公开(公告)号：CN104347684B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201310586650.4

申请日：2013-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  陈思莹 ,  徐伟诚 ,  曾晓晖

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/18

Abstract: 通过器件隔离结构隔离的半导体开关器件。本发明提供了一种器件，包括：在半导体衬底上方形成的栅极结构，栅极结构具有延伸件；器件隔离结构形成在半导体衬底中并且与栅极结构邻近，其中，延伸件位于部分器件隔离结构上方；以及位于栅极结构的两侧上的源极/漏极区，源极/漏极区形成在器件隔离结构中的间隙中并且被栅极结构的延伸件部分包围绕。本发明还提供了一种形成晶体管器件的方法。

公开(公告)号：CN104282702B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410295594.3

申请日：2014-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  陈思莹 ,  徐伟诚 ,  曾晓晖

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 一种器件包括在半导体衬底内形成的器件隔离区域，器件隔离区域具有用于光敏器件的间隙；在衬底上方形成的伪栅极结构，伪栅极结构包括部分地环绕器件隔离区域内形成的掺杂的拾取区域的至少一个结构；以及连接至掺杂的拾取区域的通孔。本发明涉及器件隔离区域内的拾取器件结构。

公开(公告)号：CN103426892B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201210480345.2

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  洪丰基 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈思莹 ,  王文德 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/48463

Abstract: 一种器件包括背照式(BSI)图像传感器芯片，其包括设置在第一半导体衬底的正面上的图像传感器，以及位于第一半导体衬底正面上的包括多个金属层的第一互连结构。一种器件芯片与该图像传感器芯片接合。该器件芯片包括位于第二半导体衬底的正面上的有源器件，以及位于第二半导体衬底正面上的包括多个金属层的第二互连结构。第一通孔穿透BSI图像传感器芯片，从而连接位于第二互连结构中的第一金属焊盘。第二通孔穿透位于第一互连结构中的介电层，从而连接位于第一互连结构中的第二金属焊盘，其中，第一通孔和第二通孔电连接。本发明提供垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN103715211A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310119867.4

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  王文德 ,  许文义

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/761

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78

Abstract: 注入隔离器件及其方法。一种器件包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中且围绕有源区域的注入隔离区域。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区域上方并且延伸到注入隔离区域上方。栅电极设置在栅极电介质上方，两个端部覆盖硬掩模位于注入隔离区域上方在栅极电介质和栅电极之间。两个端部覆盖硬掩模包含与被注入到有源区域中的掺杂物相同的掺杂物。

公开(公告)号：CN102237274B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201010530391.X

申请日：2010-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许凯钧 ,  杜友伦 ,  王从建 ,  许慈轩 ,  王俊智

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明包括使用激光光束激光退火具有多裸片的晶片的方法、以具有多扫描路径、激光射击的扫描模式中的激光光束激光退火背面照明图像感测器的阵列的方法。每个互补金属氧化物半导体图像感测器具有感测器阵列区和周边电路。此方法借由感测器阵列区长度和周边电路长度决定激光光束的尺寸，使激光光束覆盖整数个感测器阵列区，至少一直排激光光束在背面照明图像感测器的阵列上。进一步决定扫描模式，使激光光束的边界在激光退火期间不会与感测器阵列区重叠只与周边电路重叠。当制造背面照明互补金属氧化物半导体图像感测器时决定激光光束尺寸和激光退火扫描模式的方法以避免在图像感测器的感测器阵列区内发生对应激光扫描边界效应的暗模式条纹图案。

公开(公告)号：CN103456752A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310178004.4

申请日：2013-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰 ,  曾晓晖 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种器件包括二极管，该二极管包括位于半导体衬底中的第一、第二和第三掺杂区域。第一掺杂区域具有第一导电类型并且具有第一杂质浓度。第二掺杂区域具有第一导电类型并且具有比第一杂质浓度低的第二杂质浓度。第二掺杂区域围绕第一掺杂区域。第三掺杂区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中第三掺杂区域与第一掺杂区域的一部分和第二掺杂区域的一部分重叠。本发明还公开了CMOS图像传感器及其形成方法。

公开(公告)号：CN103426892A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210480345.2

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  洪丰基 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈思莹 ,  王文德 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/48463

Abstract: 一种器件包括背照式(BSI)图像传感器芯片，其包括设置在第一半导体衬底的正面上的图像传感器，以及位于第一半导体衬底正面上的包括多个金属层的第一互连结构。一种器件芯片与该图像传感器芯片接合。该器件芯片包括位于第二半导体衬底的正面上的有源器件，以及位于第二半导体衬底正面上的包括多个金属层的第二互连结构。第一通孔穿透BSI图像传感器芯片，从而连接位于第二互连结构中的第一金属焊盘。第二通孔穿透位于第一互连结构中的介电层，从而连接位于第一互连结构中的第二金属焊盘，其中，第一通孔和第二通孔电连接。本发明提供垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN101783314B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200910146985.8

申请日：2009-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊智 ,  许慈轩

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/50 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体衬底的方法，包括提供具有正面和背面半导体衬底，在半导体衬底正面形成第一电路和第二电路，把半导体衬底正面键合到承载衬底，减薄半导体衬底的背面，并形成从半导体衬底背面到正面的沟槽从而把第一电路和第二电路隔离开。

公开(公告)号：CN101783318B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200910173958.X

申请日：2009-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊智 ,  许慈轩 ,  刘汉琦 ,  苏俊民

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/76 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/761 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634

Abstract: 本发明提供了一种制造图像传感器器件的方法。该方法包括：提供具有正面和背面的半导体衬底；在半导体衬底的正面形成第一隔离结构；从背面减薄半导体衬底；以及在半导体衬底的背面形成第二隔离结构。第一和第二隔离结构相对于彼此移动。

公开(公告)号：CN101442063B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810135288.8

申请日：2008-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  刘世昌 ,  傅士奇 ,  许慈轩 ,  喻中一 ,  萧国裕 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及影像感测装置，该半导体装置包含：具有一前表面及一后表面的一半导体基材；形成于基材上的元件；形成于基材的前表面上的互连金属层，包含一最高互连金属层；一内金属介电层，供绝缘位于其中的多个互连金属层中的每一个；以及位于内金属介电层中的一接合垫，接合垫与除了最高互连金属层之外的互连金属层之一接触。