公开(公告)号：CN114628495A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210157686.X

申请日：2022-02-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  杜永浩 ,  徐尉宗 ,  巩贺贺 ,  任芳芳 ,  叶建东 ,  周东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于P型帽层低膝点电压的增强型AlGaN/GaN HEMT器件及方法。其器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN中间层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上方设有电子气恢复层，电子气恢复层上刻蚀或者腐蚀出源极区域、漏极区域以及栅极区域，栅极区域位于源极区域和漏极区域之间，其中，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅区P型帽层和栅电极，栅电极位于栅区P型帽层上方。本发明在AlGaN势垒层上沉积兼容剥离工艺无刻蚀损伤的P型帽层，使栅区P型帽层和栅电极同步成型，并且在耗尽沟道电子实现增强型工作的同时，改变沟道的电场分布，促进器件膝点电压的降低。

公开(公告)号：CN108807586B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201810399948.7

申请日：2018-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  陈选虎 ,  徐阳 ,  马同川 ,  张彦芳 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器，包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片，在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列，然后覆盖绝缘介质钝化层，所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极；氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置，氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同，面积稍大于衬底，氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构，可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波，增强对短波的抑制作用，实现窄带的日盲紫外探测器；探测器结构简单，成本较低，抑制较高，有利于推广使用。

公开(公告)号：CN105908256B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201610192710.8

申请日：2016-03-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  陈选虎 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  汤琨 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: C30B29/16 ,  C30B29/64 ,  C30B25/02 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06

Abstract: 本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1‑3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石或石英等透明衬底上低温制备不同Cd/Zn组分配比的ZnCdO合金单晶薄膜。薄膜的禁带宽度覆盖绝大部分太阳光谱，非常适合用于可见光催化分解水。本发明制备方法适合大规模产业化，制备的ZnCdO薄膜在高效光催化水分解和光伏电池等领域有应用前景。

公开(公告)号：CN108807586A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810399948.7

申请日：2018-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  陈选虎 ,  徐阳 ,  马同川 ,  张彦芳 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器，包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片，在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列，然后覆盖绝缘介质钝化层，所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极；氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置，氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同，面积稍大于衬底，氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构，可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波，增强对短波的抑制作用，实现窄带的日盲紫外探测器；探测器结构简单，成本较低，抑制较高，有利于推广使用。

公开(公告)号：CN107887452A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710933791.7

申请日：2017-10-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  张彦芳 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  唐东明 ,  杨燚 ,  顾书林

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896

Abstract: 一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法，ZnO基薄膜是在蓝宝石衬底上使用MOCVD方法生长的外延层薄膜，采用先低温缓冲层然后现高温外延生长相结合的两步生长法，解决蓝宝石衬底与ZnO材料之间的失配；低温缓冲层厚度约为200-400nm，高温外延层厚度约为2-5μm；然后采用激光剥离的方法将制备的ZnO基外延层与蓝宝石衬底的分离：激光剥离外延层时，调节激光光束聚焦于样品，从蓝宝石一侧照射样品，蓝宝石对该入射激光透明，而ZnO对该激光有强烈吸收。本发明提出的获得ZnO基自支撑薄膜的剥离工艺简单，成本低，易于制备，有利于改善ZnO基光电子器件性能和制备柔性电子器件。

公开(公告)号：CN105862013A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610439793.6

申请日：2016-06-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱顺明 ,  刘松民 ,  顾书林 ,  叶建东 ,  汤琨

IPC: C23C16/48

CPC classification number: C23C16/48

Abstract: 一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置，包括加热元件、电炉盘和电极连接线，加热元件上面设有盖板，电炉盘底部预留若干孔洞，连接加热元件的电极连接线有陶瓷管加以保护；加热装置外部由不锈钢外罩所封闭，电炉盘下方有隔热板，隔热板上预留若干和电炉盘底部相对应的孔洞，隔热板上方外罩的侧面设有能通保护气体的不锈钢管，不锈钢管管可供氮气等保护气通入加热元件上部，对加热元件进行双重保护；本发明可实现小型MOCVD系统的高温加热，并能有效阻止高温情况下氧气等对加热元件造成的氧化和腐蚀影响，大幅提升了加热元件使用寿命，也可以屏蔽限制高温条件下加热元件的各种释放，有利于获得性能优异的沉积薄膜材料。

公开(公告)号：CN1333438C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200510037733.3

申请日：2005-02-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 顾书林 ,  朱顺明 ,  叶建东 ,  刘松明 ,  张荣 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：(1)、将衬底6放置在衬底托7上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；(2)、反应物Ⅰ由进气管1输入，反应物Ⅱ由进气环3输入，隔离气由进气环2输入，压迫气由进气环4输入；(3)、将衬底加热至设定温度，反应物Ⅰ和反应物Ⅱ接近衬底6表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底6表面发生分解反应，从而在衬底6上生长成均匀宽带隙的半导体薄膜。该方法成本低、技术难度小、实用性强、特别适用于各种GaN基和ZnO基等宽带隙结构材料的生长与器件结构材料的研究。

公开(公告)号：CN206076241U

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201620088085.8

申请日：2016-01-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  程丽娜 ,  朱顺明 ,  汤琨 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/363

Abstract: 一种采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构的ZnON薄膜的基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，富氮ZnON薄膜厚度为20‑150纳米，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，富氧ZnON薄膜层厚为5‑30纳米，基底为硅片、石英、玻璃或柔性衬底。三明治结构中夹层富氮ZnON和原位制备覆盖层富氧ZnON，提高了晶体管沟道层的稳定性，抑制后续晶体管器件的功能老化衰退。