公开(公告)号：CN114843337A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210478107.1

申请日：2022-04-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐尉宗 ,  柏宇 ,  陆海 ,  杜永浩 ,  任芳芳 ,  周峰 ,  周东

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法。所述双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管包括异质结构以及源电极、漏电极、主栅电极和副栅电极；所述异质结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，所述沟道层和势垒层之间形成有二维电子气；所述主栅电极和副栅电极分别设置在所述势垒层的主栅电极区域和副栅电极区域，所述势垒层副栅电极区域具有凹槽结构，所述副栅电极的局部设置在所述凹槽结构，所述副栅电极与所述二维电子气形成肖特基二极管。本发明实施例提供的双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管，实现了器件第三象限导通能力和栅极可靠性的提升，提高了器件的高可靠、高能效工作能力。

公开(公告)号：CN114628495A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210157686.X

申请日：2022-02-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  杜永浩 ,  徐尉宗 ,  巩贺贺 ,  任芳芳 ,  叶建东 ,  周东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于P型帽层低膝点电压的增强型AlGaN/GaN HEMT器件及方法。其器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN中间层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上方设有电子气恢复层，电子气恢复层上刻蚀或者腐蚀出源极区域、漏极区域以及栅极区域，栅极区域位于源极区域和漏极区域之间，其中，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅区P型帽层和栅电极，栅电极位于栅区P型帽层上方。本发明在AlGaN势垒层上沉积兼容剥离工艺无刻蚀损伤的P型帽层，使栅区P型帽层和栅电极同步成型，并且在耗尽沟道电子实现增强型工作的同时，改变沟道的电场分布，促进器件膝点电压的降低。