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公开(公告)号：CN106868580A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710118094.6
申请日：2017-03-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。
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公开(公告)号：CN103413788B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310383471.0
申请日：2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层；3）将步骤2）得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒；4）采用电子束蒸发工艺在步骤3）获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层，最后蒸镀上电极和下电极，获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。
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公开(公告)号：CN104867814A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510200903.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/02656 , H01L21/02661
Abstract: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“撕开”，得柔性Ge薄膜；再进行抛光，得锗薄膜，然后与SiO2/Si晶片清洗，将清洗后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片，利用等离子体与晶片表面进行撞击，同时对表面进行活化处理；将处理后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片贴合；用滚压法将界面的空气充分地排出；处理后将样品预键合，随后将柔性衬底与GOI结构剥离，退火，以增强键合表面能，提高键合强度。
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公开(公告)号：CN103132077A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310074218.7
申请日：2013-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在硅片上生长Ge层；2）将步骤1）制备得到的样品置于氮气氛围中，采用KrF脉冲激光对样品进行辐照，得到直径不同的单层SiGe量子点；3）以步骤2）得到的单层SiGe量子点作为掩膜版，使用高能Ar+进行刻蚀，最终获得锗硅纳米柱。制作过程简单、重复性好。可对传统相关产业产生示范作用。
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公开(公告)号：CN102790121A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210283318.6
申请日：2012-08-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层；第一结Ge子电池构建在Ge衬底上，Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区，第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接，第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接，第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接，接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池，实现电池的电流匹配和晶格匹配，解决电流不匹配的问题，还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101388324B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810071934.9
申请日：2008-10-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。
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公开(公告)号：CN101388324A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810071934.9
申请日：2008-10-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。
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公开(公告)号：CN101221996A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810070524.2
申请日：2008-01-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0256
Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si1－yGey层，吸收区为Si1－zGez(y＜z≤1)层或Si1－zGez/Si1－yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1－xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1－yGey层；在集电区、基区和发射区上设电极。
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公开(公告)号：CN1560263A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410005733.0
申请日：2004-02-16
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02E10/725 , Y02E60/527 , Y02P20/59
Abstract: 利用农作物生物质制氢及氢能发电装置，涉及一种利用农作物秸秆生物质制氢及氢能发电的成套装置。提供一种利用农作物秸秆等生物质的微生物分解及微生物制氢的应用，将农作物秸秆等生物质的微生物分解、制氢、储氢及氢能—电能转化结合的装置。设有生物质分解装置、发酵制氢装置、反应液后处理装置、水封装置、气体洗脱装置、气体干燥装置、储氢装置、燃料电池。利用分解微生物将各种农业秸秆和淀粉类物质分解为糖类物质，利用微生物发酵糖类物质产氢，发酵废液通过后处理排放，生物氢通过洗脱后储存于储氢系统，并通过燃料电池将氢能转化为电能或直接供热。可用于大规模生物质制氢和发电和分散的小规模生物质制氢发电。
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