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公开(公告)号：CN113161479A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110248356.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种剥离式自支撑的神经突触仿生器件的制备方法。本发明制备方法包括以下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底上旋凃形成柔性薄膜，并进行烘烤；生长第一层电极；生长功能层；光刻定义顶电极阵列图形，生长并刻蚀形成顶电极阵列；以及将柔性薄膜从支撑衬底上剥离获得自支撑的柔性神经突触仿生器件。本发明通过将柔性薄膜溶液旋涂于支撑衬底获得平整的界面，并在器件制备完成后将其整体剥离，极大提高了器件良率、有效降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN108649041B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810336841.8
申请日：2018-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法。本发明的芯片封装结构，包括：具有上下两个凹槽的基板；芯片贴合在底部凹槽中；顶部凹槽中注入有塑模材料；第一引线柱若干根，分设于基板底部凹槽内侧；第二引线柱若干根，分设于芯片四周，第一引线柱与第二引线柱一一对应，且两者贴合；以及封装用光学玻璃。本发明通过带有凹槽的基板将芯片黏合至底部凹槽中，所得结构相比传统的四方无引脚扁平封装可减少25%的体积；利用铜柱作为接合垫取代传统的引线框架，使基板制造与成型在一步工艺完成，从而满足高密度封装要求；本发明制作成本较低，比晶圆级封装和3D封装更具实际应用价值。
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公开(公告)号：CN110176535A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910277683.8
申请日：2019-04-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种自定位阻变区域的三维存储器及其制备方法。本发明公开的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上生长隔离层，然后在所述隔离层上生长多条均匀分布的侧壁电极；重复该步骤，获得多层堆叠结构，并在所述多层堆叠结构上形成钝化层；光刻刻蚀所述钝化层和各层所述隔离层，在所述侧壁电极之间形成多个分离的且均匀分布的孔道；在氧气氛围下退火，使分布于所述孔道两侧的侧壁电极部分氧化形成阻变功能层；以及在所述孔道中溅射电极材料，形成孔道电极。本发明解决了大面积连续功能层带来的稳定性降低问题，提高了三维阵列器件的均一性，同时简化了生产工艺，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN108461465A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810416195.6
申请日：2018-05-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于三维封装技术领域，具体为一种硅通孔结构及其制备方法。结构包括：在晶圆的上表面形成的电极，晶圆的背面形成的通孔；在通孔侧壁及晶圆背面形成的作为绝缘介质层的有机聚合物薄膜；在通孔中填充有导电金属，导电金属与所述电极相接触。制备步骤为对已形成有电极的晶圆背面进行光刻和刻蚀，形成通孔；生长有机聚合物薄膜；在通孔侧壁和底部淀积填充导电金属，完成通孔的连接。本发明可以减少通孔填充后应力的集中，同时获得较好的侧壁形覆盖特性。通孔倒梯形结构的侧壁使得通孔在填充导电金属后不会形成空洞，并可以提高导电金属的电镀速率。
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公开(公告)号：CN115266844B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210896284.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种低维感存算一体化器件及其制备方法。该低维感存算一体化器件包括：衬底，其为具有氧化层的高掺杂硅片；存储功能层，其为金属纳米晶颗粒，形成在所述衬底上；过渡层，形成在所述存储功能层上；气体探测层，其为经金属纳米晶颗粒修饰的二维半导体层，以提高对二氧化氮气体的探测灵敏度，形成在所述过渡层上；源电极和漏电极，形成在所述气体探测层两侧，在同一器件单元实现对二氧化氮气体的探测、识别与记录。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118922060A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974683.4
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有高整流比和高选择性的神经形态器件及其制备方法，自下而上包括：衬底；底电极层；第一介电层；第二介电层；顶电极层；通过所述第一介电层和所述第二介电层的能带调控以及所述底电极层和所述顶电极层的金属功函数的调制作用，器件的电流‑电压特性可实现正向导通反向截止，从而获得超高的整流比，以及实现在正向小电压时截止大电压时导通，从而获得超高非线性度，继而达到抑制阵列漏电流的作用。在具备抑制漏电流的本征特性的基础上，该器件还可实现包括配对脉冲促进、兴奋性突触后电流和长期增强/抑制等神经突触形态学特征与功能。
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公开(公告)号：CN118900625A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410974707.6
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种异质结自供电突触器件及其制备方法，突触器件包括：依次设于衬底上的第一电极层、介质层和第二电极层；所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层，且所述第一子介质层和所述第二子介质层形成PN结，以产生内建电场，可以在内建电场的作用下，使光产生的电子‑空穴对被迅速分离，产生光生电流，从而实现自供电，有望在未来大规模集成电路制造中获得应用。
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公开(公告)号：CN117525199A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311748784.1
申请日：2023-12-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种异质结感存算器件及其制备方法。该异质结感存算器件包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；第一栅介质层/第二栅介质层/第三栅介质层叠层，形成在所述背栅电极上；一维纳米线，其为具有近红外波段响应的半导体材料，形成在所述第三栅介质层上；二维层状半导体材料，其为具有可见光波段响应的半导体材料，形成在所述第三栅介质层上，与所述一维纳米线搭接，形成一维二维异质结，作为沟道层；源电极和漏电极，形成在所述沟道层的两侧。在同一个器件单元实现了信息的感知、存储与计算功能集成，提高了器件的光电感知范围以及灵敏度，实现了可见‑近红外波段信息感知能力的存算一体化应用。
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公开(公告)号：CN115867121A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211489550.5
申请日：2022-11-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H10N70/20 , H01L29/80 , H01L21/337
Abstract: 本发明公开一种柔性神经视网膜器件及其制备方法。该柔性神经视网膜器件包括：柔性衬底；隔离层，以一定间隔形成在所述柔性衬底上；底部栅电极，形成在所述隔离层的间隔中的柔性衬底上；有机铁电聚合物薄膜，形成在上述结构上；无机铪基铁电薄膜，形成在所述有机铁电聚合物薄膜上；p型二维半导体材料层和n型氧化物半导体层，两者相互搭接形成具有光电响应的pn结型沟道层，形成在所述无机铪基铁电薄膜上，且位于所述底部栅电极上方；电极材料叠层，分别形成在p型二维半导体材料层和n型氧化物半导体层两侧。
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公开(公告)号：CN115275021A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210903921.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种离子门控的柔性有机突触晶体管及其制备方法。该离子门控的柔性有机突触晶体管包括：柔性衬底；介质层，形成在柔性衬底上；C8‑BTBT有机半导体层，形成在介质层上；源电极和漏电极，形成在C8‑BTBT有机半导体层的两侧；共面横向栅电极，与C8‑BTBT有机半导体层保持间隔，形成在介质层上；栅极电介质，其为PEO和LiClO4的聚合物电解质，涂覆在器件的沟道和栅电极区域上，器件的突触后电流通过电调制和光调制两种方式进行调节，通过电调制调节聚合物电解质中的离子运动，改变C8‑BTBT有机半导体层通道电导，从而实现突触功能，光调制下通过调整C8‑BTBT有机半导体层通道的光生载流子数量实现突触权重的改变。
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