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公开(公告)号：CN118136752A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311824432.X
申请日：2023-12-26
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层；若干间隔排布的第一N型GaN层，位于GaN缓冲层背离衬底层的一侧表面，任意的第一N型GaN层的宽度自衬底层至GaN缓冲层方向逐渐递减；若干间隔排布的第二N型GaN层，位于第一N型GaN层背离衬底层的一侧表面，任意第二N型GaN层中具有纳米孔，第二N型GaN层与第一N型GaN层一一对应；若干间隔排布的I nGaN/GaN发光层，位于第二N型GaN层背离所述衬底层的一侧，I nGaN/GaN发光层与第二N型GaN层一一对应；P型GaN层。LED芯片结构的发光效率高。
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公开(公告)号：CN115863507A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211524225.8
申请日：2022-11-30
Abstract: 本发明提供一种LED器件及其制备方法，LED器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的反射结构，所述反射结构包括自下至上依次层叠的第一组反射单元至第N组反射单元，N为大于或等于2的整数；任意的第n组反射单元包括至少一个第n反射单元，第n反射单元包括第n下反射层和第n上反射层；第n下反射层的折射率小于第n上反射层的折射率；第一组反射单元中的第一下反射层至第N组反射单元中第N下反射层的掺杂浓度递增，第一下反射层至第N下反射层中均具有孔洞，第一下反射层至第N下反射层的孔洞率递增；位于所述反射结构背离所述半导体衬底层一侧的发光层。所述LED器件的发光效率和发光均匀性均提高。
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公开(公告)号：CN103441062B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310405028.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN118919624A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410977433.6
申请日：2024-07-19
Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种发光器件及制备方法，该发光器件包括衬底层、缓冲层、多孔化结构及发光结构层，缓冲层位于衬底层一侧表面，缓冲层上具有目标区域；多孔化结构嵌于目标区域内，多孔化结构包括氮化镓柱，且氮化镓柱具有纳米孔；发光结构层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光结构层包括第一掺杂半导体层、发光层及第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光层位于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间，第一掺杂半导体层的导电类型和第二掺杂半导体层的导电类型相反。本发明减少了大面积多孔化造成的孔径不均匀的情况，进而减少了应力弛豫程度不均匀的情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117276436A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311222695.3
申请日：2023-09-20
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法。LED芯片包括：层叠的半导体衬底层、半导体缓冲层以及N型GaN层，N型GaN层远离所述半导体衬底层一侧的部分厚度中具有多孔GaN区域，多孔GaN区域具有若干孔；N型InGaN六棱锥层，阵列排布于多孔GaN区域上。本发明提供的LED芯片可以在多孔GaN区域上得到有更多In含量(超过20％)的N型InGaN六棱锥层阵列，进而得到高In含量的InGaN量子阱层，使InGaN量子阱层中In含量在25～35％，从而实现良好的红光LED。
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公开(公告)号：CN103441062A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310405028.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN117790486A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824530.3
申请日：2023-12-27
IPC: H01L25/075 , H01L33/32 , H01L33/12 , H01L33/48 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种Micro‑LED芯片封装结构及其制备方法，Micro‑LED芯片封装结构包括：封装基底，封装基底上设置红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片，红光Micro‑LED芯片的发光层、绿光Micro‑LED芯片的发光层和蓝光Micro‑LED芯片的发光层均包括InxGa(1‑X)N层；不同颜色Micro‑LED芯片中InxGa(1‑X)N层中x的取值相同。在具有同一外延结构的基础上，通过调整红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片的面积尺寸或电流大小，即可实现白色Micro‑LED光源，工艺简单。
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公开(公告)号：CN117577750A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311812460.X
申请日：2023-12-26
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层，位于所述衬底层的一侧表面；发光柱，位于部分所述GaN缓冲层背离所述衬底层的一侧，所述发光柱包括具有纳米孔的N型GaN柱以及位于所述N型GaN柱表面的I nGaN/GaN发光量子点柱；P型GaN层，位于所述发光柱的表面。所述LED芯片结构的发光效率高。
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公开(公告)号：CN214318394U
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202120166467.9
申请日：2021-01-21
Applicant: 厦门大学附属中山医院
Abstract: 本实用新型公开了一种神经外科使用的护理托架，包括底板，所述底板底部两侧均设置有与床体两侧固定的固定机构，所述底板上表面设置有凹槽，所述凹槽表面一侧设置有垫板，所述凹槽表面另一侧通过轴承转动连接有水平分布的第一丝杆，所述第一丝杆远离垫板一端延伸至凹槽外侧并设置有转盘，所述第一丝杆上螺纹连接有第一活动块，使用时，使得两个固定板位于床体的两侧，并使得床体的边侧位于固定板的U型槽内，然后转动螺柱，使得螺柱推动锁紧板向上移动，从而将床体进行夹紧，从而将该装置固定在床体上，通过滑杆与第一腔体滑动连接，并在弹簧的作用下，使得该装置可根据床体的宽度进行调节两个固定板之间的距离，从而提高了该装置的灵活性。
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