Patent search ap:("北京工业大学") AND inv:"王瑞旻" Page 1

1.

发明公开
一种以MAPbI3单晶为核心的X射线探测仪的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117858586A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311801579.7

申请日：2023-12-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 苏雪琼 , 王瑞旻 , 俞慧敏 , 王进 , 陈瑞祥 , 王丽

IPC: H10K71/00 , H10K30/88 , H10K30/60 , H10K85/50 , C30B29/12

Abstract: 一种以MAPbI3单晶为核心的X射线探测仪的制备方法，属于光电器件领域。利用离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐(EMIMNTF2)对MAPbI3单晶进行通电浸泡，将其与刚性硅基叉指电极结合，并用导电银胶在电极处黏合铜线链接电路板，由此制得以MAPbI3单晶作为核心的X射线探测器。相较于现有的以MAPbI3单晶作为核心的X射线探测器，该器件在光电性能上出现显著提升，能够更为便捷的对X射线进行探测。

Patent Agency Ranking