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公开(公告)号：CN108461465A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810416195.6
申请日：2018-05-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于三维封装技术领域，具体为一种硅通孔结构及其制备方法。结构包括：在晶圆的上表面形成的电极，晶圆的背面形成的通孔；在通孔侧壁及晶圆背面形成的作为绝缘介质层的有机聚合物薄膜；在通孔中填充有导电金属，导电金属与所述电极相接触。制备步骤为对已形成有电极的晶圆背面进行光刻和刻蚀，形成通孔；生长有机聚合物薄膜；在通孔侧壁和底部淀积填充导电金属，完成通孔的连接。本发明可以减少通孔填充后应力的集中，同时获得较好的侧壁形覆盖特性。通孔倒梯形结构的侧壁使得通孔在填充导电金属后不会形成空洞，并可以提高导电金属的电镀速率。
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