公开(公告)号：CN101388324B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810071934.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  廖凌宏 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。

公开(公告)号：CN101388324A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810071934.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  廖凌宏 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。