一种空间集约型多维样品调整架

    公开(公告)号:CN103301895A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310226447.6

    申请日:2013-06-07

    Abstract: 一种空间集约型多维样品调整架,属于机械零部件和自动化仪器仪表应用领域。所述的底座上设置有突起,突起上设置有外螺纹;所述的样品台的底部开有圆孔,圆孔内设置有与底座上的外螺纹相耦合的内螺纹,通过底座的外螺纹和样品台的内螺纹的耦合深度调节样品的放置高度和正面朝向;在样品台上设置有用于放置样品的样品槽;所述的样品槽一壁设置有插入顶丝的内螺纹,样品槽的另一壁设置为挡块;所述的顶丝用于将样品压在挡块上夹持样品;所述的样品台上还设置有用于镊子夹持样品台调整底座与样品台螺纹耦合的凹槽。本发明既丰富了样品的固定和调整方式,又弥补了市面上商业化仪器使用固定样品架的劣势,拓展了仪器的使用,同时也方便了测试者的使用。

    CAST分段进水强化脱氮的控制方法

    公开(公告)号:CN101402488B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200810227052.7

    申请日:2008-11-21

    CPC classification number: Y02W10/15

    Abstract: 本发明是CAST分段进水强化脱氮过程控制系统,适用于含氮工业废水处理和城镇污水强化处理。包括选择器、主反应区、进水泵、搅拌器、潜水搅拌器、回流污泥泵、主反应区底部所设曝气器、连接在曝气器上的空气压缩机、排水阀、用于排放主反应区内剩余污泥的排泥阀和与计算机相连接的ORP、pH传感器和在线控制系统。在线控制系统与连接在进水泵、搅拌器、潜水搅拌器、回流污泥泵、空气压缩机、排水阀和排泥阀上的时间继电器相连。本发明采用在线控制策略控制生物脱氮过程中的好氧曝气和缺氧搅拌时间,解决了曝气或搅拌时间不足所引起的硝化或反硝化不完全和曝气或搅拌时间过长所带来的运行成本的提高和能源的浪费。

    纳米锆酸镧外延层与Ni-W衬底晶体取向匹配关系的电子背散射衍射(EBSD)测试方法

    公开(公告)号:CN101813645A

    公开(公告)日:2010-08-25

    申请号:CN201010108670.7

    申请日:2010-02-05

    Abstract: 纳米锆酸镧外延层与Ni-W衬底晶体取向匹配关系测试方法,属于超导薄膜性能测试技术领域,其特征在于,在热场发射扫描电镜SEM-电子背散射衍射仪EBSD分析测试系统中,调整二次电子放大倍率、扫描步进距离,使得能在加速电压最低为6kV条件下,用5nA的入射电子流,实现在一幅极图中,同时显示锆酸镧外延层和Ni-W衬底的织构,还在一幅菊池花样中,同时包含锆酸镧外延层和Ni-W衬底两相的菊池花样,在此基础上可用商用EBSD分析软件,测量出锆酸镧外延层与Ni-W衬底在面内和外延生长方向(c-轴)的晶体取向匹配关系,具有直观、简便,且不需要对锆酸镧进行表面预处理的优点,并适用于其它外延材料系统。

    一种改变半导体材料PN型的方法

    公开(公告)号:CN114645251B

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202210260057.X

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 一种改变半导体材料PN型的制备方法,涉及半导体材料领域。将硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜,通过控制制备条件,达到控制基片上半导体薄膜PN型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术完成薄膜的制备,基片选择使用石英玻璃。本发明的半导体材料通过脉冲激光沉积法来制备的,采用如下技术方案实现:先采用固体反应烧结法制备ZnSe0.4:Mo0.3:Ga0.3陶瓷靶材,再采用脉冲激光沉积法制备ZnSe:Mo:Ga薄膜,通过控制不同的制备条件,得到不同PN特性的半导体薄膜。本发明结晶质量好、表面光滑,具有纳米结构,能够实现同一块靶材通过控制制备条件改变其薄膜的PN型的目的。

    用于生物纳米探针的SEM/ESEM阴极荧光成像方法

    公开(公告)号:CN108107066B

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201711374006.5

    申请日:2017-12-19

    Abstract: 用于生物纳米探针的SEM/ESEM—阴极荧光成像方法属于阴极荧光成像技术领域,尤其涉及生物荧光成像技术领域,其特征在于,采用SEM/ESEM和CL组成的联机系统,包括量子点和纳米颗粒在内的纳米探针,选择包括玻璃、导电玻璃、SiO2‑Au‑Si复合膜、Si、SiO2、碳基薄膜在内的任何一种衬底,以SEM外接模式、配以阴极荧光谱的CL全光模式,得到CL像和相对应的SE或TE电子像,以及CL像和电子像的合成像,以SEM快速扫描模式、配以阴极荧光谱的CL单光模式,得到单细胞的CL谱,或单一波长的CL单光像和各电子像,从而得到了由纳米颗粒/量子点探针特异性标识的单细胞和单分子的高分辨光子像和对应的电子像,可以在室温~‑180℃下低温成像,还可以与具有不同发光特性的荧光分子/荧光蛋白探针匹配,并减少高能电子束对生物样品的辐照损伤。

    用于生物纳米探针的SEM/ESEM阴极荧光成像方法

    公开(公告)号:CN108107066A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711374006.5

    申请日:2017-12-19

    Abstract: 用于生物纳米探针的SEM/ESEM—阴极荧光成像方法属于阴极荧光成像技术领域,尤其涉及生物荧光成像技术领域,其特征在于,采用SEM/ESEM和CL组成的联机系统,包括量子点和纳米颗粒在内的纳米探针,选择包括玻璃、导电玻璃、SiO2‑Au‑Si复合膜、Si、SiO2、碳基薄膜在内的任何一种衬底,以SEM外接模式、配以阴极荧光谱的CL全光模式,得到CL像和相对应的SE或TE电子像,以及CL像和电子像的合成像,以SEM快速扫描模式、配以阴极荧光谱的CL单光模式,得到单细胞的CL谱,或单一波长的CL单光像和各电子像,从而得到了由纳米颗粒/量子点探针特异性标识的单细胞和单分子的高分辨光子像和对应的电子像,可以在室温~‑180℃下低温成像,还可以与具有不同发光特性的荧光分子/荧光蛋白探针匹配,并减少高能电子束对生物样品的辐照损伤。

Patent Agency Ranking