告)号：CN110771273B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201880039281.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  武田雄希 ,  上田惠梨 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  B32B9/04

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)、和导电层(30)。电阻层(20)配置于电介质层(10)的一个主面。导电层(30)配置于电介质层(10)的另一主面、具有比电阻层(20)的薄层电阻低的薄层电阻。电阻层(20)包含铟氧化物作为主成分并且具有多晶结构、具有260～500Ω/□的薄层电阻及5×10‑4Ω·cm以上的电阻率。

公开(公告)号：CN105492653B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201580001716.6

申请日：2015-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚 ,  加藤大贵 ,  待永广宣 ,  佐佐和明 ,  上田惠梨 ,  松田知也

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且2.8×10‑4Ω·cm以下。

公开(公告)号：CN109890608A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780065919.0

申请日：2017-10-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西尾创 ,  待永广宣 ,  陈晓雷 ,  鹤泽俊浩 ,  黑瀬爱美

IPC: B32B9/00 ,  B32B3/14

Abstract: 本发明目的在于提供一种电磁波透过性金属光泽部件，其不仅在使用铬(Cr)或铟(In)的场合，在使用例如铝(Al)等其他金属作为金属层的情况下，也能够容易制造。另外，本发明的目的还在于提供一种电磁波透过性金属光泽部件，除铝(Al)以外，其还能够将银(Ag)、锌(Zn)、铅(Pb)、铜(Cu)或它们合金作为金属层。电磁波透过性金属光泽部件具备沿着基体面设置的含氧化铟层和层叠于含氧化铟层的金属层，金属层包含在至少局部处于相互不连续的状态的多个部分。

公开(公告)号：CN105452520B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201580001267.5

申请日：2015-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川上梨恵 ,  加藤大贵 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  宫崎司 ,  上田恵梨

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。